SU972595A1 - Programmable storage device - Google Patents
Programmable storage device Download PDFInfo
- Publication number
- SU972595A1 SU972595A1 SU813292716A SU3292716A SU972595A1 SU 972595 A1 SU972595 A1 SU 972595A1 SU 813292716 A SU813292716 A SU 813292716A SU 3292716 A SU3292716 A SU 3292716A SU 972595 A1 SU972595 A1 SU 972595A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- inputs
- memory
- outputs
- block
- group
- Prior art date
Links
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Description
Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к организации постоянных запоминающих устройств на интегральных микросхемах. _The invention relates to computer technology, and in particular to the organization of read-only memory devices on integrated circuits. _
Известно программируемое постоян- -5 ное запоминающее устройство, содержащее микросхемы программируемой постоянной памяти, одноименные разрядные выходы которых объединены и под- ... ключены к выходным шинам£1].Known programmable constant - 5 Noe memory device comprising programmable non-volatile memory chip, the same name bit outputs of which are combined and the sub key K ... output busbars £ 1].
Недостаткам указанного устройства является невозможность' использования микросхем с дефектными битами на основе поразрядного обратного кодирования . 15The disadvantages of this device is the impossibility of using chips with defective bits based on bitwise reverse coding. fifteen
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является постоянное запоминающее устройство содержащее микросхемы постоянной памяти и дешифратор, выходы которого 2Ь соединены со входом выбора микросхемы^].The closest in technical essence to the proposed one is a read-only memory device containing read-only memory chips and a decoder, the outputs of which 2b are connected to the input of the choice of the chip ^].
Недостатком указанного устройства является невозможность использования ’ метода поразрядного обратного кодирования с целью уменьшения количества прожигаемых перемычек или использовать микросхемы- с дефектными битами.The disadvantage of this device is the inability to use the ’method of bitwise reverse coding in order to reduce the number of jumpers jumped through or to use microcircuits with defective bits.
Целью изобретения является повыше-1 ние надежности за счет обеспечения возможности использования метода поразрядного обратного кодирования при построении запоминающего устройства, что уменьшит количество пережигаемых перемычек и уменьшит вероятность и:: восстановления.An increase of the invention is one of reliability by allowing the use of inverse coding bitwise when constructing the storage device, reducing the amount of fusible webs and reduce the probability of recovery and ::.
Указанная цель достигается тем,что программируемое постоянное запоминающее устройство, содержащее модули памяти, адресные входы которых соединены со входами дешифратора и являются входами устройства, выходы дешифратора соединены с входами выборки соответствующего модуля памяти, дополнительно содержит блок формирователей четности, входы первой группы.которого соединены с информационными входами модулей памяти, входы второй группы - с дополнительными выходами модулей памяти, а выходы блока формирователей четности являются выходами устройства.This goal is achieved by the fact that a programmable read-only memory device containing memory modules, the address inputs of which are connected to the inputs of the decoder and are the inputs of the device, the outputs of the decoder are connected to the sample inputs of the corresponding memory module, additionally contains a block of parity generators, the inputs of the first group. information inputs of memory modules, inputs of the second group with additional outputs of memory modules, and the outputs of the parity block are outputs stroystva.
На чертеже представлена блок-схема предлагаемого программируемого постоянного запоминающего устройства.The drawing shows a block diagram of the proposed programmable read-only memory device.
Программируемое постоянное запоминающее устройство содержит модули памяти 1, адресные входа которых соединены с адресными входами 2, являющимися входами устройства, и со входами дешифратора 3, выходы которого соединены со входами выборки соответствующего модуля памяти 1, блок 4 формирователей четности, вхо- 5 ды первой группы которого соединены с информационными выходами модулей памяти, а входы второй группы - с выходами дополнительного разряда модулей памяти. 10The programmable read-only memory device contains memory modules 1, the address inputs of which are connected to address inputs 2, which are the inputs of the device, and to the inputs of the decoder 3, the outputs of which are connected to the sample inputs of the corresponding memory module 1, block 4 parity generators, inputs of the first group which are connected to the information outputs of the memory modules, and the inputs of the second group - with the outputs of the additional discharge of memory modules. 10
Программируемое постоянное запоминающее устройство работает следующим образом.Programmable read-only memory device operates as follows.
