SU972595A1 - Programmable storage device - Google Patents

Programmable storage device Download PDF

Info

Publication number
SU972595A1
SU972595A1 SU813292716A SU3292716A SU972595A1 SU 972595 A1 SU972595 A1 SU 972595A1 SU 813292716 A SU813292716 A SU 813292716A SU 3292716 A SU3292716 A SU 3292716A SU 972595 A1 SU972595 A1 SU 972595A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
inputs
memory
outputs
block
group
Prior art date
Application number
SU813292716A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Николаевич Журавский
Александр Минович Селигей
Original Assignee
Киевское производственное объединение "Электронмаш" им.В.И.Ленина
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Киевское производственное объединение "Электронмаш" им.В.И.Ленина filed Critical Киевское производственное объединение "Электронмаш" им.В.И.Ленина
Priority to SU813292716A priority Critical patent/SU972595A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU972595A1 publication Critical patent/SU972595A1/en

Links

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Description

Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к организации постоянных запоминающих устройств на интегральных микросхемах. _The invention relates to computer technology, and in particular to the organization of read-only memory devices on integrated circuits. _

Известно программируемое постоян- -5 ное запоминающее устройство, содержащее микросхемы программируемой постоянной памяти, одноименные разрядные выходы которых объединены и под- ... ключены к выходным шинам£1].Known programmable constant - 5 Noe memory device comprising programmable non-volatile memory chip, the same name bit outputs of which are combined and the sub key K ... output busbars £ 1].

Недостаткам указанного устройства является невозможность' использования микросхем с дефектными битами на основе поразрядного обратного кодирования . 15The disadvantages of this device is the impossibility of using chips with defective bits based on bitwise reverse coding. fifteen

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является постоянное запоминающее устройство содержащее микросхемы постоянной памяти и дешифратор, выходы которого 2Ь соединены со входом выбора микросхемы^].The closest in technical essence to the proposed one is a read-only memory device containing read-only memory chips and a decoder, the outputs of which 2b are connected to the input of the choice of the chip ^].

Недостатком указанного устройства является невозможность использования ’ метода поразрядного обратного кодирования с целью уменьшения количества прожигаемых перемычек или использовать микросхемы- с дефектными битами.The disadvantage of this device is the inability to use the ’method of bitwise reverse coding in order to reduce the number of jumpers jumped through or to use microcircuits with defective bits.

Целью изобретения является повыше-1 ние надежности за счет обеспечения возможности использования метода поразрядного обратного кодирования при построении запоминающего устройства, что уменьшит количество пережигаемых перемычек и уменьшит вероятность и:: восстановления.An increase of the invention is one of reliability by allowing the use of inverse coding bitwise when constructing the storage device, reducing the amount of fusible webs and reduce the probability of recovery and ::.

Указанная цель достигается тем,что программируемое постоянное запоминающее устройство, содержащее модули памяти, адресные входы которых соединены со входами дешифратора и являются входами устройства, выходы дешифратора соединены с входами выборки соответствующего модуля памяти, дополнительно содержит блок формирователей четности, входы первой группы.которого соединены с информационными входами модулей памяти, входы второй группы - с дополнительными выходами модулей памяти, а выходы блока формирователей четности являются выходами устройства.This goal is achieved by the fact that a programmable read-only memory device containing memory modules, the address inputs of which are connected to the inputs of the decoder and are the inputs of the device, the outputs of the decoder are connected to the sample inputs of the corresponding memory module, additionally contains a block of parity generators, the inputs of the first group. information inputs of memory modules, inputs of the second group with additional outputs of memory modules, and the outputs of the parity block are outputs stroystva.

На чертеже представлена блок-схема предлагаемого программируемого постоянного запоминающего устройства.The drawing shows a block diagram of the proposed programmable read-only memory device.

Программируемое постоянное запоминающее устройство содержит модули памяти 1, адресные входа которых соединены с адресными входами 2, являющимися входами устройства, и со входами дешифратора 3, выходы которого соединены со входами выборки соответствующего модуля памяти 1, блок 4 формирователей четности, вхо- 5 ды первой группы которого соединены с информационными выходами модулей памяти, а входы второй группы - с выходами дополнительного разряда модулей памяти. 10The programmable read-only memory device contains memory modules 1, the address inputs of which are connected to address inputs 2, which are the inputs of the device, and to the inputs of the decoder 3, the outputs of which are connected to the sample inputs of the corresponding memory module 1, block 4 parity generators, inputs of the first group which are connected to the information outputs of the memory modules, and the inputs of the second group - with the outputs of the additional discharge of memory modules. 10

Программируемое постоянное запоминающее устройство работает следующим образом.Programmable read-only memory device operates as follows.

При поступлении на кодовые шины адреса 2 кода выбирается соответствующий модуль памяти 1 и из него считывается информация, поступающая на первую группу входов блока 4 формирователей четности. Одновременно по дополнительному разряду считывается „ 0 или 1 в зависимости от кода, в котором записано слово в информационных разрядах по выбранному адресу: прямом или обратном.Upon receipt of the code address 2 on the code buses, the corresponding memory module 1 is selected and information arriving at the first group of inputs of the parity former block 4 is read from it. At the same time, an additional digit reads “0 or 1, depending on the code in which the word is written in the information bits at the selected address: direct or reverse.

