SU978347A1 - Semiconductor switch - Google Patents

Semiconductor switch Download PDF

Info

Publication number
SU978347A1
SU978347A1 SU813307013A SU3307013A SU978347A1 SU 978347 A1 SU978347 A1 SU 978347A1 SU 813307013 A SU813307013 A SU 813307013A SU 3307013 A SU3307013 A SU 3307013A SU 978347 A1 SU978347 A1 SU 978347A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
current transformer
transistor
winding
output
diode
Prior art date
Application number
SU813307013A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Анатолий Владимирович Лукин
Валерий Васильевич Мосин
Сергей Михайлович Ненахов
Юрий Федорович Опадчий
Original Assignee
Московский Ордена Ленина И Ордена Октябрьской Революции Авиационный Институт Им.С.Орджоникидзе
Предприятие П/Я В-8543
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Ордена Ленина И Ордена Октябрьской Революции Авиационный Институт Им.С.Орджоникидзе, Предприятие П/Я В-8543 filed Critical Московский Ордена Ленина И Ордена Октябрьской Революции Авиационный Институт Им.С.Орджоникидзе
Priority to SU813307013A priority Critical patent/SU978347A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU978347A1 publication Critical patent/SU978347A1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

(5) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ключ(5) semiconductor key

1one

Изобретение относитс  к импульсной технике, в частности к устройствам коммутации электрической энергии, и может быть использовано в автоматике вычислительной или преобразователь-; ной технике дл  коммутации активйых, индуктивных или емкостных нагрузок в цеп х посто нного тока.The invention relates to a pulse technique, in particular to devices for switching electrical energy, and can be used in computer automation or converter; technology for switching active, inductive or capacitive loads in direct current circuits.

Известен полупроводниковый ключ, содержащий силовой транзистор, первый токовый трансформатор с выходной и входной обмотками, первый управл ющий транзистор, первый диод, шины питани , причем переход база-эмиттер силового транзистора зашунтирован выходной обмоткой токового трансформатора 1 .A semiconductor switch is known that contains a power transistor, a first current transformer with output and input windings, a first control transistor, a first diode, power lines, and the base-emitter junction of the power transistor is bounded by the output winding of the current transformer 1.

Указанный ключ обладает низким КПД из-за потерь мощности в цеп х.управлени  .The specified key has low efficiency due to power losses in the control circuits.

Известен также полупроводниковый ключ, содержащий силовой транзистор, первый и второй токовый.трансформатор с соответствующими первыми входнымиAlso known is a semiconductor switch containing a power transistor, a first and a second current transformer with corresponding first inputs.

И выходными обмотками, первый управ,-, л ющий транзистор, первый диод, шины питани , причем переход база-эмиттер силового транзистора зашунтирован первой выходной обмоткой первого токового трансформатора, последовательно с переходом коллектор-эмиттер известного транзистора включена перва  входна  обмотка второго токового трансформатора, а оаза и эмиттер пер10 вого управл ющего транзистора подсоединены к входным клеммам Ц .And the output windings, the first control, - the driving transistor, the first diode, the power buses, the base-emitter junction of the power transistor is shunted by the first output winding of the first current transformer, the first input winding of the second current transformer is connected in series with the collector-emitter junction of the known transistor, and the oasis and emitter of the first control transistor are connected to the input terminals C.

Недостатком известного ключа  вл етс  низкое быстродействие, так как при выключении силового транзис15 тора процесс рассасывани  носителей происходит медленнее, чем при пассивном запирании. Кроме того, известный ключ обладает низкой надежностью из-за перенапр жени  на пер20 вой выходной обмотке первого токового трансформатора, которое может привести к выходу из стро  силового транзистора.The disadvantage of the known key is low speed, since when the power transistor is turned off, the process of resorption of carriers is slower than with passive locking. In addition, the known key has low reliability due to overvoltage on the first output winding of the first current transformer, which can lead to the failure of the power transistor.

Цель изобретени  - повышение быстродействи  и надежности. .The purpose of the invention is to increase speed and reliability. .

