SU949540A1

SU949540A1 - Датчик электрофизических параметров полупроводниковых материалов

Info

Publication number: SU949540A1
Application number: SU782676934A
Authority: SU
Inventors: Виктор Борисович Ахманаев; Юрий Васильевич Медведев; Алексей Сергеевич Петров; Игорь Николаевич Туркин; Михаил Гаврилович Ураевский
Priority date: 1978-10-16
Filing date: 1978-10-16
Publication date: 1982-08-07

Description

Изобретение относитс к измерительной технике.

Известен датчик электрофизических параметров полупроводниковых материсшов, содержащий сверхвысокочастотный резонатор квазистатического типа с элементами св зи и отверстием в одной из торцовых стенок,в которое входит индуктивный штырь, закрепленный на противоположной торцовой стенке 1. .

Однако известный датчик имеет невысокое пространственное разрешение, которое определ етс диаметром торца штыр .

Цель изобретени - повышение пространственного разрешени и увеличение диапазона измер емых значений электрофизических параметров.

Дл этого в датчике электрофизических парс1метров полупроводниковых материалов, содержащем сверхвысокочастотный резонатор квазистатического типа с элементами св зи и отверстием в одной из торцовых стенок, в которое входит индуктивный штырь, закрепленный на противоположной торцовой стенке, свободный конец индуктивного штыр и отверстие выполнены КОНУСНЫМИ, а зазор между ними - увеличивающимс от внешней к внутренней поверхности торцовой стенки, при этом ось индуктивного штыр смещена относительно центра отверсти .

На чертеже приведена конструкци датчика.

Датчик электрофизических параметров полупроводниковых (материалов, содержит сверхвысокочастотный резонатор 1 квазистатического типа с элементами св зи 2 и отверстием 3 в одной из торцовых стенок, в которое входит индуктивный штырь 4, закрепленный на противоположной торцовой . стенке. Конец индуктивного штыр 4 и отверстие 3 выполнены конусными, а зазор между ними - увеличивающимс от внешней к внутренней поверхности торцовой стенки, при этом ось индуктивного штыр 4 смещена относительно центра отверсти 3.

Датчик работает слёдунэдим образом.

Claims

Исследуемый полупроводник 5 располагаетс над отверстием 3 и тем самым осуществл етс ее включение в краевое сверхвысокочастотное (СВЧ) электрическое поле резонатора 1. Пространственное разрешение датчика определ етс геометрическими размерами области локализации СВЧ электрическогб пол резонатора 1. Смещение центра торца штыр 4 относительно центра отверсти 3 приводит к тому, что СВЧ поле перераспредел етс и локализуетс между ближайшими точками, лежащими на периметре отверсти 3 и торца штыр 4. В результате этого пространственное раз решение датчика определ етс уже не диаметром торца штыр 4, как у известного датчика, а зазором между ближайшими точкгши отверсти 3 и тор ца штыр 4. Дл обеспечени эффективного вклю чени исследуемого полупроводника 5 в СВЧ поле резонатора 1 торец штыр 4выполнен в виде конуса, большее основание которого размещено внутри отверсти 3. При этом отверстие 3 выполнено также в виде конуса. Така форма штыр 4 и отверсти 3 обеспечивает минимальную боковую емкость, котора шунтирует включение полупроводника 5 в резонатор 1, уменьша тем самым включение полупроводника 5в СВЧ электрическое поле. Таким образом, выполнение торца штыр 4 и отверсти 3 в форме конуса , а также установка штыр 4 внутри отверсти 3 со смещением 1 относительно центра, равным О 1 R - г . обеспечивает эффективное включение полупроводника 5 в резонатор 1 и расшир ет диапазон измерени электро физических паргилетров полупроводниковых материалов. Возможно достижение пространст- i венного разрешени пор дка 50 мкм, что в 20 раз превышает пространственное разрешение известного датчика . При этом диапазон измерени удельного сопротивлени равен 10 4-10 ом .см, что на 4-5 пор дков превьаиаёт диапазон известного датчика. Формула изобретени Датчик электрофизических параметров полупроводниковых материалов, содержащий сверхвысокочастотный резонатор квазистатического типа с элементами св зи и отверстием в одной из торцовых стенок/ в которое входит индуктивный штырь, закрепленный на противоположной торцовой стенке, отличающийс тем, что, с целью повышени пространственного разрешени и увеличени диапазона измер емых значений электрофизических параметров, свободный конец индуктивного штыр и отверстие выполнены конусными, а зазор между ними увеличивающимс от внешней к внутренней поверхности торцовой стенки, при этом ось индуктивного штыр смещена относительно центра отверсти . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № 347691, кл.С 01 R 27/28, 1970.