В,блоке 4 формирователей четности происходит восстановление истинной информаций. Это позволяет информацию в словах-с преобладающим количеством! .записывать'в обратном коде и тем самым сокращать число пережигаемых перемычек при программирова- 30 'ний. Поскольку перемычки имеют определенную вероятность восстановления после программирования, то уменьшая количество пережженых. перемычек можно повысить надежность р.цботы программируемого постоянного запоминающего устройства. В этом заключается технико-экономическое преимущество предлагаемого Технического решения.In block 4 of the parity generators, true information is restored. This allows information in words — with a predominant amount! .write 'in reverse code and thereby reduce the number of jumped jumpers during programming 30'. Since jumpers have a certain probability of recovery after programming, then reducing the number of burned ones. jumpers can improve the reliability of the work of the programmable read-only memory device. This is the technical and economic advantage of the proposed technical solution.

Claims (2)

Изобретение относитс  к вычислительной технике, а именно к организации посто нных запоминающих устройств на интегральных микросхемах. Известно программируемое посто нное запоминающее устройство, содержащее микросхемы программируемой посто нной пам ти, одноименные разр дные ВЫХО.ЦЫ которых объединены и подключены к выходным шинам 1 . Недостатком указанного устройства  вл етс  невозможность использова ни  микросхем с дефектными битами на основе поразр дного обратного код ровани  . Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому  вл етс  посто нное запоминающее устройство содержащее микросхемы посто нной пам ти и дешифратор, выходы которого соединены со входом выбора микросхемы 2. Недостатком указанного устройства  вл етс  невозможность использовани  I метода поразр дного обратного кодиро вани  с целью уменьшени  коли ества прожигаемых перемычек использовать ми1сросхемы- с дефектными битами. Целью изобретени   вл етс  повышение надежности за счет обеспечени  возможности использовани  метода поразр дного обратного кодировани  при построении запоминающего устройства , что уменьшит количество пережигаемых перемычек и уменьшит веро тность и:: восстановлени . Указанна  цель достигаетс  тем,что программируемое посто нное запоминающее устройство, содержащее модули пам ти, адресные входы которых соединены со входами дешифратора и  вл ютс  входами устройства, выходы дешифратора соединены с входами выборки соответствующего модул  пам ти, дополнительно содержит блок формирователей четности, входы первой группы.которого соединены с информационными входами модулей пам ти, входы второй группы - с дополнительными выходами модулей пам ти, а выходы блока формирователей четности  вл ютс  выходами устройства. На чертеже представлена блок-схема предлагаемого программируемого посто нного запоминающего устройства. Программируемое посто нное запоминающее устройство содержит модули пам ти 1, адресные входы которых соединены с aflpecHFJMH входами 2,  вл ющимис  входами устройства, и со входами дешифратора 3, выходы которого соединены со входами выборки соответствующего модул  пам ти 1, блок 4 формирователей четности, вхо , ды первой группы которого соединены с информационными выходами модулей пам ти, а входы второй группы - с выходами дополнительного разр да мо дулей пам ти. Программируемое посто нное запом. нающее устройство работает следующим образом. При поступлении на кодовые шины адреса 2 кода выбираетс  соответствующий модуль пам ти 1 и из него считываетс  информаци , поступающа  на первую группу входов блока 4 фор мирователей четностм. Одновременно дополнительному разр ду считываетс  О или 1 в зависимости от кода, котором записано слово в информационных разр дах по выбранному адресу: пр мом или обратнс . В,блоке 4 формирователей четност ПРОИСХОДИТ; вбсстааовление истинной информации. Это позвол ет информацию в словах-д пр еобладающим количеством .Ч записывать в обратном код и тем самым сокращать числс пережигаемых перемычек при программировании . Поскольку перамычки имеют определенную веро тность восстановлен после программировани , то уменьша  количество пережженых, перемыч можно повысить надежЕЮсть рс,боты программируемого посто нного запоминающего устройства. В этом заключаетс  технико-экономическое преимущество предлагаемого технического решени . Формула изобретени  Программируемое посто нное запоминающее устройство, содержащее модули пам ти, адресные входы которых соединены ей входами дешифратора и  вл ютс  входами устройства, выходы дешифратора соединены с входами выбор ки соответствующего модул  пам ти, отличающее с  тем, что, с целью повышени  надежности, оно содержит блок формирователей четности , входы первой группы которого соединены с информационными выходами модулей пам ти, входы второй группы - с дополнительными выходами модулей пам ти, а выходы блока формирователей четности  вл ютс - выходами устройства. Источники инфор ации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Валиев К.А., Орликовский А.А. Полупроводниковые схемы пам ти на бипол рных транзисторных структурах. М., Советское радио, 1979, с.253254 . The invention relates to computing, in particular to the organization of permanent memory devices on integrated circuits. A known programmable read-only memory, containing programmable read-only memory chips, of the same name of the DISCHARGES of which are combined and connected to the output buses 1. The disadvantage of this device is the inability to use chips with defective bits based on bitwise inverse coding. The closest in technical essence to the present invention is a permanent storage device containing fixed memory chips and a decoder, the outputs of which are connected to the input of chip select 2. The disadvantage of this device is the inability to use the I method of bitwise reverse coding to reduce the number burned jumpers use microschemes with defective bits. The aim of the invention is to increase reliability by allowing the use of a bitwise reverse coding method in the construction of a storage device, which will reduce the number of burned-out jumpers and reduce the probability and :: recovery. This goal is achieved by the fact that a programmable read-only memory containing memory modules whose address inputs are connected to the decoder inputs and are device inputs, the decoder outputs are connected to the sample inputs of the corresponding memory module, additionally contains a block of parity generators, the inputs of the first group Which are connected to the information inputs of the memory modules, the inputs of the second group are with the additional outputs of the memory modules, and the outputs of the block of parity drivers are the output of the apparatus. The drawing shows a block diagram of the proposed programmable read-only memory. The programmable read-only memory contains memory modules 1, whose address inputs are connected to aflpecHFJMH inputs 2, which are device inputs, and to the inputs of the decoder 3, whose outputs are connected to the sample inputs of the corresponding memory module 1, block 4 of parity drivers, The first group of sensors are connected to the information outputs of the memory modules, and the inputs of the second group are connected to the outputs of the additional discharge of the memory modules. Programmable constant zap. The device operates as follows. When a code arrives at the code bus of address 2, the corresponding memory module 1 is selected and the information arriving at the first group of inputs of the parity block 4 is read from it. At the same time, an additional bit is read O or 1, depending on the code with which the word is written in the data bits at the selected address: forward or reverse. In, block 4, parity drivers FORMAT; Insertion of true information. This allows the information in words-d with the prevailing amount of .H to write the code back into it and thereby reduce the number of bursts being burned during programming. Since the blocks have a certain probability of being restored after programming, by reducing the number of burned out jumpers, you can increase the reliability of pc, bots of a programmable read-only memory. This is the technical and economic advantage of the proposed technical solution. The invention Programmable read-only memory containing memory modules whose address inputs are connected to it by the decoder inputs and are device inputs, the outputs of the decoder are connected to the sample inputs of the corresponding memory module, so that, in order to increase reliability, it contains a block of parity drivers, the inputs of the first group of which are connected to the information outputs of the memory modules, the inputs of the second group - with the additional outputs of the memory modules, and the outputs of the block formation s are parity - device outputs. Sources of information taken into account during the examination 1.Valiev KA, Orlikovsky A.A. Semiconductor memory circuits on bipolar transistor structures. M., Soviet Radio, 1979, p. 253254. 2.Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. М., советское радио, 1976, вып. 1, с.50-58, рис.2 (прототип ) . 2. Microelectronics and semiconductor devices. Moscow, Soviet Radio, 1976, no. 1, p.50-58, Fig.2 (prototype).
SU813292716A 1981-05-19 1981-05-19 Programmable storage device SU972595A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813292716A SU972595A1 (en) 1981-05-19 1981-05-19 Programmable storage device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813292716A SU972595A1 (en) 1981-05-19 1981-05-19 Programmable storage device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU972595A1 true SU972595A1 (en) 1982-11-07

