SU911631A1 - Thermistor and method of manufacturing same - Google Patents
Thermistor and method of manufacturing same Download PDFInfo
- Publication number
- SU911631A1 SU911631A1 SU792818246A SU2818246A SU911631A1 SU 911631 A1 SU911631 A1 SU 911631A1 SU 792818246 A SU792818246 A SU 792818246A SU 2818246 A SU2818246 A SU 2818246A SU 911631 A1 SU911631 A1 SU 911631A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- diamond
- collector
- thermistor
- powder
- polycrystalline
- Prior art date
Links
Description
(54) ТЕРМИСТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ(54) THERMISTOR AND METHOD OF ITS MANUFACTURE
Изобретение относитс к электронной технике и может быть использовано при изготовлении термисторов в устройствах дл измерени температуры .The invention relates to electronic engineering and can be used in the manufacture of thermistors in temperature measuring devices.
Известен термистор, содержащий термочувствительный элемент и выводы . Он изготовл етс путем формировани термочувствительного элемента из,монокристалла сложного окисла и нанесени выводов 1.Known thermistor containing temperature-sensitive element and conclusions. It is made by forming a thermosensitive element from a single crystal of a composite oxide and applying pins 1.
Недостатки известного термистора состо т в низкой чувствительности и быстродействии.The disadvantages of the known thermistor are low sensitivity and speed.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности вл етс термистор , содержгидий размещенные в корпусе термочувствительный элемент из монокристаллического алмаза, сое- диненный с ним коллектор и выводы. Этот термистор изготовл ют путем присоединени коллектора к т:ермочувствительному элементу из монокристаллического алмаза с последующим нанесением выводов (-2 .The closest to the proposed technical entity is a thermistor, which contains a temperature-sensitive single-crystal diamond element placed in a housing, a collector connected to it and conclusions. This thermistor is made by attaching a collector to a t: sensitive element of single-crystal diamond, followed by drawing leads (-2.
Недостаток известного термистора заключаетс в низком быстродействии.A disadvantage of the known thermistor is the low speed.
Цель изобретени - увеличение быстродействи .The purpose of the invention is to increase speed.
Поставленна цель достигаетс тем, что в известном термисторе, со-:держащем размещенные в корпусе термочувствительный элемент из монокрис таиплического алмаза соединенный с ним /коллектор и выводы, коллектор выполнен из порсиака поликристаллического алмаза. This goal is achieved by the fact that in a known thermistor containing: a temperature-sensitive element placed in a housing from a monocrystal tayplic diamond connected to it / collector and conclusions, the collector is made from a polycrystalline diamond psiac.
Способ изготовлени термистора Method of making thermistor
10 характеризуетс тем, что перед присоед;инением коллектора из порошка поликристаллического алмаза к термочувствительному элементу из моно- , кристаллического алмаза помещают монО15 кристаллический алмаз, а присоединение коллектора к термочувствительному элементу из монокристаллического алмаза осуществл ют спеканием порошка поликристаллического ал-маза и 10 is characterized by the fact that, before attaching a polycrystalline diamond powder collector, a mono15 crystalline diamond is placed on a thermosensitive element of a mono-crystalline diamond, and a collector is attached to a monocrystalline diamond temperature-sensitive element by sintering polycrystalline alumina powder and
20 монокристаллического алмаза при 1500-2000°С и давлении 70-80 кбар в течение 15-30 с.20 monocrystalline diamond at 1500-2000 ° С and pressure of 70-80 kbar for 15-30 s.
На чертеже схематически изображен термистор в разрезе.The figure shows a schematic sectional thermistor.
2525
Термистор содержит термочувствительный элемент 1 из монокристаллического алмаза, расположенный в коллекторе 2 из спеченного порошка поликристаллического алмаза, выводы 3, металлизированные площадки 4 дл при30The thermistor contains a monocrystalline diamond thermosensitive element 1, located in a collector 2 of a sintered powder of polycrystalline diamond, conclusions 3, metallized areas 4 for 30
соединени выводов 3 и термоустойчив е покрытие 5, Термистор помещен в корпус из кварцевого С7вкца(не показан ) .connections of conclusions 3 and heat-resistant coating 5, Thermistor is placed in a case of quartz C7 VC (not shown).
Термистор работает следующим образом .Thermistor works as follows.
С помощью выводов 3 термистор подсоедин етс к измер емому объекту. Измерительным мостом .Сопротивлени измер етс сопротивление термистора. По градуировочной кривой зависимости .сопротивлени термистора от температуры объекта. При изменении температуры объекта термистор мен ет свое сопротивление. Это изменение регистрируетс и по градуировочной кривой оцениваетс соответствующее изменение температуры измер емого объе та в данный момент времени.Using terminals 3, the thermistor is connected to the object to be measured. Measuring bridge. Resistance is measured by the resistance of the thermistor. According to the calibration curve of the dependence of the thermistor resistance on the object temperature. When the object temperature changes, the thermistor changes its resistance. This change is recorded and the corresponding change in temperature of the measured volume at a given time is estimated from the calibration curve.
Термистор изготовл ют следующим образом.A thermistor is fabricated as follows.
