Изобретение относитс к технике исследовани материалов и может быть использовано дл контрол распределе ни высоковольтной составл ющей проводимости в жидких, твердых и газообразных диэлектриках.. Известен способ контрол материалов , основанный на наложении образца исследуемой поверхностью на регистрирующий материал, приложении к ис следуемой системе напр жени и регистрации мест повьшенной проводимости по изменению оптических свойст регистрирующего материала. Недостатком этого способа вл етс его непригодность дл контрол распределени высоковольтной составл ющей проводимости по площадки диэлектрических пластин. Известен также способ контрол распределени высоковольтной составл ющей проводимости по площади диэлектрических пластин, основанный на приложении к пластине с помощью электродов напр жени , облучении пла стины пол ризованным светом и регист рации оптического изображени , по которому суд т о наличии и расположе нии мест, обладающих высоковольтной проводимостью. Недостатком этого способа вл етс его непригодность дл контрол ди электрических пластин, вьшолненных из материала, не обладающего электро оптическим эффектом. Целью изобретени вл етс обеспе чение контрол диэлектрических пластин , вьшолненных из материала, не об ладающего электрооптическим эффектом Поставленна цель достигаетс тем что в известном способе контрол рас пределени высоковольтной составл ющей проводимости по площади диэлектрических пластин, основанном на при ложении к пластине с помощью электро дов напр жени , облучении пластины пол ризованным светом и регистрации оптического изображени , по которому суд т о наличии и расположении мест, обладающих высоковольтной проводимостью , поверхность исследуемой диэлектрической пластины привод т в оптический KOHTakT с поверхностью кристалла, обладающего электрооптическим эффектом, к полученной структуре прикладывают импульсы напр жени , амплитуда которых больше полуволнового , но меньше напр жени элек 9 62 трического пробо использовайного кристалла, а облучение структуры производ т монохроматическим сбетом. На чертеже приведена схема устройства дл реализации способа. Устройство содержит генератор импульсов высокого напр жени 1, источник монохроматического света 2, ис следуемую структуру 3, фоторегистратор 4, пол ризатор 5, анализатор 6. Предложенный способ осуществл етс следующим образом. Импульс высокого напр жени от генератора 1 подают на исследуемую структуру 3. Во врем воздействи импульса напр жени монохроматический свет от источника 2 пропускают через пол ризатор 5, исследуемую структуру 3, анализатор 6 и регистрируют полученную картину распределени интенсивности света с помощью фоторегистратора 4. Запуск фоторегистратора 4 осуществл ют одновременно с подачей импульса напр жени на исследуемую стгууктуру. Амплитуда напр жени должна быть больше, чем полуволновое напр жение дл используемого кристалла, но меньще, чем напр жение , при котором нарушаетс электрическа прочность кристалла. При отсутствии высоковольтной проводимости в диэлектрике, т.е., когда выполн етс закон Ома, кажда точка границы раздела будет иметь одинаковый потенциал и, следовательно, потенциальньй рельеф не возникает. Существенно , что это не зависит от внешних условий, амплитуды, формы и длительности приложенного напр жени , диэлектрической проницаемости, собственной проводимости исследуемого диэлектрика и т.д. Воздействие сильного электрического пол на диэлектрик вызьшает по вление в нем высоковольт ° проводимости, особенностью которой вл етс ее пространственно локализованный характер. При этом, в локальных участках межэлектродного промежутка происходит перераспределение напр жени . Таким образом формируют потенциальный рельеф на поверхности электрооптического кристалла. Исход из анализа зарегистрированной оптической картины потенциального рельефа, определ ют наличие высоковольтной проводимости в диэлектрике и соответствующие ее участки.The invention relates to a technique for studying materials and can be used to control the distribution of the high-voltage conductivity component in liquid, solid and gaseous dielectrics. There is a known method of controlling materials based on applying a sample of the test surface to a recording material, applying to the voltage system under study registration of places of the increased conductivity on change of optical properties of the registering material. The disadvantage of this method is its unsuitability for controlling the distribution of the high-voltage component of conductivity across the dielectric plate area. There is also known a method of controlling the distribution of the high-voltage component of conductivity over the area of dielectric plates, based on applying a plate to the plate using voltage electrodes, irradiating the plate with polarized light, and registering an optical image to judge the presence and location of high-voltage places. conductivity. The disadvantage of this method is its unsuitability to control dielectric plates made of a material that does not have an electro-optical effect. The aim of the invention is to provide control of dielectric plates made of a material that does not have an electro-optical effect. The goal is achieved in that the known method of controlling the distribution of the high-voltage conductivity across the area of the dielectric plates, based on electrodes irradiating the plate with polarized light and registering an optical image that is used to judge the presence and location of places with high-voltage wires. The surface of the dielectric plate under study is brought into an optical KOHTakT with the surface of a crystal with an electro-optical effect. Voltage pulses are applied to the structure, the amplitude of which is greater than half-wave, but less than the voltage of the used crystal, and the structure is irradiated with monochromatic sbet The drawing shows a diagram of the device for implementing the method. The device contains a high voltage pulse generator 1, a source of monochromatic light 2, the investigated structure 3, a photographic recorder 4, a polarizer 5, an analyzer 6. The proposed method is carried out as follows. A high voltage pulse from generator 1 is fed to the structure under study 3. During a voltage pulse, monochromatic light from source 2 is passed through a polarizer 5, the structure 3 under investigation, analyzer 6, and the resulting pattern of light intensity distribution is recorded using a photo recorder 4. Starting a photo recorder 4 is carried out simultaneously with the application of a voltage pulse to the structure under test. The voltage amplitude must be greater than the half-wave voltage for the crystal used, but less than the voltage at which the electrical strength of the crystal is disturbed. In the absence of high-voltage conductivity in the dielectric, i.e., when Ohm's law is satisfied, each point of the interface will have the same potential and, therefore, the potential relief does not occur. It is significant that it does not depend on external conditions, amplitude, shape and duration of the applied voltage, dielectric constant, intrinsic conductivity of the dielectric under study, etc. The impact of a strong electric field on a dielectric is caused by the appearance of high-voltage conduction in it, a feature of which is its spatially localized nature. In this case, the voltage redistribution occurs in the local areas of the interelectrode gap. Thus, a potential relief is formed on the surface of an electro-optical crystal. Based on the analysis of the recorded optical pattern of the potential relief, the presence of high-voltage conductivity in the dielectric and its corresponding parts are determined.
Таким образом, предлагаемый способ позвол ет обнаружить высоковольтную проводимость и места еа возникновени в диэлектриках, не обладающих электрооптическим эффектом.Thus, the proposed method allows to detect high-voltage conductivity and places of occurrence in dielectrics that do not have an electro-optical effect.
Предложенный способ найдет применение при исследовании предпробивньпс процессов в газообразных, жидких и твердых диэлектриках, а также при диагностики электрической изол ции.The proposed method will find application in the study of pre-breakdown processes in gaseous, liquid and solid dielectrics, as well as in the diagnosis of electrical insulation.