Поставленна  цель достигаетс  тем что в полупроводниковый ключ, содержащий силовой транзистор, первый и второй токовые трансформаторы с соответствующими первыми входными и выходными обмотками, первый управл ющий транзистор, первый диод, шины питани , причем перзход база-эмиттер силового транзистора зашунтирован первой выходной обмоткой первого токового трансформатора, последовательно с переходом коллектор-эмиттер транзистора включена перва  вход на  обмотка второго токового трансформатора , а база и эмиттер первого управл ющего транзистора подсоединены к входным клеммам, введены второй управл ющий транзистор обратной проводимости по отношению к первому управл ющему транзистору, два диода, две диодно-резисторные цепочки, при этом первый токовый трансформатор снабжен второй входной, пусковой и размагничивающей обмотками а второй токовый трансформатор снабжен второй выходной и размагничивающей обмотками, база второго управл ющего транзистора подключена к базе, а - к эмиттеру первого уг авл ющего транзистора и первой шине источника литани , коллектор первого управл ющего транзистора подключен к первому выводу пусковой обмотки первого токового трансформатора, второй вывод которой через первый диод подключен к второй шине источника питани , а через последовательно включенные первую входную обмотку первого токового трансформатора, второй диод и первую выходную обмотку второго токового трансформатора - к первой шине источника питани  и к одному выводу, второй выходной обмотки второго токового трансформатора, коллектор второго управл ющего транзистора через последовательно соединенные третий диод и вторую входную обмотку первого токового трансформатора св зан с другим выводомThe goal is achieved by the fact that in a semiconductor switch containing a power transistor, the first and second current transformers with the corresponding first input and output windings, the first control transistor, the first diode, the power bus, and the base-emitter of the power transistor is shunted by the first output winding of the first current transformer, in series with the collector-emitter junction of the transistor included the first input to the winding of the second current transformer, and the base and emitter of the first control transformer The transistor is connected to the input terminals, a second reverse-conduction control transistor is inserted with respect to the first control transistor, two diodes, two diode-resistor circuits, the first current transformer is equipped with a second input, start and demagnetizing windings and the second current transformer is equipped with a second output and demagnetizing windings, the base of the second control transistor is connected to the base, and to the emitter of the first coalition transistor and the first bus of the lithium source, the collector of the first The first control transistor is connected to the first output of the starting winding of the first current transformer, the second output of which is connected via the first diode to the second power supply bus, and through the first input winding of the first current transformer, the second diode and the first output winding of the second current transformer to the first the power supply bus and to one output, the second output winding of the second current transformer, the collector of the second control transistor through serially connected e a third diode and a second input winding of the first current transformer coupled to the other terminal

второй выходной обмотки второго TOKosecond output winding of the second TOKo

вого трансформатора, а через последовательно соединенные размагничиваю1цуо обмотку первого токового трансформатора и первую диодно-резисторную цепочку и через последовательно соединенные размагнимиваю1цую обмотКУ второго токового трансформатора и вторую диодно-резисторную цепочкус третьей шиной источника питани .transformer, and through serially connected demagnetizing the winding of the first current transformer and the first diode-resistor chain and through serially connected demagnetizing the winding of the second current transformer and the second diode-resistor chain to the third bus power source.

На чертеже приведена принципиальна  электрическа  схема полупроводникового ключа.The drawing shows the principal circuit diagram of a semiconductor key.

Устройство содержит силовой транзистор 1, переход база-эмиттер которого зашунтирован выходной обмот- кой 2 первого токового трансформатора 3. а последовательно с переходом коллектор-эмиттер данного транзистора включена перва  входна  обмотка k второго токового трансформатора $,The device contains a power transistor 1, the base-emitter junction of which is shunted by the output winding 2 of the first current transformer 3. In series with the collector-emitter junction of this transistor, the first input winding k of the second current transformer $ is turned on

Клеммы 6 и 7 служат дл  подключени  к коммутируемой цепи. Первый управл ющий транзистор 8 базовым и эмиттерным выводами подсоединен к входным клеммам 9 и 10. База второго управл ющего транзистора 11 подключена к базе первого управл ющего транзистора 8, а их. соединенные вместе эмиттеры подсоединены к первой шине 12 источника питани . Коллектор первогоTerminals 6 and 7 are used to connect to the switched circuit. The first control transistor 8 is connected to the base terminals and emitter terminals to the input terminals 9 and 10. The base of the second control transistor 11 is connected to the base of the first control transistor 8, and they are. The emitters connected together are connected to the first power supply bus 12. First collector

