SU592000A1

SU592000A1 - Stabilized ac voltage source

Info

Publication number: SU592000A1
Application number: SU762357329A
Authority: SU
Inventors: Марсель Валиевич Мусин; Александр Александрович Попов
Original assignee: Предприятие П/Я А-3791
Priority date: 1976-05-10
Filing date: 1976-05-10
Publication date: 1978-02-05

Description

(54) СТАБИЛИЗИРОВАННЫЙ ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ ПЕРЕМЕННОГО(54) STABILIZED VARIABLE POWER SOURCE

НАПРЯЖЕНИЯVOLTAGE

сформаторе 4, выходна обмотка 5 которого соединена с выводами дл подключени нагрузки , а обмотка 6 обратной св зи, одним выволо/м соединена через резистор 7 с базой транзистс-ра 2, а другим выводом через резистор 8 - с коллектором транзистора 3. Параллельно переходам баз -эмиттер тра. исторов 2, 3 вкючены диоды 9, 10. Устройство содержит также опорный стабилитрон 11, через разв зывающие диоды 12, 13 подключенный к базам транзисторов 2, 3.The transformer 4, the output winding 5 of which is connected to the terminals for connecting the load, and the feedback winding 6, one output / m is connected through a resistor 7 to the base of transistor 2, and to another terminal through a resistor 8 to the collector of transistor 3. Parallel to the transitions bases emitter tra. From sources 2, 3, diodes 9, 10 are turned on. The device also contains a reference zener diode 11, connected to the bases of transistors 2, 3 through decoupling diodes 12, 13.

Стабилизаци выходного напр жени осуществл етс за счет фиксации отрицательных полупериодов напр жени в базовых цеп х транзисторов 2 и 3 с помощью опорного стабилитрона П. Пусковое напр жение смещени при включении преобразовател в первую очередь отпирает транзистор 3, поскольку резистор 7 соединен п-клсдовательно с базой транзистора 2.The output voltage is stabilized by fixing negative voltage half-periods in the base circuits of transistors 2 and 3 using the reference Zener diode P. The starting bias voltage, when the converter is turned on, first unlocks the transistor 3, since the resistor 7 is connected n-respectively to the base transistor 2.

Положительные полупериоды напр жени в базовой цепи транзисторов запирают соответствующий транзистор преобразовател 1. Так как разв зывающие диоды 12 и 13 оказываютс закрытымиво врем положительного полупериода , то ограничение положительного потенциала на базах транзисторов 2, 3 01.- уществл етс диодом 9 или 10. Резлстор 8, включенный между базой и коллектором транзистора 3, служит дл увеличени Кадежности запуска в диапазоне низких температур. Его сопротивление имеет значительную величину и практически не оказывает вли ни на потребление мощности по цепи питани и работу источника. Диоды 9 и 10 ограничивают напр жение обратного смещени на запертом транзисторе величиной пр мого падени напр жени на диоде, составл ющего 0,7-1 В, что позвол ет применить в преобразователе 1 кремниевые транзисторы с малым обратным налрпжение.м база-эмиттер. Применение кремниевых транзисторов, в свою очередь , п 5звол ет расщирить температурный диапазон работы преобразовател , повысить его КПД за счет уменьщени рассеиваемой мощности , что особенно важно в мощных преобразовател х напр жени . Применение одной обмогки 6 обратной св зи, одинаково нагру ::енной в течение обеих половин рабочего цикла, позвол ет избежать ненужных выбросов при переходных процессах, получить симметричный рабочий цикл, поскольку обмотка 6 и резистор 7 соединены последовательно с базой то одного,The positive voltage half-cycles in the base of the transistors lock the corresponding transistor of the converter 1. Since the decoupling diodes 12 and 13 turn out to be closed during the positive half-period, the limiting of the positive potential at the bases of the transistors 2, 3 01.- diode 9 or 10. Rezstor 8 , connected between the base and the collector of the transistor 3, serves to increase the trigger frequency in the low temperature range. Its resistance is significant and has virtually no effect on the power consumption of the power supply and the operation of the source. Diodes 9 and 10 limit the reverse bias voltage across a locked transistor to a direct voltage drop across the diode of 0.7–1 V, which makes it possible to use silicon transistors with a small reverse voltage base – emitter in the converter 1. The use of silicon transistors, in turn, allows us to extend the temperature range of the converter, to increase its efficiency by reducing the power dissipation, which is especially important in high-power voltage converters. The use of one feedback feed 6, equally loaded during both halves of the working cycle, allows to avoid unnecessary emissions during transients, to obtain a symmetric working cycle, since the winding 6 and the resistor 7 are connected in series with the base of one,

го другого транзистора. Рез)1стор 7, ()преде:1 к)щий величину базового гока транз.исторов, по звол ет получить Н1 1сокую надежность запуска преобразовател 1 за счет нспдентнчности базовых токов транзисторов в мо.мент включении преобразовател 1. Наличие одной базовой обмотки в преобразователе снижает мощность, потребл емую базовыми цеп ми транзисторов, а также дает возможность упрост1ггь конструкцию трансформатора.go to another transistor. Res) 1stor 7, () previous: 1 k) the basic value of the base current of the transistors, allows you to get H1 1soe reliability of the start of the inverter 1 due to the identification of the base currents of the transistors in the inverter switching on 1. The presence of one base winding in the converter reduces the power consumed by the base circuits of the transistors, and also makes it possible to simplify the design of the transformer.

В предлагаемой схеме можно применить недорогие кремниевые транзисторы с малым допустимым обратным напр жением база-эмиттер . В случае применени кремниевых транзисторов предлагаема схема имеет значительное преимущество: ток запуска поступает непосредственно в базу транзисторов, в то врем как в прототипе потребовалось бы создание на низкоомном делителе напр жени с.мещени , достаточного дл открывани кре.мниевЫх транзисторов (0,7-1 В).In the proposed scheme, low-cost silicon transistors with a low allowable reverse voltage base-emitter can be used. In the case of silicon transistors, the proposed scheme has a significant advantage: the starting current goes directly to the base of the transistors, while in the prototype, it would be necessary to create a sufficient displacement on the low-resistance voltage divider to open the low-power transistors (0.7-1 AT).

Claims

1. Romashch EM Transistor Transducers in Power Devices, REA, M .., Energie, 1975, p. 10, fig. 1-6.

2. USSR author's certificate № 180642 class. H 02 M 7/515, 1964.

+ 0

- 0