SU950799A1 - Раствор дл травлени металлов - Google Patents
Раствор дл травлени металлов Download PDFInfo
- Publication number
- SU950799A1 SU950799A1 SU803221886A SU3221886A SU950799A1 SU 950799 A1 SU950799 A1 SU 950799A1 SU 803221886 A SU803221886 A SU 803221886A SU 3221886 A SU3221886 A SU 3221886A SU 950799 A1 SU950799 A1 SU 950799A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- etching
- solution
- acid
- copper
- vanadium
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
(54) РАСТВОР ДЛЯ ТРАВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОВ
Изобретение относитс к химическому травлению металлов и может быть использовано в производстве изделий микроэлектроники, в частности при изготовлении тонкопленочных схем.
Известен раствор дл травлени системы ванадий - медь - никель, содержащий следующие ингредиенты, г/л:.
Азотна кислота
(HNOj)670-880
Кремнефтористоводородна кислота
()400-500
при объемном отношении первого компонента ко второму 1S (15-20) Cl Однако известный раствор раствор ет эти пленки неравномерно по всему полю, а вход ща в его состав кремнефтористоводородна кислота разрушает поверхность ситалловой подложки. В результате неравномерности травлени в этом растворе с некоторых участков металл удал етс быстрее, чем с других, и идет повреждение ситалла.
Подтравлива ситалл, травильный раствор проникает под пленку системы ванадий - медь - никель и вызывает подтравливание крйев элементов схемы, что приводит к увеличению клина травлени , а следовательно , к уменьшению выхода годных схем.
с Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности вл етс раствор дл травлени металлов/например меди, содержащий минеральную кислоту, в частности ную, перекись водорода, желатину и воду 2.
Однако травление многослойной систе№1 в этом растворе происходит . неравномерно.
15
Целью изобретени вл етс достижение равномерности травлени .
Дл достижени поставленной цели предлагаемый раствор дополнительно содержит тиомочевину и гекса20 метилентетрамин, а в качестве минеральной кислоты - смесь азотной и сол ной кислот при следующем соотношении компонентов г вес.%: Азотна кислота (HNOj)
25 ( d 1,14)26-30
Сол на кислота (НС1) (d 1,19)5-8
Перекись водорода (,) (d 1,11)10-14
Тиомочевина (NH.2CSNH2) 4-6
30
Гексаметилентехрамин
()0,5-2
Желатина (4%-ный
раствор)25-32
ВодаОстально
При введении сол ной кислоты и перекиси достигаетс равномерное и полное травление слоев меди и ванади .
Тиомочевина вводитс в раствор, как пассивирующа добавка, уменьшающа боковое подтравливание, так как в.процессе травлени медь окисл етс , образу двуххлорвс ую медь (CuCl). Тиомочевина реагирует с образующейс двуххлористой медью и образует нерастворимую гелеобраэную пленку на боковых торцах меди, что преп тствует дальнейшему травлению слоев
CuCl2 + (ЫН4) NHjNHSCu + НС
Гексаметилентетрамин вводитс в раствор, как неиониэирующий ингибитор , который уменьшает диссоциацию
ионов, что приводит к замедлению процесса травлени .
При добавлении в раствор желатины уменьшаетс подвижность диссоциированных ионов, увеличиваетс смачиваемость поверхности пленки за счет уменьшени поверхностного нат жени раствора,- что способствует более равномерному процессу травлени и уменьшению степени растравливани .
Проводитс химическое травление трехслойной системы ванадий - медь никель . В качестве защитного сг.о примен етс фоторизист ФП-РН-7. Температура травлени комнатна .
После травлени подложки тщательно отмывают . Процесс травлени протекает равномерно, происходит полное вытравливание слоев без повреж .дени ситалловой подложки.