При поступлении на кодовые шины адреса 2 кода выбирается соответствующий модуль памяти 1 и из него считывается информация, поступающая на первую группу входов блока 4 формирователей четности. Одновременно по дополнительному разряду считывается „ 0 или 1 в зависимости от кода, в котором записано слово в информационных разрядах по выбранному адресу: прямом или обратном.Upon receipt of the code address 2 on the code buses, the corresponding memory module 1 is selected and information arriving at the first group of inputs of the parity former block 4 is read from it. At the same time, an additional digit reads “0 or 1, depending on the code in which the word is written in the information bits at the selected address: direct or reverse.
В,блоке 4 формирователей четности происходит восстановление истинной информаций. Это позволяет информацию в словах-с преобладающим количеством! .записывать'в обратном коде и тем самым сокращать число пережигаемых перемычек при программирова- 30 'ний. Поскольку перемычки имеют определенную вероятность восстановления после программирования, то уменьшая количество пережженых. перемычек можно повысить надежность р.цботы программируемого постоянного запоминающего устройства. В этом заключается технико-экономическое преимущество предлагаемого Технического решения.In block 4 of the parity generators, true information is restored. This allows information in words — with a predominant amount! .write 'in reverse code and thereby reduce the number of jumped jumpers during programming 30'. Since jumpers have a certain probability of recovery after programming, then reducing the number of burned ones. jumpers can improve the reliability of the work of the programmable read-only memory device. This is the technical and economic advantage of the proposed technical solution.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813292716A SU972595A1 (en) | 1981-05-19 | 1981-05-19 | Programmable storage device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813292716A SU972595A1 (en) | 1981-05-19 | 1981-05-19 | Programmable storage device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU972595A1 true SU972595A1 (en) | 1982-11-07 |
Family
ID=20959760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU813292716A SU972595A1 (en) | 1981-05-19 | 1981-05-19 | Programmable storage device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU972595A1 (en) |
-
1981
- 1981-05-19 SU SU813292716A patent/SU972595A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100488822B1 (en) | Error correcting memory | |
US4472805A (en) | Memory system with error storage | |
TW355843B (en) | Semiconductor memory device | |
KR960032496A (en) | Erasure Verification Circuit of Nonvolatile Semiconductor Memory with Column Redundancy | |
KR930018594A (en) | Semiconductor memory | |
JPS61267846A (en) | Integrated circuit device with memory | |
FR2688328B1 (en) | ROW REDUNDANCY CIRCUIT FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR REPAIRING OR REPLACING A DEFECTIVE CELL OF A MEMORY CELL ARRAY. | |
KR860002874A (en) | Semiconductor memory device | |
KR930020678A (en) | Semiconductor memory | |
KR950015399A (en) | Semiconductor memory device for input and output of bit unit data | |
KR900005469A (en) | Serial I / O Semiconductor Memory | |
KR880000960A (en) | Semiconductor memory | |
KR880000966A (en) | Semiconductor memory devices capable of selective operation of memory cell blocks | |
US5301292A (en) | Page mode comparator decode logic for variable size DRAM types and different interleave options | |
KR970071831A (en) | 3 memory semiconductor memory system | |
EP0200198A2 (en) | An arrangement for expanding memory capacity | |
SU972595A1 (en) | Programmable storage device | |
KR20200049564A (en) | Apparatus and method to access a memory location | |
KR970051327A (en) | Nonvolatile memory having attribute data area and data storage area for storing attribute data of data storage area | |
JPH043394A (en) | Semiconductor non-volatile storage device | |
SU999111A1 (en) | Programmable fixed storage | |
KR910006998A (en) | Semiconductor memory | |
TW377441B (en) | Semiconductor memory device having improved row redundancy scheme and method for curing defective cell | |
JPS623520B2 (en) | ||
KR890001084A (en) | Boundary-Semiconductor Memory Devices with Multiple Slide Access Memory |