Claims (2)
Изобретение относитс к электротехнике , а более конкретно к элек-; тронике, и может быть применено в устройствах защиты полевых транзисторов . Известно устройство защиты полево го транзистора, содержащее цепь авто матического регулировани тока стока транзистОоа на Операционных усилител х 1 . Недостатками этого устройства вл ютс сложность и низка надежность Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому эффекту вл етс устройство дл защи ты полевого транзистора, соединенног истоком с общей 1ииной, в схеме содержащей первый и второй источники питани , состо щее из первого резистора , параллельно включенных первых стабилитрона и конденсатора, второго резистора, одним выводом подключенного через параллельно включенные вторые стабилитрон и конденсатор к истоку полевого транзистора и к одним соединенным вметете выводам первых стабилитрона и конденсатора С 2. Недостатком известного устройства вл етс низка надежность, так как оно не обеспечивает защиту полевого транзистора от протекани через него токов выше допустимой величины в моменты одновременного включени и отключени источников питани . Цель изобретени - повышение надежности защиты полевого транзистора. Поставленна цель достигаетс тем, что устройство снабжено диодом, причем другие, соединенные вместе, выводы первых стабилитрона и конденсатора подключены к затвору полевого транзистора и к аноду диода, катод которого подключен к одному выводу первого резистора, предназначенного дл подключени другим выводом к первому источнику питани , соединенные вместе выводы вторых резистора, конденсатора и стабилитрона подключены 3 , 98 к стоку полевого транзистора, а другой вывод второго резистора предназначен дл подключени ко второму источнику питани . На чертеже представлена принципиальна схема устройства дл защиты полевого транзистора. Устройство содержит полевой транзистор 1 , затвором подключенный к ано ду диода 2, катод которого через первый резистор 3 подключен к первому источнику k питани . Соединенные параллельно первые стабилитрон 5 и конденсатор 6 одними соединенными вместе . выводами подключены к затвору полевого транзистора 1, а другими - к сое диненным вместе одним виводам парал-. лельно включенных вторых стабилитрона 7 и конденсатора 8 и к истоку полевого транзистора 1. Другие, соединенные вместе, выводы вторых стабилитрона 7 иконденсатора 8 подключены к стоку полевого транзистора 1 и через второй резистор 9 к второму источнику 10 питани ... Устройство работает следующим образом . При одновременном включении первого 4 и второго 10 источников питани первый конденсатор 6 зар жаетс с посто нной времени, меньшей чем посто н на времени, с которой зар жаетс вто рой конденсатор 8, что обеспечиваетс соответствующим выбором параметров в первых резисторе 3 и конденсаторе 6 и вторых резисторе 9 и конденсаторе 8 Благодар более быстрому нарастанию напр жени на затворе полевого транзистора 1, чем нарастание напр же ни н. его стоке, ток стока не превышает расчетной величины. При одновременном выключении перво го 4 и второго 10 источников питани происходит снижение напр жени первого 6 и второго 8 конденсаторов. При этом .разр д первого конденсатора 6 приходит медленнее,чет разр д второго конденсатора 3. Больша посто н . на времени разр да первого конденсато ра б относительно посто нной времени разр да второго конденсатора 8 обеспечиваетс соответствующим выбором величин емкостей этих конденсаторов. а также обратно смещенными переходами диода 2, первого стабилитрона 5 и затвор-истока полевого транзистора 1. Таким образом, обеспечиваетс величина тока истока транзистора в пределах расчетной величины и в моменты отключени источников питани . Применение изобретени позвол ет повысить надежность защиты полевого транзистора от токов, превышающих допустимую величину . Формула изобретени Устройство дл защиты полевого транзистора, соединенного истоком с общей шиной, в схеме содержащей первый и второй источники питани , состо щее из первого резистора, параллельно включенных первых стабилитрона и конденсатора, второго резистора, одним выводом подключенного через параллельно включенные вторые стабилитрон и конденсатор к истоку полевого транзистора и к одним соединенным вместе выводам первых стабилитрона и конденсатора, отличающеес тем, что, с целью повышени надежности , оно снабжено диодом, примем другие, соединенные вместе ,выроды первых стабилитрона и конденсатора подключены к затвору полевого.транзистора и к аноду диода, катод которого подключен к одномувыводу первого резистора, предназначенного дл подключени другим выводом к первому источнику питани , соединенные вместе выводы вторых резистора, конденсатор ра и стабилитрона подключены к стоку полевого транзистора, а другой вывод второго резистора предназначен дл подключени к второму источнику питани . Источники информации, прин тые, во внимание при экспертизе 1.Ardenn .