Claims (2)
- Составы травильных растворов и результаты травлени приведены в таблице . Из проведенного эксперимента видно , что предлагаемый раствор обеспечивает одно из важнейних требований процесса травлени - наименьшую степень растравливани . Формула изобретени Раствор дл травлени металлов, преимущертвенно, многослойной систе мы ванадий - медь .никель, содержа 1Щ1Й минеральную кислоту, перекись водорода, желатину и воду, о т л и чающийс тем, что, с целью достижени равномерности травлени , он дополнительно содержит тиомочеви ну и гексаметилентетрамин, а в качестве минеральной кислоты - смесь азотной и сол ной кислот при следую тем соотношении компонентов, вес.%: Азотна кислота (d 1,14)26-30 Сол на кислота ( d 1,19)5-8 Перекись водорода (d 1,11)10-14 Тиомочевина4-6 Гексаметилентатрамин 0,5-2 Желатина (4%-ный раствор)25-32 ВодаОстальное Источники информации , н тые во внимание при экспертизе 1.Николаева В.А,, Макарова Л.Н. ективное травление ванадий - медьелевых пленок. - Обмен опытом в иопромышленности, 1976, № 2, 49.
- 2.РЖ. Коррози и защита от кории , 1980, №.8, К257П.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU803221886A SU950799A1 (ru) | 1980-12-22 | 1980-12-22 | Раствор дл травлени металлов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU803221886A SU950799A1 (ru) | 1980-12-22 | 1980-12-22 | Раствор дл травлени металлов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU950799A1 true SU950799A1 (ru) | 1982-08-15 |
Family
ID=20933436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU803221886A SU950799A1 (ru) | 1980-12-22 | 1980-12-22 | Раствор дл травлени металлов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU950799A1 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1302154C (zh) * | 2004-11-17 | 2007-02-28 | 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司 | 高温合金表面铝硅渗层去除液及应用方法 |
US8652972B2 (en) | 2005-08-12 | 2014-02-18 | Basf Aktiengesellschaft | Stabilized etching solutions for CU and CU/NI layers |
RU2773180C1 (ru) * | 2021-12-07 | 2022-05-31 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Раствор для травления меди и ее сплавов (варианты) |
-
1980
- 1980-12-22 SU SU803221886A patent/SU950799A1/ru active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1302154C (zh) * | 2004-11-17 | 2007-02-28 | 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司 | 高温合金表面铝硅渗层去除液及应用方法 |
US8652972B2 (en) | 2005-08-12 | 2014-02-18 | Basf Aktiengesellschaft | Stabilized etching solutions for CU and CU/NI layers |
RU2773180C1 (ru) * | 2021-12-07 | 2022-05-31 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Раствор для травления меди и ее сплавов (варианты) |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5244539A (en) | Composition and method for stripping films from printed circuit boards | |
US4040863A (en) | Method of treating surface of copper and its alloys | |
EP0085701A1 (en) | ARTICLE CONTAINING COPPER WITH CORROSION INHIBITOR PROTECTIVE LAYER AND METHOD FOR PRODUCING THE LAYER. | |
NL8102678A (nl) | Plasma-passiveringstechniek voor het verhinderen van corrosie na het etsen van in plasma geetste aluminiumfilm. | |
US5017267A (en) | Composition and method for stripping tin or tin-lead alloy from copper surfaces | |
EP0722512B1 (en) | Copper etchant solution additives | |
US3990982A (en) | Composition for stripping lead-tin solder | |
JPS6354077B2 (ru) | ||
US3137600A (en) | Dissolution of copper | |
CA1215301A (en) | Nickel etching process and solution | |
EP0083631B1 (en) | Method of preserving the solderability of copper | |
SU950799A1 (ru) | Раствор дл травлени металлов | |
US3926699A (en) | Method of preparing printed circuit boards with terminal tabs | |
CA2248497C (en) | Composition and method for stripping solder and tin from printed circuit boards | |
JPH0480117B2 (ru) | ||
DE2447670C3 (de) | Verfahren zum selektiven Ätzen einer auf einem Substrat befindlichen Siliciumoxidschicht | |
JPH0450390B2 (ru) | ||
US4673521A (en) | Process for regenerating solder stripping solutions | |
EP0592118A1 (en) | Method of controlling corrosion and biological matter in copper and copper alloy cooling water systems | |
EP0559379B1 (en) | Method for stripping tin or tin-lead alloy from copper surfaces | |
US4952275A (en) | Copper etching solution and method | |
US3669775A (en) | Removal of boron and phosphorous-containing glasses from silicon surfaces | |
US3644155A (en) | Cleaning and brightening of lead-tin alloy-resisted circuit boards | |
KR920006353B1 (ko) | 피롤리돈을 이용한 금속의 용해 방법 및 그 조성물 | |
US3096169A (en) | Ammoniacal ammonium nitrate solution of reduced corrosive tendencies |