Claims (2)
Изобретение относитс к радиотехнике и может использоват.ьс дл коммутации СВЧ мощности в различных приемо-передающих устройствах. Известен сверхвысокочастотный выключатель , содержащий управл емый полупроводниковый диод, установленный в микрополосковой линии- передачи с металлизированным основанием, причем коммутируемый отрезок линии с диодом вып9лнен в виде щели в металлизированном основании, а диод подключен к кра м щели с помощью токопровод щей перемычки f1J, Однако данный сверхвысокочастотный выключатель имеет низкий уровень коммутируемой им мощности. Целью изобретени вл етс повышение рабочего уровн мощности. Поставленна цель достигаетс тем, что в сверхвысокочастотном (СВЧ) выключателе , содержащем микрополосковую линию в металлизированном основании которой прорезана щель, перпендикул р на оси линии, а полупроводниковый диод соединен с краем щели через токопровод щую перемычку, параллельно кра м щели введены дополнительные токопровод щие проводники, между торцами токопровод щих проводников и торцами щели установлены дополнительные диоды, а токопровод ща перемычка замыкает проводник в его средней точке на край щели через реактивный элемент. Причем щель выполнена в виде лучевых разветвлений, оси которых пересекают ось микрополосковой линии в точке возбуждени щели. На фиг. 1 представлен СВЧ выключатель; на фиг. 2 и 3 - варианты его выполнени . Сверхвысокочастотный выключатель содержит диэлектрическую подложку 1, на одной стороне котдрой находитс полосковый проводник 2, а друга сторона металлизирована 3. В металлизированном основании прорезана щель , параллельно кра м которой ра положен дополнительный токопровод щйй проводник 5. Два полупроводниковых диода 6 включены торцами щели и торцами токопровод щего проводника 5. Токопровод ща перемычка располагаема в средней части провод ника 5 соедин ет его с краем щели через реактивный элемент 8. На одной стороне с полосковым проводником 2 на подложке размещены элементы подачи управл ющего напр жени . Предлагае « ое устройство (фиг. 2 и 3 ) позвол ет включить несколько полупроводниковых диодов (больше дву в микрополосковую линию. Цель выполнена в виде нескольких лучевых pa3Be влений 9, оси которых пересекают ось микрополосковой линии в точке возбуж дени щели 10. Дл работы микрополоскового выключател по пр мой схеме реактивный элемент выполнен в виде конденсатора при этом, име в виду эквивалентную эл ктрическую схему полупроводниково то , щель имеет длину, близкую к шжовине средней длины волны в щели Л. При работе по инверсной схеме каждый реактивный элемент .выполнен в виде индуктивности, а длина щели находитс .в пределах . Реактивные элементы могут быть вклю .чены как между токопровод щей перемычкой и краем щели, так и в разрыве полоскового проводника микрополосковой линии. Сверхвысокочастотный выключатель работает следующим образом. В разрыв металлизированного основани микрополосковой линии включен резонансный контур, образованный щелью , дополнительным токопровод щим проводником 5, двум полупроводниковыми диодами 6, токопровод щей перемычкой 7 и реактивным элементом 8. Если на диоды подано пр мое смеще ние, то при длине короткозамкнутого щелевого резонатора, равной примерно половине средней длины волны, в 1целевой линии, образованнойiщелью k в металлизированном основании, обеспечиваетс резонанс параллельного типа, и входное сопротивление в разры ве проводника микрополосковой линии стремитс к бесконечно большой величине . . В режиме, когда на диоды подано обратное смещение, обеспечиваетс последовательный резонанс с сопротивлением , близким к нулю, что обеспечивает прохождение СВЧ сигнала на выход сверхвысокочастотного выключател . В случае инверсной схемы включени , диода при пр мом смещении обеспечиваетс прохождение СВЧ сигнала по микрополосковой линии, а при обратном смещении - запирание СВЧ сигнала. Предлагаемый сверхвысокомастотный выключатель позвол ет включить большое количество диодов и резко повысить допустимую мощность без ухудшени других параметров. При этом .выполнение лучевых разветвлений щели позвол ет реализовать включение большого числа доидов при малой осевой прот женности токопровод щего проводника , расположенного параллельно кра м щели. Внедрение указанной конструкции выключател значительно расшир ет динамический диапазон использовани сверхвысокочастотных микрополосковых выключателей в приемо-передающих трактах . Формула изобретени 1.Сверхвысокочастотный выключатель , содержащий отрезок микрополосковой линии с металлизированным основанием , в котором перпендикул рно оси линии прорезана щель, и полупроводниковый- диод, соединенный через токопровод щую перемычку с краем щели , отли чающи и с тем, что, с целью повышени рабочего уровн мощности, параллельно кра м щели дополнительно введены токопровод щие проводники, между торцами щели и торцами токопровод щих проводников установлены полупроводниковые диоды, а дополнительна токопровод ща перемычка замыкает токопровод щие проводники в средней точке на край щели через введенный реактивный элемент. The invention relates to radio engineering and can be used for switching microwave power in various receiving-transmitting devices. A microwave switch is known that contains a controlled semiconductor diode installed in a microstrip line — a transmission with a metallized