SU926606A1 - Device for measuring distribution of resonator electromagnetic field strength - Google Patents

Device for measuring distribution of resonator electromagnetic field strength Download PDF

Info

Publication number
SU926606A1
SU926606A1 SU792826969A SU2826969A SU926606A1 SU 926606 A1 SU926606 A1 SU 926606A1 SU 792826969 A SU792826969 A SU 792826969A SU 2826969 A SU2826969 A SU 2826969A SU 926606 A1 SU926606 A1 SU 926606A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
resonator
perturbing
amplitude
photo
measuring
Prior art date
Application number
SU792826969A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Андрей Геньевич Левашкин
Юрий Васильевич Медведев
Original Assignee
Сибирский Физико-Технический Институт Им.В.Д.Кузнецова, При Томском Ордена Трудового Красного Знамени Государственном Университете Им.В.В.Куйбышева
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сибирский Физико-Технический Институт Им.В.Д.Кузнецова, При Томском Ордена Трудового Красного Знамени Государственном Университете Им.В.В.Куйбышева filed Critical Сибирский Физико-Технический Институт Им.В.Д.Кузнецова, При Томском Ордена Трудового Красного Знамени Государственном Университете Им.В.В.Куйбышева
Priority to SU792826969A priority Critical patent/SU926606A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU926606A1 publication Critical patent/SU926606A1/en

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Description

(5) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ НАПРЯЖЕННОСТИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ (5) DEVICE FOR MEASURING THE STRESS DISTRIBUTION OF ELECTROMAGNETIC FIELD

I .I.

Изобретение относитс  к раде отехнике сверхвысоких частот (СВЧ) и может использоватьс  дл  измерени  распределени  электромагнитного Пол  в резонаторах.;The invention relates to an ultra-high frequency (microwave frequency) guard and can be used to measure the distribution of an electromagnetic field in a resonator .;

Известно устройство дл  измерени  распределени  напр женности эпёйтромагнитного пол  резонатора, содержа щее возмущающее тело сферической формы, установленное внутри исследуемого резонатора, и индикатор, вход которого  вл етс  входом сигнала с исследуемого резонатора 1П A device is known for measuring the intensity of the ejetromagnetic field of a resonator, containing a spherical perturbing body installed inside the resonator under investigation, and an indicator whose input is the input of a signal from the 1P resonator under investigation.

Однако известное устройство имеет недостаточную чувствительность и точность измерени  из-за того, что металлические возмущающие тела искажают картину силовых линий и, как следствие этого, внос т погрешность в измерение его распределени ,However, the known device has insufficient sensitivity and measurement accuracy due to the fact that metallic perturbing bodies distort the pattern of lines of force and, as a consequence, introduce an error in the measurement of its distribution,

Цель изобретени  - повышение точности при одновременном повышении чувствительности. РЕЗОНАТОРАThe purpose of the invention is to increase accuracy while increasing sensitivity. RESONATOR

Поставленна  цель достигаетс  тем, что устройство дл  измерени  распределени  напр женности электромагнитного пол  резонатора содержит возмущающее тело сферической формы, выполн емое из высокоомного фотополупроводникового материала и устанав ливаемое внутри исследуемого резонатора , индикатор, вход которого  вл етс  входом сигнала с исследуемого The goal is achieved by the fact that the device for measuring the distribution of the intensity of the electromagnetic field of a resonator contains a spherical perturbing body made of high-resistance photo-semiconductor material and installed inside the resonator under investigation, the indicator whose input is the input of the signal from the investigated

10 резонатора, и устанавливаемый вне исследуемого резонатора источник амплитудно-модулированного оптического излучени  дл  облучени  возмущающего тела.10, and an amplitude-modulated optical radiation source installed outside the resonator under study for irradiating the disturbing body.

1515

На чертеже приведена структурна  электрическа  схема предлагаемого устройства.The drawing shows a structural electrical circuit of the proposed device.

