SU995293A2 - Staircase voltage generator - Google Patents

Staircase voltage generator Download PDF

Info

Publication number
SU995293A2
SU995293A2 SU813291666A SU3291666A SU995293A2 SU 995293 A2 SU995293 A2 SU 995293A2 SU 813291666 A SU813291666 A SU 813291666A SU 3291666 A SU3291666 A SU 3291666A SU 995293 A2 SU995293 A2 SU 995293A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
pentode
base
increases
voltage generator
staircase voltage
Prior art date
Application number
SU813291666A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Лев Иванович Слепов
Игорь Васильевич Кутовой
Леонид Михайлович Осинский
Александр Андреевич Селезнев
Original Assignee
Киевское высшее инженерное радиотехническое училище ПВО
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Киевское высшее инженерное радиотехническое училище ПВО filed Critical Киевское высшее инженерное радиотехническое училище ПВО
Priority to SU813291666A priority Critical patent/SU995293A2/en
Application granted granted Critical
Publication of SU995293A2 publication Critical patent/SU995293A2/en

Links

Description

,го конденсатора 6 через открытый канал перва  база - втора  база включенного пентода 1, сопротивление канала сток-исток полевого транзистора 12 и ограничительный резистор 10 на отрицательную шину источника питани . Начальна  ступень выходного, напр жени  образуетс  за счет прохождени  управл ющего тока через открытый канал перва  база - втора  база и переход перва  база - первый эмиттер пенгода 1, обеспечивающего зар д накопительного конденсатора 2 через от , открытый коллекторный переход пентода 1 до амплитуды,определ емой напр жением на втором эмиттере пентода 1. При равных потенциалах на дозирующем и- накопительном конденсаторах пентод 1 переходит в закрытое состо ние. Процесс перезар да дозирующего конденсатора б продолжаетс  до максималь ного напр жени  на дозирующем и на-, копительном конденсаторах, равного пороговому напр жению, ключевого элемента . После разр да накопительного конденсатора через ключевой элемент схема возвращаетс  в исходное состо ние и начинаетс  процесс формировани  начальной ступеньки напр жени .The first capacitor through the open channel is the first base - the second base of the included pentode 1, the drain – source channel resistance of the FET 12 and the limiting resistor 10 to the negative power supply bus. The initial stage of the output voltage is formed due to the passage of the control current through the open channel first base - second base and transition first base - first emitter of year 1 providing charge of storage capacitor 2 through from the open collector junction of pentode 1 to the amplitude determined by the voltage on the second emitter of the pentode 1. At equal potentials on the metering and storage capacitors, the pentode 1 goes into the closed state. The process of recharging the metering capacitor b continues to the maximum voltage across the metering and digging capacitors, equal to the threshold voltage, of the key element. After the storage capacitor is discharged through the key element, the circuit returns to the initial state and the formation of the initial voltage step begins.

Сопротивление каналов сток-исток полевых транзисторов с затворами, птипа увеличиваетс  с ростом выходного напр жени . Посто нна  времени зар да дозирующего конденсатора 6 до напр жени  включени  пентода 1 по второй базе также возрастает, что увеличивает стабильность .длительности формируемых ступеней в закрытом состо нии пентода 1.The resistance of the channels of the drain-source of field-effect transistors with gates, the flux increases with increasing output voltage. The constant charge time of the metering capacitor 6 to the voltage for switching on the pentode 1 over the second base also increases, which increases the stability of the steps formed in the closed state of the pentode 1.

При открытом состо нии полупроводникового пентода 1 увеличение выход;ного напр жени  на накопительномWhen the semiconductor pentode 1 is open, the output voltage increases;

конденсаторе приводит к возрастанию коллекторного напр жени  пентода 1. Сопротивление открытого канала перва  база - втора  база пентода 1 при этом увеличиваетс , что ведет к уменьшению управл ющего тока канала Стабильность управл ющего тока через переход перва  база - первый эмиттер пентода 1 повышаетс  за счет увеличени  сопротивлени  канала сток-исток второго полевого транзистора 12 в цепи разр да дозирующего конденсатора б. Тем самым повышаетс  стабильность амплитуды формируемых ступенейthe capacitor leads to an increase in the collector voltage of the pentode 1. The open channel resistance of the first base to the second base of the pentode 1 increases, which leads to a decrease in the control current of the channel. The stability of the control current through the transition of the first base to the first emitter of the pentode 1 increases due to an increase in resistance channel drain-source of the second field-effect transistor 12 in the discharge circuit of the metering capacitor b. This increases the stability of the amplitude of the formed steps.

Изменением потенциала на втором эмиттере пентода 1 осуществл етс  регулирование.- длительности, амплитуды и количества ступеней выходного напр жени . Например, с увеличением потенциала на втором эмиттере пентод 1 увеличиваетс  длительность и количество формируемых ступеней и уменьшаетс  их амплитуда.The potential change at the second emitter of the pentode 1 is controlled. The duration, amplitude, and number of output voltage levels. For example, as the potential at the second emitter increases, the pentode 1 increases the duration and number of stages formed and their amplitude decreases.

Claims (1)

1. Авторское свидетельство СССР 475725, кл. И 03 К 4/02, 02.01.74.1. USSR author's certificate 475725, cl. And 03 K 4/02, 02.01.74.
SU813291666A 1981-05-21 1981-05-21 Staircase voltage generator SU995293A2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813291666A SU995293A2 (en) 1981-05-21 1981-05-21 Staircase voltage generator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813291666A SU995293A2 (en) 1981-05-21 1981-05-21 Staircase voltage generator

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU475725 Addition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU995293A2 true SU995293A2 (en) 1983-02-07

Family

ID=20959368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813291666A SU995293A2 (en) 1981-05-21 1981-05-21 Staircase voltage generator

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU995293A2 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0249517B2 (en)
SE8204247D0 (en) REFERENCE VOLTAGE GENERATOR
US3996482A (en) One shot multivibrator circuit
SU995293A2 (en) Staircase voltage generator
ES8303790A1 (en) Input circuit for an integrated monolithic semiconductor memory using field effect transistors.
SU1307542A1 (en) Generator of voltage changing with respect to linear law
SU1034153A1 (en) Multivibrator
SU953710A2 (en) Pulse shaper
SU636801A1 (en) Time-delay device
SU771851A1 (en) Multivibrator
KR840005592A (en) CCD input source pulse generator
SU668069A1 (en) Multivibrator
SU921061A1 (en) Controllable linear-varying voltage
SU662971A1 (en) Dynamic element
SU577644A1 (en) Multivibrator
SU1550601A1 (en) Pulse generator
JPS6155808B2 (en)
SU552675A1 (en) Odnovibrator
SU868978A1 (en) Controllable square-wave generator
SU630663A1 (en) Pulse-selaying device
SU604137A1 (en) Square pulse generator
SU303719A1 (en) FANTASTRON SEMICONDUCTOR GENERATOR
SU1443135A1 (en) Pulser
SU984047A2 (en) Timer
SU752760A1 (en) Pulser