TH102040A - อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกและกระบวนการสำหรับการผลิตอุปกรณ์โฟโตวอลเทอิก - Google Patents

อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกและกระบวนการสำหรับการผลิตอุปกรณ์โฟโตวอลเทอิก

Info

Publication number
TH102040A
TH102040A TH901000092A TH0901000092A TH102040A TH 102040 A TH102040 A TH 102040A TH 901000092 A TH901000092 A TH 901000092A TH 0901000092 A TH0901000092 A TH 0901000092A TH 102040 A TH102040 A TH 102040A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
electrode layer
transparent electrode
power generation
back electrode
layer
Prior art date
Application number
TH901000092A
Other languages
English (en)
Other versions
TH102040B (th
Inventor
ซาคาอิ นายซาโตชิ
อาซาฮาระ นายยูจิ
โคบายาชิ นายยาซูยูกิ
โมริ นายมาซาฟูมิ
สึรูกะ นายชิเกโนริ
ยามาชิตะ นายโนบูกิ
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายบุญมา เตชะวณิช
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายบุญมา เตชะวณิช, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH102040B publication Critical patent/TH102040B/th
Publication of TH102040A publication Critical patent/TH102040A/th

Links

Abstract

DC60 (19/05/54) อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกซึ่งแสดงออกถึงสมบัติการดูดกลืนแสงที่ปรับปรุงดีขึ้นสำหรับ ชั้นก่อกำเนิดกำลังไฟฟ้าและกระบวนการสำหรับการผลิตอุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกดังกล่าวได้รับ การจัดเตรียมขึ้น โดยทำให้มีความเหมาะสมที่สุดในรูปทรงพื้นผิวของโครงสร้างพื้นผิวด้านหลัง อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิก 100 ประกอบรวมด้วยชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่หนึ่ง 2, ชั้นก่อกำเนิด กำลังไฟฟ้า 3, ชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่สอง 6 และชั้นอิเล็กโทรดหลัง 4 ซึ่งจัดเตรียมบนซับสเทรท 1 อย่างเป็นลำดับ โดยที่ชั้นอิเล็กโทรดหลัง 4 ประกอบรวมด้วยฟิล์มบางของซิลเวอร์, และพื้นผิวของ ชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่สอง 6 บนพื้นผิวของชั้นอิเล็กโทรดหลัง 4 มีลายผิวไม่สม่ำเสมอแบบละเอียด ที่ซึ่งอัตราการขยายพื้นที่ผิวเทียบกับพื้นที่ผิวส่วนยื่นนี้ไม่น้อยกว่า 10 เปอร์เซ็นต์และไม่มากกว่า 32 เปอร์เซ็นต์ เช่นเดียวกันนั้น อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกซึ่งประกอบรวมด้วยชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่ หนึ่ง 2, ชั้นก่อกำเนิดกำลังไฟฟ้า 3, ชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่สอง 6 และชั้นอิเล็กโทรดหลัง 4 ซึ่ง จัดเตรียมบนซับสเทรท 1 อย่างเป็นลำดับ โดยที่ชั้นอิเล็กโทรดหลัง 4 ประกอบรวมด้วยฟิล์มบางของ ซิลเวอร์, พื้นผิวข้างชั้นอิเล็กโทรดหลังของชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่สอง 6 มีลายผิวไม่สม่ำเสมอแบบ ละเอียด, และชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่สอง 6 ประกอบรวมด้วยผลึกคล้ายเข็ม

Claims (1)

