SU902122A1 - Лини задержки - Google Patents

Description

(54) ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ

1

Изобретение относитс  к радиотехнике и может использоватьс  в устройствах обработки сверхвысокочастотного сигнала в аналоговой форме.

Известна лини  задержки, содержаща  ферритовый слой и полупроводниковый слой с расположенными на его поверхности омическими контактами и входную и выходную антенны 1.

Однако известна  лини  задержки характеризуетс  сравнительно высокими потер ми .

Цель изобретени  - уменьшение потерь сверхвысокочастотного сигнала.

Дл  достижени  поставленной цели линии задержки входна  и выходна  антенны расположены на полупроводниковом слое между омическими контактами.

При этом входна  и выходна  антенны, а также омические контакты расположены на одной поверхности полупроводникового сло , или входна  и выходна  антеннь и омические контакты расположены на противоположных поверхност х полупроводникового сло .

На фиг. 1 представлена предлагаема  лини , общий вид, поперечное сечение (при

расположении входной и выходной системы антенны и омических контактов на одной поверхности полупроводникового сло ); на фиг. 2 - то же, при расположении входной и выходной антенны и омических контактов на противоположных поверхност х полупроводникового сло .

Лини  задержки содержит ферритовый 1 и полупроводниковый 2 слой, омические контакты 3, входную 4 и выходную 5 антенны. На фиг. 1 и 2 показаны также диэлектрическа  подложка 6 и металлическое основание 7.

Предлагаема  лини  задержки работает следующим образом.

Слоиста  структура из ферритового 1 и

15 полупроводникового 2 слоев, у краев которой имеютс  входна  4 и выходна  5 антенны , намагничиваетс  системой подмагничивани  (не показана) в плоскости структуры перпендикул рно направлению распространени  волны. На входную антенну 4 подаетс  сверхвысокочастотный (СВЧ) сигнал, который возбуждает в ферритовом слое 1 спиновую волну. Синхронно с СВЧ-сигналом на омические контакты 3 подаетс  импульс тока , который отдает свою энергию спиновой

волне при соблюдении взаимодействи  электронов полупроводникового сло  2 с спиновой волной. Потери, претерпеваемые волной при распространении, таким образом, частично компенсируютс . В силу меньшей скорости распространени  волны в ферритовом слое 1, чем в вакууме, на выходной антенне 5 регистрируетс  задержанный СВЧ-сигнал с соответствуюндей амплитудой.

Предлагаема  лини  задержки позвол ет уменьшить потери сигнала и увеличить эффективность работы примерно в 10 раз.

Claims (3)

1. Лини  задержки, содержаща  ферритовый слой и полупроводниковый слой с расположенными на его поверхности омическими контактами и входную и выходную ан (риг. ;

/

У///Л

тенны, отличающа с  тем, что, с целью уменьшени  потерь сверхвысокочастотного сигнала, входна  и выходна  антенны расположены на полупроводниковом слое между омическими контактами.

2.Лини  по п. 1, отличающа с  тем, что входна  и выходна  антенны, а также омические контакты расположены на- одной поверхности полупроводникового сло .

3.Лини  по п. 1, отличающа с  тем, что входна  и выходна  антенны и омические контакты расположены на противоположных поверхност х полупроводникового сло .

Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Szustakowski М., Wegki В. Ргос.

of wibration Problems 1973,. v. 14, № 2,

p. 155-162 (прототип).

/////.