base, the commuted segment of the line with the diode being discharged as a slit in the metallized base, and the diode connected to the edges of the slot by means of a conductive jumper f1J. microwave switch has a low level of switching their power. The aim of the invention is to increase the operating power level. This goal is achieved by the fact that in a microwave switch that contains a microstrip line in the metallized base of which a slit is cut, perpendicular to the axis of the line, and the semiconductor diode is connected to the edge of the slit through a conductive jumper, parallel to the edge of the slit additional conductive conductors , between the ends of the conductive conductors and the ends of the slot, additional diodes are installed, and the conductive jumper closes the conductor at its midpoint to the edge of the slot through the reactive th element. Moreover, the slit is made in the form of ray branches, the axes of which intersect the axis of the microstrip line at the point of excitation of the slit. FIG. 1 shows a microwave switch; in fig. 2 and 3 - variants of its implementation. The microwave switch contains a dielectric substrate 1, on one side there is a strip conductor 2, and the other side is metallized 3. A slot is cut in the metallized base, an additional conductor 5 is placed parallel to the edges of which. Two semiconductor diodes 6 are connected by slot ends and current ends conductor 5. A conductive jumper located in the middle part of the conductor 5 connects it to the edge of the slit through the reactive element 8. On one side with a strip The conductor 2 on the substrate contains the control voltage supply elements. The proposed device (Figs. 2 and 3) allows switching on several semiconductor diodes (more than two in the microstrip line. The target is made in the form of several radiation pa3Be phenomena 9, the axes of which intersect the axis of the microstrip line at the excitation point of the slot 10. For microstrip operation the switch according to the direct circuit, the reactive element is designed as a capacitor, having in mind the equivalent electric circuit of the semiconductor, the gap has a length close to the average wavelength in the slot L. In the inverse circuit, each the reactive element is made in the form of an inductance, and the length of the slit is within the limits. The reactive elements can be switched between both the conductive jumper and the edge of the slit, and in the break of the microstrip line strip conductor. The superhigh-frequency breaker works as follows. the base of the microstrip line includes a resonant circuit formed by a slot, an additional conductive conductor 5, two semiconductor diodes 6, a conductive jumper 7 and a reactive diode element 8. If a direct bias is applied to the diodes, then if the length of the short-circuited slot resonator is equal to about half the average wavelength, the 1 target line formed by the slit k in the metallized base provides a parallel-type resonance and input resistance in the conductor gap of the microstrip line tends to an infinitely large value. . In the mode when reverse bias is applied to the diodes, a series resonance with a resistance close to zero is provided, which ensures the passage of the microwave signal to the output of the microwave switch. In the case of an inverse switching circuit, a diode with a forward bias ensures the passage of the microwave signal through a microstrip line, and with a reverse bias - locking the microwave signal. The proposed super high frequency switch allows switching on a large number of diodes and dramatically increasing the allowable power without degrading other parameters. In this case, the execution of the ray branching of the slot allows one to include a large number of doids with a small axial extension of the conductive conductor located parallel to the edges of the slot. The implementation of this switch design greatly expands the dynamic range of using microwave microstrip switches in the receiving-transmitting paths. Invention 1. A superhigh-frequency breaker containing a microstrip line with a metallic base, in which a slit is perpendicular to the axis of the line, and a semiconductor diode connected to the edge of the slit through a conductive jumper, so that power conductors, conductive conductors are additionally inserted parallel to the edge of the slit, semiconductor diodes are installed between the ends of the slit and the ends of conductive conductors, and additional conductors are installed The bridge closes the conducting conductors at the midpoint to the edge of the gap through the inserted reactive element.
2.Выключатель по п. 1, о т л и чающийс тем, что щель выполнена в виде лучевых разветвлений, оси которых пересекают ось микрополосковой линии в точке возбуждени щели. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № 633099, кл. И 01 Р 1/10, 1976 (прототип).2. The switch according to claim 1, wherein the slit is made in the form of ray branches, the axes of which intersect the axis of the microstrip line at the point of excitation of the slit. Sources of information taken into account during the examination 1. USSR Author's Certificate No. 633099, cl. And 01 P 1/10, 1976 (prototype).
Фиг. 1FIG. one