управл ющего транзистора 8 подключен к первому выводу пусковой обмотки 13 первого токового трансформатора 3, второй вывод которой через первый диод 14 подключен к второй шине 15 источника питани ,.а через последовательно включенные первую входную обмотку 16 первого токового трансформатора 3, второй диод 17 и первую выходную обмотку 18 второго токового трансформатора 5 подключен к первой шине 12 источника питани . Коллектор второго управл ющего транзистора 11 через последовательно соединенные третий диод 19, вторую входthe control transistor 8 is connected to the first output of the starting winding 13 of the first current transformer 3, the second output of which through the first diode 14 is connected to the second bus 15 of the power supply, and through the first input winding 16 of the first current transformer 3, the second diode 17 and the first The output winding 18 of the second current transformer 5 is connected to the first power supply bus 12. The collector of the second control transistor 11 through the third diode 19 connected in series, the second input

0 ную обмотку 20 первого токового трансформатора 5 св зан с выводом первой выходной обмотки 18, подключенной к первой шине 12 источника питани , а через последовательно соеj диненные размагничивающую обмотку 22 первого токовоготрансформатора 3 и первую диодно-резисторную цепочку 23 подсоединен к третьей шине 2 источника питани . Кроме того, коллектор второго транзистора 11 управлени  через последовательно соединенные размагничивающую обмотку 25 второго токового, трансформатора 5 и вторую диодно-резисторную цепочку 26 подсоединен к третьей шине 2k источника питани .The first winding 20 of the first current transformer 5 is connected with the output of the first output winding 18 connected to the first power supply bus 12, and through serially connected demagnetizing winding 22 of the first current transformer 3 and the first diode-resistor circuit 23 is connected to the third power supply bus 2 . In addition, the collector of the second transistor 11 of the control is connected via a series-connected demagnetizing winding 25 of the second current transformer 5 and the second diode-resistor chain 26 to the third power supply bus 2k.

Claims (2)

1.Авторское свидетельство1. Author's certificate № 630752, кл. Н 03 К 17/60, 1978.No. 630752, cl. H 03 K 17/60, 1978. 2.Авторское свидетельство2. The author's certificate № 50336А. кл. Н 03 К 17/60, 1976 (прототип).No. 50336A. cl. H 03 K 17/60, 1976 (prototype).
SU813307013A 1981-06-29 1981-06-29 Semiconductor switch SU978347A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813307013A SU978347A1 (en) 1981-06-29 1981-06-29 Semiconductor switch

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813307013A SU978347A1 (en) 1981-06-29 1981-06-29 Semiconductor switch

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU978347A1 true SU978347A1 (en) 1982-11-30

Family

ID=20965263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813307013A SU978347A1 (en) 1981-06-29 1981-06-29 Semiconductor switch

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU978347A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ATE77018T1 (en) CONVERTER CIRCUIT WITH A SINGLE-MODE FLYING-BREAK CONVERTER.
US4060758A (en) Power switching circuit having a Darlington connected transistor pair
SU978347A1 (en) Semiconductor switch
DE69400389D1 (en) Control system for an electrical converter
SU853758A1 (en) Two-cycle transistorized inverter
SU413627A1 (en)
SU1601718A1 (en) Device for controlling power transistors of push-pull inverter
SU985774A1 (en) Stabilized rectifier
SU1320889A1 (en) Transistor switch
SU834821A1 (en) Transistorized converter
SU957378A1 (en) Dc to dc voltage converter
SU826534A1 (en) Inverter
SU1188873A1 (en) Method of power transistor switch control
SU845249A1 (en) Semi-bridge inverter
SU1513597A2 (en) Device for controlling power transistor of converter
SU632044A1 (en) Two-cycle transistorized inverter
SU592000A1 (en) Stabilized ac voltage source
SU1439724A1 (en) Control device with short-circuiting protection
SU1136277A1 (en) Secondary power source
SU1117810A1 (en) Adjustable voltage converter
SU1607066A1 (en) Device for controlling double-wound induction motor
SU954991A1 (en) Dc voltage power supply source
SU970694A1 (en) Dc switch
SU1244774A1 (en) Two-step self-excited inverter
SU598202A1 (en) Inverter