Изобретение относитс к радиотех нике и может быть использовано в лини х передачи дл коммутации проход щрй СВЧ-мощности. Цель изобретени - увеличение за тухани в режиме запирани сигнала и упрощение конструкции СВЧ-выключа тел . На чертеже представлена схема СВЧ-выключател . СБЧ-выключатель содержит диэлектрическую подложку 1, на одной стороне которой расположен микрополоск вый проводник 2, а на другой металлизированной стороне - щелева лини 3, замкнута сама на себ и электро магнитно св занна с микрополосковы проводником 2 двум област ми 4 и 5 св зи, при этом в области св зи 4 п перек щели расположен полупроводниковьш диод 6. Длины отрезков Е елевой линии 3 между област ми св зи 4 и 5 равны половине рабочей длины волны в щелевой линии 3, а рассто ние между област ми св зи 4 и 5 вдоль микрополоскового проводника 2 много меньше длины волны в микрополосковом проводнике 2. СВЧ -выключатель работает следующим образом. При подаче на полупроводниковый диод 6 напр жени пр мого смещени щелева лини 3 в области св зи 4 оказываетс закороченной. Малое сопротивление полупроводникового диода 6 через половину длины волны в щелевой линии 3, счита от места включени полупроводникового диода 6, трансформируетс в столь же малое входное сопротивление в области св зи 5. Оба указанных малых сопротивлени последовательно соединены между собой и, таким образом, в обеих област х св зи 4 и 5 СВЧ продольньш ток не имеет разрывов и затухание СБЧ-выключател минимально. При подаче на полупроводниковый диод 6 напр жени обратного или нулевого смещени , замкнута на себ щелева лини 3 в каждой из двух областей св зи 4 и 5 представл ет собой по отношению к микрополосковому проводнику 2 высокое входное сопротивление , что обеспечивает значительную величину затухани СВЧ-выключател в режиме запирани . Сокращение числа используемых навесных элементов и уменьшение па ных соединений позвол ет упростить конструкцию СВЧ-выключател . Формула бра тени СВЧ-выключатель, содержащий диэлектрическую подложку, на одной стороне которой расположен микрополосковый проводник, а на другой металлизированной стороне - щелева лини , замкнута сама на себ и электромагнитно св занна с микрополосковым проводником двум област ми св зи, в одну из которых поперек щели включен полу)7роводниковый диод, отличающийс тем, что, с целью увеличени затухани в режиме запирани сигнала и упрощени конструкции , длины отрезков щелевой между област ми св зи равны половине рабочей длины вол11ы в щелевой линии, а рассто ние между област ми св зи вдоль микрополоскового проводника много меньше длины волны в микрополосковом проводнике.The invention relates to radio engineering and can be used in transmission lines for switching the passage of microwave microwave power. The purpose of the invention is to increase the signal loss in the mode of locking the signal and simplify the design of the microwave-switching off of the bodies. The drawing shows a diagram of the microwave switch. The SBCh switch contains a dielectric substrate 1, on one side of which microprobe conductor 2 is located, and on the other metallized side, slot 3, is closed to itself and electromagnetically coupled to microstrip conductor 2 by two communication regions 4 and 5 In this case, in the communication region 4p, a semiconductor diode 6 is located at the crossing gap. The lengths of the segments E of the spacing line 3 between the communication areas 4 and 5 are equal to half the working wavelength in the slit line 3, and the distance between the communication areas 4 and 5 along microstrip conductor 2 is much smaller than the wavelength in the microstrip conductor 2. microwave -vyklyuchatel operates as follows. When a direct bias voltage is applied to the semiconductor diode 6, the slit line 3 in the communication area 4 is shorted. The low resistance of the semiconductor diode 6 through half the wavelength in the slit line 3, counting from the switching point of the semiconductor diode 6, transforms into an equally small input resistance in the communication region 5. Both of these small resistances are connected in series with each other and, thus, in both The communication areas 4 and 5 of the microwave longitudinal current have no discontinuities and the attenuation of the SLC-switch is minimal. When a reverse or zero bias voltage is applied to the semiconductor diode 6, closed at the slit line 3 in each of the two communication areas 4 and 5 is a high input resistance with respect to the microstrip conductor 2, which provides a significant amount of attenuation of the microwave switch in lock mode. Reducing the number of attachments used and reducing the number of joints allows us to simplify the design of the microwave switch. The shadow-scanning formula of a microwave switch, containing a dielectric substrate, on one side of which a microstrip conductor is located, and on the other metallized side, a slit line, is closed to itself and electromagnetically connected to the microstrip conductor by two communication areas, one of which is the slit includes a semi-conductor diode, characterized in that, in order to increase the attenuation in the mode of locking the signal and simplify the design, the length of the slit sections between communication areas is equal to half the working length the waves are in a slit line, and the distance between the communication areas along the microstrip conductor is much less than the wavelength in the microstrip conductor.