Устройство содержит возмущающее тело 1 сферической формы, исследуе20 мый резонатор 2, индикатор 3, источник Ц амплитудно-модулированного оптического излучени , генератор 5 сверхвысокочастотных (СВЧ) колебаний разв зывающий вентиль , систему линз 7 детектор 8 СВЧ. Устройство работает следующим образом. Вводимое в поле исследуемого резонатора 2 возмущающее тело 1, в качестве которого используют фотополупроводниковый мэтериал, освещают амплитудио-модулированным оптическим излучением, и в качестве параметра иссле-дуемого резонатора 2 с возмущающим телом 1 измер ют амплитуду из менени  его коэффициента передачи. Возмущающее тело 1 радиуса ,5 м изготавливаетс  из .высокоомного фбтополупроводникойого материала, дл  .которого выполн етс  условие 1 f - удельное сопротивление фото полупроводникового материала; 6f его диэлектрическа  проницаемость; UJ - частота исследуемого пол . .Неравенство (1) отражает тот факт что в фотополупроводниковом материале на частоте ш отсутствует экранировка электрического пол  свободными носител ми тока и, следовательно, картина пол  в нем аналогична распре делению пол  в диэлектрике, т.е. структура силовых линий пол  в иссле дуемом резонаторе 2 не претерпевает искажений. BbicoKOOMHoe возмущающее тело 1, вы зывающее малое изменение резонансной частоты исследуемого резонатора 2 (ввиду указанных выше причин) освещают модулированным оптическим излучением с длиной волныThe device contains a spherical perturbing body 1, a resonator 2 under investigation, an indicator 3, an amplitude-modulated optical radiation source C, an ultra high frequency (UHF) oscillator 5, a decoupling gate, a lens system 7 and a microwave detector 8. The device works as follows. The disturbing body 1 introduced into the field of the resonator 2 under study, which is used as a photoconductive material, is illuminated with amplitude-modulated optical radiation, and the amplitude of the change of its transmission coefficient is measured as a parameter of the investigated resonator 2 with the disturbing body 1. A perturbing body 1 of radius 5 m is made of a high-resistance semi-semiconductor material for which condition 1 f is the specific resistance of the photo of the semiconductor material; 6f its dielectric constant; UJ - the frequency of the studied sex. Inequality (1) reflects the fact that in a photo-semiconductor material at frequency w there is no screening of the electric field by free current carriers and, therefore, the field pattern in it is similar to the distribution in the dielectric, i.e. The structure of the field lines in the resonator 2 under study does not undergo distortions. BbicoKOOMHoe disturbing body 1, causing a small change in the resonant frequency of the investigated resonator 2 (due to the above reasons) is illuminated with modulated optical radiation with a wavelength

Claims (2)

 . ХГР Д гранична  длина волны, со ответствующа  собственному поглощению. Условие (2) отражает тот факт, что в фотополупроводниковом возмущающем теле 1 происходит собственное поглощение оптического излучени  и, следовательно , создаетс  неравновесна  проводимость, измен юща с  с частотой /модул ции оптического излучени . За счет этого удаетс  осуществить моду л цию коэффициента передачи исследуемо го резонатора,причем амплитуда огибающей может служить мерой величины напр .9 64 женности электромагнитного пол  в точке, где находитс  возмущающее тело 1 . СВЧ-мощность от генератора 5 eрез разв зыващий вентиль 6 поступает на исследуемый резонатор 2. Коэффициент передачи исследуемого резонатора 2 модулируетс  с помощью освещени  фотополупроводникового возмущающего тела 1, помещенного в полость исследуемого резонатора . HGR D is the boundary wavelength corresponding to its own absorption. Condition (2) reflects the fact that in the photo-semiconductor perturbing body 1 there occurs an intrinsic absorption of optical radiation and, therefore, a non-equilibrium conductivity is created, which varies with the frequency / modulation of the optical radiation. Due to this, it is possible to carry out modulation of the transmission coefficient of the resonator under investigation, and the amplitude of the envelope can serve as a measure of the magnitude of the electromagnetic field at the point where the disturbing body 1 is located. The microwave power from the generator 5 Eres the interrupting valve 6 is supplied to the resonator 2 under study. The transmission coefficient of the resonator 2 under study is modulated with the help of the illumination of the photo-semiconductor perturbing body 1 placed in the cavity of the resonator under investigation. 2. Освещение возмущающего тела 1 осуществл етс  источником 4 амплитудно-модулированного оптического излучени , которое фокусируетс  в точку расположени  возмущающего объекта с помощью системы линз 7- Прошедша  через ис следуемый резонатор 2 мощность детектируетс  детектором 8, амплитудномодулированный сигнал регистрируетс . осциллографом 9 а глубина модул ции сигнала измер етс  селективным вольтметром 10. Технико-экономические преимущества предлагаемого устройства дл  измерени  распределени  пол  в исследуемом резонаторе заключаютс  в увеличении диапазона измер емых напр женностей и повышении точности измерени  распределени  пол . Если в качестве возмущающего тела в известном и в предлагаемом устро.йствах будут выбраны сферы одинаковых размеров , то минимальна  напр женность пол , измеренна  с помощью возмущающего тела из фотополупроводникового материала, на три пор дка меньше, чем измеренна  с помощью возмущающего тела из металла. Причем точность измерени , несмотр  на одинаковые размеры возмущающих тел, выше, так как металлическа  сфера сильнее искажает картину пол . Формула изобретени  Устройство дл  измерени  распределени  напр женности электромагнитного пол  резонатора, содержащее возмущающее тело сферической формы, устанавливаемое внутри исследуемого резонатора , и индикатор, вход которого  вл етс  входом сигнала с исследуемого резонатора, отличающеес  тем, что, с целью повышени  точности при одновременном повышении чувствительности, воз-мущающее тело сферической формы выполнено из высокоомного фотополупроводникового материала , и введен источник амплитудно-модулированного оптического излучени  дл  облучени  возмущающего тела сферической формы, установленный вне исследуемого резонатора.2. Illumination of the disturbing body 1 is carried out by a source 4 of amplitude-modulated optical radiation, which is focused at the point of location of the disturbing object using a lens system 7. The power transmitted through the investigated resonator 2 is detected by the detector 8, the amplitude-modulated signal is recorded. The oscilloscope 9a modulates the depth of signal modulation using a selective voltmeter 10. The technical advantages of the proposed device for measuring the field distribution in the resonator under study consist in increasing the range of measured voltages and increasing the accuracy of measuring the field distribution. If spheres of the same size are chosen as the perturbing body in the known and proposed arrangements, then the field strength measured by the perturbing body of photo-semiconductor material is minimal, three orders of magnitude smaller than that measured by the perturbing body made of metal. Moreover, the measurement accuracy, despite the identical dimensions of the perturbing bodies, is higher, since the metal sphere distorts the picture of the floor more strongly. Apparatus of the Invention A device for measuring the intensity distribution of a resonator's electromagnetic field, comprising a spherical perturbing body installed inside a resonator under investigation, and an indicator whose input is an input signal from the resonator under investigation, characterized in that, in order to improve accuracy while simultaneously increasing sensitivity, the spherical-shaped perturbing body is made of high-resistance photo-semiconductor material, and an amplitude-modulated optical source is introduced About radiation for irradiating a spherical form of a perturbing body, installed outside the resonator under study. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Тишер Ф. Техника измерений на сверхвысоких частотах. М., Физматгиэ, 1963, с. (прототип).Sources of information taken into account in the examination 1. Tisher F. Technique measurements at ultrahigh frequencies. M., Fizmatgie, 1963, p. (prototype).
SU792826969A 1979-10-08 1979-10-08 Device for measuring distribution of resonator electromagnetic field strength SU926606A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792826969A SU926606A1 (en) 1979-10-08 1979-10-08 Device for measuring distribution of resonator electromagnetic field strength

