Claims (3)
Цель достигаетс путем использовани ЭДС самоиндукции индуктивной нагрузки за счет того, что в формирователе импульсов , содержащем врем задаюшую параллельную RC-цепь, подключенную между шиной источника напр жени питани и пороговым каскадом, состо щим из входного и выходного транзисторов разного типа проводимости, причем выходной транзистор с коллекторной нагрузкой включен по схеме с общим эмит тером и подключен базой к коллектору входного транзистора, а вывод конденсатора врем задающей параллельной КСцепи , соединенный с входным транзистор порогового каскада, подключен череа пр мо смеженный диод к коллектору выходного транзистора, входной транзистор порогового каскада подключен базой к врем задающей параллельной Ro -цепи, а эмиттером - к источнику напр жени питани . На чертеже показана принципиальна электрическа схема предлагаемого формировател импульсов. Формирователь импульсов содержит транзисторы 1 и 2 разного ..типа проводимости , параллельную RC- -цепь, состо щую из конденсатора 3 и резистора 4, подключенную между базой п -р- п тран зистора 1 и щиной 5 источника напр же ки питани , нагрузку 6, имеющую индук тивный характер, например обмотку электромагнитного реле, в коллекторной цепи р- п -р транзистора 2, полупроводниковый диод 7, подключйпадй катодом к коллектору транзистора 2, а анодом к точке соединени конденсатора 3 и резистора 4 с базой транзистора 1 К базе транзистора 2 поцключ& . конденсатор 8 цепи запуска. В коллекторную цепь транзистора 1 введен делитель на- на резисторах 9 и 10. В эмит терную цепь транзистора 2 введен резистор 11; Врем задакиций конденсатор 3 должен быть подключен к одной из щин источника напр жени питани , в частности, например, к шине 12. Формирователь работает следующим образом. В исходном состо нии транзисторы 1 и 2 открыты и насыщены. Поступление запускающего импульса положительной пол рности на базу транзистора 2 приводит к запиранию транзисторов. При запирании транзистора 2 запускающим И1 шульсом резкое уменьщение тока в его коллекторной нагрузке, имеющей индуктивный характер, приводит к возникновению ЭДС самоиндукции, вызывакмдей форсированное запирание транзистора ,1 и, следовательно, транзистора 2, так как транзистор 1 коммутирует базовую епь транзистора 2, образу совместно ним схему составного транзистора. ри этом энерги индуктивЯости нагрузи 6 передаетс через диод 7 в конденатор 3. Математически это определ ет выражением . М. 0. де LI - индуктивность нагрузки 6; О - емкость конденсатора 3; IJQ - напр жение, до которого зар дитс конденсатор 3 от ЭДС самоиндукции; : - ток, протекающий через нагрузку 6, до поступлени запускаю- щего импульса, причем Е-Ь„ де Б - напр жение источника питани ; IJ - напр жение насьпцени транзистора 2; R - активное (оммическое) сопротивление нагрузки 6. Полное напр жение, до которого стреитс зар дитьс конденсатор 3, равно умме напр жени Е источника питани . напр жени U , определ емого ЭДС амоиндукции. Врем зар да конденсатора ало и основной вклад в длительность ормируемого импульса вносит врем азр да конденсатора 3 через высокоомный резистор 4. По мере разр да конденсатора 3 напр жение на нем измен етс по закону, . )е -,(г) где Ut - измен ющеес напр жение на конденсаторе 3; t - врем разр да врем задающего конденсатора 3, определ ющее длительность формирующего импульса; ( J - сопротивление резистора 4; С. - емкость врем задающего конденсатора 3, При уменьщении напр жени на конденсаторе 3 возрастает напр жение, прикладываемое к переходу база-эмиттер транзистора 1, и при его значении, соответствующем напр жению отпирани транзистора 1, схема возвращпетс в исходное состо ние и формирование импульса заканчиваетс . Несложные математические преобразовани позвол ют получить выражение дл времени разр да врем задающего конденсатора 3 в виде и«се„(;.),(„ Из этого выражени видно, что врем разр да, определ ющее длительность формируемого импульса, имеет дополнительную составл ющую, определ емую индуктивностью нагрузки 6, и не зависит от величины напр жени источника гаггани , что обусловливает повышение стабильности формируемого импульса. Увеличение длительности формируемого импульса обусловлено тем, что величина ЭДС са моиндувции, определ юща напр жение зар да врем задающего конденсатора 3, значительно превьпиает величину напр жени источника питани . , Формула изоб етени Формирователь импульсов, содержащий врем задающую параллельную ЙО -цепь, подключенную между щиной источника напр жени питани и пороговым каска-i дом, состо щим из входного и выхрдного транзисторов разного типа проводимости , причем выходной транзистор с коллекторной нагрузкой включен по схеме с общим эмиттером и подключен ба ЗОЙ к коллектору входного транзистора, а вывод конденсатора врем задаюадей параллельной Re -цепи, соединенный с входным транзистором порогового каскада , подключен через пр мосмещенный диод к коллектору выходного транзистора , отличающийс тем, что, с целью увеличени длительности формируемого импульса и ее стабильности при раб&те на индуктивную нагрузку, входной транзистор порогового каскада подключен базой к врем задак цей параллельной RC -депи, а эмиттером - к источнику напр жени питани . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Гольденберг Л. М. Теори и расчет импульсных устройств на полупроводниковых хфиборах. М., Св зь, 1969, с. 276-285. The goal is achieved by using self-induction EMF of an inductive load due to the fact that the pulse shaper, which contains the time, sets the parallel RC circuit connected between the supply voltage bus and the threshold cascade consisting of different types of conductivity, and the output transistor with a collector load is connected according to the circuit with a common emitter and is connected to the collector of the input transistor by a base, and the capacitor lead is connected to the input the transistor of the threshold cascade is connected via a successively adjacent diode to the collector of the output transistor, the input transistor of the threshold cascade is connected to the base of the master rotor circuit, and the emitter to the power supply source. The drawing shows a circuit diagram of the proposed pulse generator. The pulse shaper contains transistors 1 and 2 of different conductivity types, parallel to the RC circuit, consisting of a capacitor 3 and a resistor 4, connected between the base n -pp transistor 1 and the source voltage 5, the load 6 inductive in nature, such as a winding of an electromagnetic relay, in a collector circuit, pnnr p of transistor 2, semiconductor diode 7, connect the cathode to the collector of transistor 2, and anode to the junction point of the capacitor 3 and resistor 4 to the base of the transistor 1 To the base of the transistor 2 switch & . capacitor 8 starting circuit. A divider is inserted into the collector circuit of transistor 1 on resistors 9 and 10. A resistor 11 is inserted into the emitter circuit of transistor 2; During the assignment time, the capacitor 3 must be connected to one of the wiring of the power supply source, in particular, for example, to the bus 12. The shaper operates as follows. In the initial state, transistors 1 and 2 are open and saturated. The arrival of a triggering pulse of positive polarity at the base of transistor 2 leads to the locking of the transistors. When the transistor 2 is locked by the triggering I1 shulse, a sharp decrease in current in its collector load, having an inductive nature, leads to the occurrence of self-induced EMF, causing forced locking of the transistor, 1 and, therefore, transistor 2, since transistor 1 switches the base circuit of transistor 2 together to form him a composite transistor circuit. In this case, the inductance energy of the load 6 is transmitted through the diode 7 to the condenser 3. This is mathematically defined by the expression. M. 0. de LI - load inductance 6; O is the capacitance of the capacitor 3; IJQ is the voltage up to which the capacitor 3 is charged by self-induction emf; : is the current flowing through the load 6 before the starting pulse arrives, with Е-Ь? de Б - the voltage of the power source; IJ is the voltage across the transistor 2; R is the active (ohm) resistance of the load 6. The total voltage to which the capacitor 3 is charged is stretched is equal to the voltage E of the power supply. voltage U, defined by the emf of amoinduction. The charge time of the capacitor halo and the main contribution to the duration of the input pulse is made by the azar time of the capacitor 3 through the high-resistance resistor 4. As the capacitor 3 discharges, the voltage across it varies by law, e -, (d) where Ut is the variable voltage across the capacitor 3; t is the discharge time, the time of the driving capacitor 3, which determines the duration of the forming pulse; (J is the resistance of the resistor 4; C. is the capacitance time of the driving capacitor 3; When the voltage across capacitor 3 decreases, the voltage applied to the base-emitter junction of transistor 1 increases, and at its value corresponding to the voltage of unlocking the transistor 1, the circuit returns to the initial state and the formation of the pulse is completed. Simple mathematical transformations allow to obtain an expression for the discharge time, the time of the driving capacitor 3 in the form "all" (;.), ("From this expression it is clear that the discharge time defined the duration of the pulse being formed has an additional component determined by the inductance of the load 6 and does not depend on the magnitude of the voltage of the gaggani source, which causes an increase in the stability of the pulse being formed.The increase in the duration of the pulse being formed is self-induced, which determines the voltage The charge time of the driving capacitor 3 significantly exceeds the value of the power supply voltage. The formula of the image A pulse shaper containing a time setting parallel YO chain connected between the power supply source width and the threshold helmet-i dom consisting of input and output transistors of different conductivity type, the output transistor with a collector load is connected according to common emitter and connected to the collector of the input transistor ZIO, and the output of the capacitor time of the parallel Re-circuit, connected to the input transistor of the threshold cascade, is connected via a direct offset diode to the collector of the output transistor, characterized in that, in order to increase the duration of the generated pulse and its stability when working on an inductive load, the input transistor of the threshold cascade is connected to the base of the input stage of the parallel RC, steppe, and the emitter to the power supply source . Sources of information taken into account in the examination 1. Goldenberg LM Theory and the calculation of pulsed devices on semiconductor switchboards. M., Holy Hour, 1969, p. 276-285.
2.Авторское свидетельство СССР 1№ 395972 кл. Н 03 К 3/286, 1973. 2. USSR author's certificate 1№ 395972 cl. H 03 K 3/286, 1973.
3.Патент США № 3458732, кл. ЗО7-273, 1969 (прототип).3. US patent number 3458732, cl. ZO7-273, 1969 (prototype).