Family

ID=20959760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813292716A SU972595A1 (en) 1981-05-19 1981-05-19 Programmable storage device

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU972595A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100488822B1 (en) Error correcting memory
US4472805A (en) Memory system with error storage
TW355843B (en) Semiconductor memory device
KR960032496A (en) Erasure Verification Circuit of Nonvolatile Semiconductor Memory with Column Redundancy
KR930018594A (en) Semiconductor memory
JPS61267846A (en) Integrated circuit device with memory
FR2688328B1 (en) ROW REDUNDANCY CIRCUIT FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR REPAIRING OR REPLACING A DEFECTIVE CELL OF A MEMORY CELL ARRAY.
KR860002874A (en) Semiconductor memory device
KR930020678A (en) Semiconductor memory
KR950015399A (en) Semiconductor memory device for input and output of bit unit data
KR900005469A (en) Serial I / O Semiconductor Memory
KR880000960A (en) Semiconductor memory
KR880000966A (en) Semiconductor memory devices capable of selective operation of memory cell blocks
US5301292A (en) Page mode comparator decode logic for variable size DRAM types and different interleave options
KR970071831A (en) 3 memory semiconductor memory system
EP0200198A2 (en) An arrangement for expanding memory capacity
SU972595A1 (en) Programmable storage device
KR20200049564A (en) Apparatus and method to access a memory location
KR970051327A (en) Nonvolatile memory having attribute data area and data storage area for storing attribute data of data storage area
JPH043394A (en) Semiconductor non-volatile storage device
SU999111A1 (en) Programmable fixed storage
KR910006998A (en) Semiconductor memory
TW377441B (en) Semiconductor memory device having improved row redundancy scheme and method for curing defective cell
JPS623520B2 (en)
KR890001084A (en) Boundary-Semiconductor Memory Devices with Multiple Slide Access Memory