А. the Саге and Feeding of GaAs FETs, Microwave, 1976, V, 19, N 9, p.55. The invention relates to electrical engineering, and more specifically to electrical; tronike, and can be used in protection devices field-effect transistors. A device for protection of a field-effect transistor is known, which contains a circuit for automatically controlling the drain current of a transistor through Operational Amplifiers 1. The disadvantages of this device are complexity and low reliability. The closest to the invention in its technical essence and the achieved effect is a device for protecting a field-effect transistor connected to a common source in a circuit containing the first and second power sources consisting of the first resistor, in parallel included the first Zener diode and the capacitor, the second resistor, one output connected through a parallel-connected second Zener diode and a capacitor to the source of the field-effect transistor and to one connection Inonii vmetete conclusions first zener diode and a capacitor C. 2. The disadvantage of the known device is the low reliability, since it does not provide protection for FET leakage currents therethrough above the permissible value at instants simultaneous incorporation and disconnecting the power source. The purpose of the invention is to increase the reliability of protection of a field effect transistor. The goal is achieved by the fact that the device is equipped with a diode, and the others, connected together, are the leads of the first Zener diode and the capacitor connected to the gate of the field-effect transistor and to the anode of the diode, the cathode of which is connected to one output of the first resistor, which is connected to the other power supply to the first power source connected together the terminals of the second resistor, capacitor and zener diode are connected 3, 98 to the drain of the field-effect transistor, and the other output of the second resistor is designed to be connected to the second source catering room The drawing shows a schematic diagram of a device for protecting a field-effect transistor. The device contains a field-effect transistor 1, a gate connected to the diode 2, the cathode of which through the first resistor 3 is connected to the first power source k. Connected in parallel the first Zener diode 5 and the capacitor 6 alone connected together. the leads are connected to the gate of the field-effect transistor 1, and the others to the terminals connected together by one vivodam paral-. the second Zener diode 7 and the capacitor 8 and to the source of the field-effect transistor 1. Others, connected together, the conclusions of the second Zener diode 7 of the capacitor 8 are connected to the drain of the field-effect transistor 1 and through the second resistor 9 to the second power source 10 ... The device works as follows. When the first 4 and second 10 power sources are simultaneously turned on, the first capacitor 6 is charged with a constant time less than constant at the time with which the second capacitor 8 is charged, which is ensured by an appropriate choice of parameters in the first resistor 3 and capacitor 6 and the second Resistor 9 and capacitor 8 Due to a faster increase in the voltage across the gate of the field-effect transistor 1, than the increase in the voltage below. its drain, the drain current does not exceed the calculated value. When the first 4 and second 10 power sources are simultaneously turned off, the voltage of the first 6 and second 8 capacitors decreases. At the same time. The discharge of the first capacitor 6 comes slower, even the discharge of the second capacitor 3. Mostly constant. At the time of discharge of the first capacitor b relative to the time constant of the discharge of the second capacitor 8, an appropriate choice of capacitance values of these capacitors is provided. as well as the reverse biased transitions of the diode 2, the first Zener diode 5 and the gate-source of the field-effect transistor 1. Thus, the magnitude of the source current of the transistor within the calculated value and at the moments of power supply disconnection is provided. The application of the invention allows to increase the reliability of protection of the field-effect transistor against currents exceeding the permissible value. The invention device for protecting a field-effect transistor connected to a common busbar source in a circuit containing the first and second power sources, consisting of the first resistor, the first Zener diode and the capacitor, the second resistor in parallel, one output connected through the parallel-connected second Zener diode and the capacitor to the source of the field-effect transistor and to one of the first Zener diodes and a capacitor connected together, characterized in that, in order to increase reliability, it is equipped with a diode, Others, connected together, the degenerates of the first Zener diode and the capacitor are connected to the gate of the field transistor and to the anode of the diode, the cathode of which is connected to the single terminal of the first resistor, which is connected to the first power source by the other terminal, connected to the terminals of the second resistor, capacitor ra and the zener diode connected to the drain of the field-effect transistor, and the other terminal of the second resistor is designed to be connected to the second power source. Sources of information taken into account in the examination 1.Ardenn .A. the Saga and Feeding of GaAs FETs, Microwave, 1976, V, 19, N 9, p.55.
2.Bearse S.A. GaAs FETs, Device Designers Solving Reliability; Problems. - Microwaves, 1976 V,15, № 2, p. 32.2.Bearse S.A. GaAs FETs, Device Designers Solving Reliability; Problems. - Microwaves, 1976 V, 15, No. 2, p. 32.