SU947798A1 - Способ контрол однородности магнитной пленки - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к гагнитным измерени м и может быть использовано дл  контрол  однородности магнитных пленок (МП). Изобретение может быть использовано дл  определени  многофазности магнитных пленок, опре делени  магнитных параметров отдельных фаз пленки, степени легировани  магнитных пленок и т.д. Известны магнитометры, в которых измерительна  обмотка окружает магнитный сердечник, температура которого в области температуры Кюри незначительно мен етс , что заставл ет флуктуировать восприимчивость материала сердечника Cl. Однако с помощью этого устройства нельз  определить характеристики материала с точки зрени  его неоднород ности. Известен способ контрол  неодноро ности пленок, св занный с флуктуацие состава пленки, с помощью магнитооптических измерений вблизи температуры компенсации монокристаллических пленок ферримагнетикЬв. Под действием внешнего пол  в небольшом темпера турном градиенте слои с разным составом про вл ют себ  в виде дискрет ных цветных тонов, св занных с дисперсией фарадеевского вращени  Г2. Недостатком способа  вл етс  возможность контролировать только узкий класс пленок ферримагнетиков, обладающих точкой компенсации, исследуемые пленки должны быть монокристаллическими , пленки и подложки должны быть прозрачными в области оптических частот , которые используютс  дл  дефектоскопии пленок. Цель изобретени  - расширение диапазона контрол  исследуемых пленок. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в способе контрол  однородности магнитной пленки, заключающимс  в том, что пленку домещают в посто нное магнитное поле, воздействуют переменным электромагнитным полем, нагревают, нагрев осуществл ют до температуры Кюри материала пленки и при по влении дополнительных резонансных линий фиксируют электронный магнитный резонанс, дефектных облас- тей пленки. На фиг. 1 и 2 представлены спектры магнитного резонанса при нагревании пленок без дефект ов и с дефектным слоем, искусственно созданным методом ионной имплантации. ,

Способ регшизуетс  следующим образом .

Исследуема  пленка помещаетс  в резонатор под определенным углом к приложенному посто нному внешнему полю. Производитс  запись спектра 5 ферромагнитного резонанса при повышении температуры Кюри (до точки фазового перехода). Спектр однородной пленки имеет одиночную ферромагнитную резонансную линию, плавно транс- 10 формирующуюс  в электронную парамагнитную резонансную линию.

Спектр неоднородной пленки при температурах, близких к температуре Кюри, состоит из нескольких линий,15 кажда  из которых соответствует оп- i ределенной магнитной фазе. Разделение резонансных линий происходит вследствие различного температурного хода намагниченности различных фаз. Маг- 20 нитные характеристики различных фаз (намагниченность, ширина линии ферромагнитного резонанса) могут быть определены по известным сортношени м .25

Пример. Провод т контроль однородности пленки -магнитного полупроводника СdCrn$64, .полученной методом испарени  компонентов из отдельных испарителей. Пленки напыл ют на ,-. стекл нную подложку, толщина пленок 3000 А , температура Кюри Тцравна 130 К. Дл  создани  дёфектнрЧ азн пленки подвергают ионной импланта- ции ионами В при дозе 2-1(Г кон/см и энергии 200 КэВ. Ионна  импланта- 5 ци  приводит к магнитному и структурному раэупор дочению поверхностного .сло  пленки.

Исследуемуй пленку помещают в резонатор cnisKTpoMeTpa таким образом, 40 чтобы плоскость пленки была параллельна приложенному посто нному магнитному полю, т.е. угол между полем и пленкой задан равным О производ т запись: спектра .ферромагнитного резонанса 45 пленки при повышении температуры до температуры Кюри.

На фиг. i представлен спектр ферромагнитного резоканса пленки до имплантаций.; на фиг. 2 - то же, 50 после ионной имплантации.

Спектр состоит из одиночной линии ферромагнитного резонанса, плавно переход щей в электронную парамагнитную резонансную линию при Т .

Спектр ферромагнитного резонанса той же пленки после ионной имплантации при Т Tj{ также представл ет собой одиночную линию, однако при приближении к температуре Кюри от этой линии отдел етс  дополнительна  лини , котора  соответствует ферромагнитному резонансу дефектного поверхностного сло  (фиг. 1).На этом же рисунке показаны метки ЭПР-стандарта (ДФПГ), относительно которых определ етс  положение резонансных линий дефектной и бездефектной фаз.

Использование предлагаемого способа позвол ет проводить дефектоскопию широкого класса магнитных пленок как с ферро-, так и с ферромагнитным упор дочением, с точкой компенсации и без нее, с моно- и поликристаллической структурой, непрозрачных дл  оптического излучени .

Claims (1)

1.Патент США 3564401,

кл. 324-43 (G 01 R 33/02), 19652 .Аваева И.Г., Лисовский Ф.В., Мансветова Е.Г., С&льникова Е.И., Червоненкис А.Я..Вли ние структурной стратификации эпитаксиальных пленок магнитных гранатов на свойства несквознмх цилиндрических доменов. , 1979, т.21, вып. 2, с.406-415

dlldn

dl/ttH

,

./