Монокристаллический алмаз помещают в центральную часть пресс-формы с алмазнь№4 порошком и выдерживают загрузку в камере высокого давлени гидравлического пресса, типа тороид при давлении 45 кбар и при в течение 20 с, в результате чего происходит спекание поликристаллического алмазного порошка с монокристаллическим алмазом. Затем температуру понижают до комнатной, а давление до атмосферного.Полученный образец извлекают из пресс-фО ды, шлифуют до вскрыти монокрИйталла и затем подвергают .химической обработке дл обезжиривани и очистки поверхности обоазца. Затем на поверхность коллектора с наход щимс в нем активньМ элементом из монокристаллическоГо алмаза методом распылени металла в вакууме нанос т контактное металлическое покрытие Ti-Ni. С помсадью метода фотолитографии получают разнесенные контактные площадки, к которым с помощью припо креп т выводы из вольфрама в атмосфере водорода при . Термистор помещают в оболочку из кварцевого стекла.Monocrystalline diamond is placed in the central part of the mold with diamond # 4 powder and withstand loading in a high-pressure chamber of a hydraulic press, such as a toroid at a pressure of 45 kbar and for 20 s, resulting in sintering of polycrystalline diamond powder with a monocrystalline diamond. Then the temperature is lowered to room temperature, and the pressure to atmospheric. The obtained sample is removed from the press molding unit, polished until the monocrytal is opened, and then subjected to chemical treatment in order to degrease and clean the surface of the specimen. Then, a contact metal coating of Ti-Ni is deposited on the surface of the collector with an active element of monocrystalline diamond in it by sputtering a metal in vacuum. With the help of the photolithography method, spaced contact pads are obtained, to which conclusions from tungsten are attached to the atmosphere of hydrogen at. The thermistor is placed in a quartz glass shell.
Спеченна алмазна композици имеет теплопроводность, превышакшую в несколько раз теплопроводностьSintered diamond composition has a thermal conductivity exceeding several times the thermal conductivity.
коллекторов известных термисторов; Монокристалл алмаза запресовываетс в спеченную алмазную композицию в услови х высоких давлений и температур в результате чего происходит срастание монокристалла алмаза с поликристаллйческим алмазом с образованием монолитного тела. В згих услови х создаетс прочный тепловой контакт монокристалла аломаза с поликристалличаским алмазом, что вместе с более высокой теплопроводностью поликристаллического алмаза увеличивает быстродействие те{ 1истора.collectors of known thermistors; A diamond single crystal is pressed into a sintered diamond composition under conditions of high pressures and temperatures, as a result of which the diamond single crystal grows into a polycrystalline diamond to form a monolithic body. Under these conditions, a strong thermal contact of a single crystal of diamond with a polycrystalline diamond is created, which, together with the higher thermal conductivity of polycrystalline diamond, increases the response time of the {1) torus.
Кроме того, термистор более устойчив к агрессивным средам, например к повышенной влажности.In addition, the thermistor is more resistant to aggressive environments, such as high humidity.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792818246A SU911631A1 (en) | 1979-09-19 | 1979-09-19 | Thermistor and method of manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792818246A SU911631A1 (en) | 1979-09-19 | 1979-09-19 | Thermistor and method of manufacturing same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU911631A1 true SU911631A1 (en) | 1982-03-07 |
Family
ID=20850000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792818246A SU911631A1 (en) | 1979-09-19 | 1979-09-19 | Thermistor and method of manufacturing same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU911631A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113643869A (en) * | 2021-10-12 | 2021-11-12 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | High-stability resistor paste for thick-film resistor |
-
1979
- 1979-09-19 SU SU792818246A patent/SU911631A1/en active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113643869A (en) * | 2021-10-12 | 2021-11-12 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | High-stability resistor paste for thick-film resistor |
CN113643869B (en) * | 2021-10-12 | 2022-02-25 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | High-stability resistor paste for thick-film resistor |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
GB2179748A (en) | Thermal flow sensor | |
EP0336437A3 (en) | Pressure sensing transducer employing piezoresistive elements on sapphire | |
US4712082A (en) | Pressure sensor | |
JPS63293432A (en) | Strain detector | |
US4276535A (en) | Thermistor | |
US4238957A (en) | Pyrometric sheath and process | |
US3487238A (en) | Ceramic transducer elements and accelerometers utilizing same | |
SU911631A1 (en) | Thermistor and method of manufacturing same | |
SE8006738L (en) | PROCEDURE FOR HEAT ISOSTAT COMPRESSION OF POROSA FORMS OF SILICONE CERAMICS | |
Douglas | Anhydrous Sodium Hydroxide: 0 to 700 C, the Transition Melting Point | |
JPH0354841B2 (en) | ||
CN111289169B (en) | Passive wireless temperature and pressure integrated sensor based on LC resonance and preparation method thereof | |
CN109813490B (en) | MEMS capacitive vacuum gauge and manufacturing method thereof | |
JPS5627630A (en) | Pressure sensitive element | |
JPH0233903A (en) | Temperature measuring device | |
JP3377874B2 (en) | Thin film sensor element and method of manufacturing the same | |
Osadchii et al. | Thermodynamic properties of dyscrasite (Ag 3 Sb) at isostatic pressures 4000–8000 bar | |
JP2861452B2 (en) | Environmental resistance sensor | |
JPS6312178A (en) | Pressure detector | |
JPS5946401B2 (en) | thermistor | |
JPH0211850B2 (en) | ||
SU1158872A1 (en) | Temperature-sensitive element | |
JPS633234A (en) | Pressure detector | |
Nagai et al. | Humidity sensor characteristics of porous zeolite ceramics at elevated temperatures | |
SU1636699A1 (en) | Resistance thermometer for use in liquid medial and method for manufacture thereof |