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792826969A SU926606A1 (en) 1979-10-08 1979-10-08 Device for measuring distribution of resonator electromagnetic field strength

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU926606A1 true SU926606A1 (en) 1982-05-07

Family

ID=20853780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792826969A SU926606A1 (en) 1979-10-08 1979-10-08 Device for measuring distribution of resonator electromagnetic field strength

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU926606A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Farnell Measured phase distribution in the image space of a microwave lens
US4393348A (en) Method and apparatus for determining minority carrier diffusion length in semiconductors
US7868627B2 (en) Method and a device for measuring dielectric characteristics of material bodies
US4087745A (en) Technique for contactless characterization of semiconducting material and device structures
US2859407A (en) Method and device for measuring semiconductor parameters
US4999570A (en) Device for making non-contacting measurements of electric fields which are statical and/or varying in time
SU926606A1 (en) Device for measuring distribution of resonator electromagnetic field strength
CN109142266A (en) A kind of Terahertz finely composes survey meter
US3586973A (en) Standard field strength meter
Chitnis et al. Optical fiber sensor for vibration amplitude measurement
Fowler et al. High accuracy measurement of aperture area relative to a standard known aperture
CN103884422A (en) Quasi-optics type probe for terahertz near-field measurement, detection system and detection method
GB1336745A (en) Method of analysis employing holography
Clayton et al. Radio measurements in the decimetre and centimetre wavebands
SE8002697L (en) PROCEDURE AND DEVICE FOR IDENTIFYING COINS AND SIMILAR FORMS
US3360726A (en) Radiation responsive device
US3886370A (en) Device for measuring semiconductor radiation sources
SU995029A1 (en) Device for contact-free measuring of semiconductor parameters
SU143236A1 (en) Device for measuring the surface of rotating bodies
SU1733973A1 (en) Method of testing concentration of particles in gas and device thereof
RU2629909C1 (en) Static device for determining distribution of field intensity of infrared surface electromagnetic wave along its track
SU1626138A1 (en) Device for measuring characteristics of materials
SU813260A1 (en) Current meter
US3865494A (en) Absorption photometer
SU926609A1 (en) Device for measuring current amplitude phase distribution on aerial surface