SU911736A1 - Логический элемент - Google Patents

Description

(54) ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относитс  к вычислительной технике, и может быть использовано в вычислительных устройствах, в которых в качестве носителей информации примен ютс  цилиндрические магнитные домены (ЦМД),

Известен логический элемент содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены токопровод щие шины 1.

Недостаток данного элемента - его сложность.

Наиболее близок к предлагаемому логический элемент, который содержит магнитоодноосную пленку, на которой расположены два изолированных друг от друга токопровод щих сло , в которых выполнены каналы продвижени  ЦМД из последовательно расположенных отверстий 2 .

Недостатком известного элемента .  вл етс  то, что он может осуществл ть только функции переключени  ЦМД,

Цель изобретени  - расширение области применени  известного логического элемента путем реализации различных наборов логических функций. .

Поставленна  цель достига етс  тем, что в логическом элементе во втором

токопровод щем слое выполнено дополнительное отверстие эллиптической формы,совмещенное со смежными отверсти ми первого и второго токопровод щих слоев в одном из каналов продвижени  ЦМД, причем больша  ось дополнительного отверсти  расположена перпендикул рно направлению движени  ЦМД.

10

На фиг. 1 изображена конструкци  предлагаемого логического элемента; на фиг. 2 проиллюстрирован принцип его действи .

Логический элемент содержит маг15 . нитоодноосную пленку 1, на которой расположены два токопровод щих сло  2 и 3 из немагнитного материала, изолированные друг от друга и от пленки 1сло ми диэлектрика 4,с отверсти-

20  ми 5 в слое 3, отверсти ми 6 в слое 2 и дополнительным отверстмем 7 эллиптической формы в слое 3, образующими каналы 8 и 9 продвижени  ЦНД. Цифрами 10-13, 10-13 и

25 обозначены позиции, занимаемые ЦМЦ во врем  работы элемента.

Предлагаемый логический элемент работает следующим образом.

Claims (2)

1. При протекании импульсных перемен3D ных токов I и 1(1. в сло х 2 и 3 соответственно (фиг. la ) в вершинах каждого из отверстий создаютс  локальные области магнитного пол , векторы напр женности которых антипа раллельны и перпендикул рны плоскости кристалла. В результате отверсти  представл ют собой магнитные диполи Направление векторов токов I и I / перпендикул рны (в плоскости пленки большим ос м отверстий, а их фазы сдвинуты друг относительно друга . на 90, Продвижение ЦМД вдоль канала осуществл етс  за счет поочередной смены пол рности полюсов на концах отверстий .Смена пол рности происходит за счет изменени  направлени  токов Абсолютна  величина напр женности м нитного пол , наводимого в торцах о верстий, зависит от линейных размеров отверстий и плотности тока в слое. Отверстие, расположенное своей узкой частью вдоль вектора тока, имеет более слабые полюса по сравне нию с отверстием, расположенным .широкой частью перпендикул рно направ лению вектора тока. Следовательно, дл  того, чтобы уменьшить величину одного из полюсов отвег ти  (при одной и той же плотности тока), необходимо увеличи линейный размер той части отверсти  котора  расположена вдоль направлени  векГтора тока. В предлагаемом элементе полюс и ( фиг. 2) ослабл етс  путем введени  дополнительного отверсти  7. Одиноч ный ЦВД, продвигающийс  по каналу 8 и последовательно занимающий позиции 10-13, перейдет из позиции 10 канале 8 в позицию И в канале 9. Переход ЦВД из канала 8 в канал 9 обуславливаетс  тем,-что полюс 11 канале 9 значительно сильнее одноименного полюса в канаЛе 8. Если на входы каналов 8 и 9 пред лагаемого логического элемента одно ременно поступают два ЦМД, то в результате магнитостатического отталкивани  ЦМД, наход щихс  в пози1;и х 10. и 10 каналов 8 и 9 соответственно , переход ЦМД из канала 8 в кансШ 9 невозможен. Исход  из выпейзложенных принципов прохождени  ЦМД по каналам логического элемента составлена табли ца переходов. Логические уравнени , выполн емые элементом, имеют следующий вид: F А+В, F АВ(где А - переменна , поступающа  в канал 8; В - переменна , поступающа  в канал 9; F функци , реализуема  на выходе канала 8; и F - функци , реализуема  огическим элементом на выходе канала 9) . Таким образом, вследствие введени  дополнительного отверсти  в один из параллельных каналов,продвижени  ЦМД можно реализовать логические функции И и ИЛИ, что позвол ет производить логическую обработку информации непосредственно на ТИП51Х с двухслойным токовым управлением. Формула изобретени  Логический элемент, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены два изолированных друг от друга токопровод щих сло , в которых , выполнены каналы продвижени  цилиндрических магнитных доменов из последовательно расположенных отверстий , отличающийс  тем, что, с целью расширени  области применени  логического элемента путем реализации различных наборов логических функций, во втором токопровод щем слое выполнено дополнительное отверстие эллиптической формы, совмещенное со смежными отверсти ми первого и второго токопровод щих слоев в одном из ка,налов продвижени  цилиндрических магнитных доменов, причем больша  ось дополнительного отверсти  расположена перпендикул рно направлению движени  цилиндрических магнитных доменов. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.IEEE Trans. Magn.,V . MAG-13, 1977, № 5, p. 1261,
2. 2.BSTJ, 1979, V. 58, № 6, p. 1453 (прототип).

   Y////////A

   t$ ISSsi v:sS; s ///2////// //////

   7

   У/7//// //////Л