  1. : DC60 (19/05/54) อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกซึ่งแสดงออกถึงสมบัติการดูดกลืนแสงที่ปรับปรุงดีขึ้นสำหรับ ชั้นก่อกำเนิดกำลังไฟฟ้าและกระบวนการสำหรับการผลิตอุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกดังกล่าวได้รับ การจัดเตรียมขึ้น โดยทำให้มีความเหมาะสมที่สุดในรูปทรงพื้นผิวของโครงสร้างพื้นผิวด้านหลัง อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิก 100 ประกอบรวมด้วยชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่หนึ่ง 2, ชั้นก่อกำเนิด กำลังไฟฟ้า 3, ชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่สอง 6 และชั้นอิเล็กโทรดหลัง 4 ซึ่งจัดเตรียมบนซับสเทรท 1 อย่างเป็นลำดับ โดยที่ชั้นอิเล็กโทรดหลัง 4 ประกอบรวมด้วยฟิล์มบางของซิลเวอร์, และพื้นผิวของ ชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่สอง 6 บนพื้นผิวของชั้นอิเล็กโทรดหลัง 4 มีลายผิวไม่สม่ำเสมอแบบละเอียด ที่ซึ่งอัตราการขยายพื้นที่ผิวเทียบกับพื้นที่ผิวส่วนยื่นนี้ไม่น้อยกว่า 10 เปอร์เซ็นต์และไม่มากกว่า 32 เปอร์เซ็นต์ เช่นเดียวกันนั้น อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกซึ่งประกอบรวมด้วยชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่ หนึ่ง 2, ชั้นก่อกำเนิดกำลังไฟฟ้า 3, ชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่สอง 6 และชั้นอิเล็กโทรดหลัง 4 ซึ่ง จัดเตรียมบนซับสเทรท 1 อย่างเป็นลำดับ โดยที่ชั้นอิเล็กโทรดหลัง 4 ประกอบรวมด้วยฟิล์มบางของ ซิลเวอร์, พื้นผิวข้างชั้นอิเล็กโทรดหลังของชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่สอง 6 มีลายผิวไม่สม่ำเสมอแบบ ละเอียด, และชั้นอิเล็กโทรดโปร่งใสที่สอง 6 ประกอบรวมด้วยผลึกคล้ายเข็ม ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : แท็ก :
TH901000092A 2009-01-12 อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกและกระบวนการสำหรับการผลิตอุปกรณ์โฟโตวอลเทอิก TH102040A (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH102040B TH102040B (th) 2010-06-25
TH102040A true TH102040A (th) 2010-06-25

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010177264A5 (th)
WO2008107094A3 (de) Verfahren zur herstellung einer solarzelle sowie damit hergestellte solarzelle
WO2009069582A1 (ja) Cis系太陽電池の積層構造、cis系薄膜太陽電池の集積構造及び製造方法
SG130145A1 (en) Source/drain electrodes, transistor substrates and manufacture methods thereof, and display devices
GB2492627B (en) Oxide thin film transistor and method of fabricating the same
MY201393A (en) Photovoltaic cell and laminate metallization
EP1489666A4 (en) COMPOSITE THIN FILM SOLAR CELL AND PROCESS FOR THEIR MANUFACTURE
WO2011025216A3 (ko) 그래핀 박막과 나노 입자를 이용한 광검출기 및 그 제조 방법
US20110126876A1 (en) Light-transmission thin film solar module and a process thereof
TW200727461A (en) Semiconductor device and production method thereof
TW200705697A (en) Solar cell and solar cell manufacturing method
ES2515665A2 (es) Sistema de capas de reflexión para aplicaciones solares y método para producirlo
EP2518558A3 (en) Liquid crystal display and array substrate
WO2012134161A3 (ko) 그라펜 시트, 이를 포함하는 투명 전극, 활성층, 이를 구비한 표시소자, 전자소자, 광전소자, 배터리, 태양전지 및 염료감응 태양전지
WO2012100788A8 (en) Photovoltaic concentrator receiver and its use
TWD130494S1 (zh) 發光二極體模組
MY169713A (en) Solar cell, solar cell module, method for producing solar cell, and method for producing solar cell module
CN104834117A (zh) 彩膜基板、显示装置及彩膜基板的制作方法
WO2009084851A3 (en) Conductive glass for dye sensitive solar cell and method of preparing the same
IN2012DN01227A (th)
FR2961022B1 (fr) Cellule photovoltaïque pour application sous flux solaire concentre
EP2337087A3 (en) Solar cell module and method for manufacturing thereof
TH102040A (th) อุปกรณ์โฟโตวอลเทอิกและกระบวนการสำหรับการผลิตอุปกรณ์โฟโตวอลเทอิก
WO2015096946A3 (de) Verfahren zur herstellung eines chipmoduls
WO2012099816A3 (en) Photovoltaic devices and methods of forming the same