1 Изобретение относитс к полупроводниковой оптоэлектроцике и может быть использовано при изготовлении источников ИК-излучени , например в оптронных газоанализаторах,фотоприемниках и т.д. Известен способ получени структур с р-п-переходом на основе полупроводников типа А В , включающий эпитаксиальное наращивание слоев ,.As и.з раствора-расплава и диффузию цинка. Недостатком известного способа получени р-п-структур вл етс их невысокое качество. Это обусловлено тем, что быстродиффундирующа примесь цинка создает нерезкий профиль распределени дьфок, т.е. вблизи р-п-перехода их концентраци невелика. Вторым недостатком вл етс на .личиё градиента состава в направлении , перпендикул рном плоскости р-п перехода, что приводит к повьппенной дефектности материала, обусловленной несоответствием параметров рещ ток ХпАбиСаАз, и не позвол ет осу ществл ть контролируемую и воспроизводимую диффузию цинка дл получени р-п-структур с заданными пара метрами. Наиболее близким техническим реш нием к предложенному вл етс спосо получени структур с р-п-переходом на основе полупроводников типа А В, включающий эпитаксиальное наращивание слоев As из легированного акцепторной примесью раст вора-расплава . Согласно этому способу, р-п-пере ход получают при наращивании слоев .As из раствора-расплава, содержащего цинк или кадмий. Дл регулировани параметра элементарной чейки наращиваемой пленки и его согласовани с пар.аметром подложки используют либо наращивание р да слоев As переменного состава, либо ввод т в расплав малые добавки фосфора. Б качестве под ложек дл эпитаксиального наращивани слоев InxGa xAs различного .сос тава используют InAs,GaAs. Однако структуры с р-п-переходом полученные известным способом, такж не отличаютс высоким качеством,пос кольку цинк и кадмий при температурах эпитаксиального наращивани име 2 ют высокий коэффициент диффузии, что приводит к размытию границ р-пперехода и ухудшению его качества. Целью изобретени вл етс улучшение фотоэлектрических свойств структур. Цель достигаетс тем, что в известном способе получени структур с р-п-переходом на основе полупроводников типа А В, включающем эпитаксиальное наращивание слоев , As из легированного акцепторной примесью раствора-расплава, в качестве легирующей акцепторной примеси используют марганец в концентрации 0,00016-0,0033 ат.долей. Установлено, что в твердых растворах In ,х марганец вл етс акцепторной примесью и практически не диффундирует при использу-, емых обычно температурах вьфащивани (400-800 С). Как показали исследовани , скорость диффузии марганца в этих услови х по крайней мере на пор док меньше скорости диффузии цинка. Поэтому р-п-переход легированньй примесью марганца, имеет резкий профиль концентрации дырок вблизи р-п-перехода (градиент концентрации дырок не менее см / ; /мкм). В соединени х А В подвижность электронов значительно больше подвижности дырок, например дл InAs их отношение составл ет 50 при 300 К. Это обуславливает преимущественную инжекцию электронов в р-область. Поскольку веро тность излучательной рекомбинации можно считать пропорциональной концентрации дырок на диффузионной длине от р-п-перехода, то эффективность излучени р-п-перехода с резким профилем распределени дырок вблизи р-п-перехода значительно (по крайней мере, на пор док) выше , чем в р-п-переходах, полученных известным способом, а наиболее оптимальный интервал легировани , как показывает опыт, находитс в пределах 5-10 - ЫО см. Указанньй состав жидкой фазы определ ют на основании диаграммы состо ни и уточн ют экспериментально, исход из температуры эпитаксиального вьфащивани и состава твердой фазы, т.е. ширины запрещенной зоны (длины волны излучени ). Экспериментально обнаружено, что дл обеспечени требуемого оптималь ного уровн легировани (5«10 1-10® ), необходимо ввести в раствор-расплав атомы марганца в ин тервале концентраций 0,00016-0,0033 ат.долей. Концентраци вводимых акцепторов зависит И от концентрации доноров в эпитаксиальном слое, кото ра составл ет З-Ю - 7-10 см Дл уверенного получени р-п-перехо дов концентраци акцепторов должна несколько превышать концентрацию до норов и ее измен ли в интервале 5 - 10«) смДл любого све тодиода, р-область которого легирована марганцем в указанном интервале концентраций, эффективность выше чем в аналогичном светодиоде с той же концентрацией акцепторов в актив ной области, но легированной цинком Пример 1. Берут подложку InAs. В расплав ввод т марганец в к личестве 0,00016-0,0033 ат.долей. Состав расплава In : Ga : As 0,87 0,92:0,006-0,010:0,073-0,120. Наращивание осуществл ют при температурах 600-700 0. Получают р-п-переход на основе ,,, легированный марганцем. П р и м е р 2. Берут подложку InAs, приготовл ют раствор-расплав состава In : Ga : As : Р 0,870 ,91 : 0,0048- 0,010: 0,083-0,124: :О,0012-0,0060, ввод т в него марганец в количестве 0,00016-0,0033 ат. долей и осуществл ют наращивани сло 1п,.х .y Ру, где 0,015 и. 0,065, 0,01 & у 0,035, легированного марганцем. Полученную р-п-структуру используют дл изготовлени светодиода,ра ботающего в области 3,3-3,4 мкм. П р и м е р 3. Берут подложку InAs. Приготовл ют раствор-расплав состава In : Ga :. As : Р : Sb 0,88-0,93:0,005-0,012:0,060-0 ,0193:0,002-0,005-0,004-0,010 при температурах 600-700С,а в процессе вьфащивани в раствор-расплав ввод т атомы марганца в количестве 0,00016-0,033 ат.долей. Получают слои 1п,у ,.у Р( ,-у Р,, i, 0,001 2, где 0,040 s X t 0,085, 0,001 Sb, у & 0,003, 0,001 6 Z 0,003 р-п-переход на их основе, легированный марганцем. На основе полученных р-п-переходов были получены светоДиоды, излучающие в диапазоне длин волн 3,33 ,4 мкм. Эффективность излучени оветодиодов была в 5-7 раз выше, чем в известных светодиодах, легирован- ных цинком, т.е. полученных известным ранее способом (диффузи цинка). Эффективность светодиодов, изготовленных на основе р-п-структур In,, легированных марганцем и содержащих дополнительно микродобавки фосфора и сурьмы, была в 10-12 раз выще, чем у светодиодов, изготовленных из р-п-структур, полученных известным способом. Таким образом, данное изобретение позвол ет получать р-п-структуры на основе ,.у As,,легированные марганцем , и повысить эффективность излучени светодиодов, изготовленных на их основе, примерно на пор док по сравнению с аналогичными приборами , полученными известным способом . Данное изобретение может быть использовано при изготовлении р-пструктур .y As различного состава дл фотоэлектрических приборов , работающих в широком диапазоне длин волн.