SU897757A1 - Сегнетоэлектрический керамический материал - Google Patents

Сегнетоэлектрический керамический материал Download PDF

Info

Publication number
SU897757A1
SU897757A1 SU802919069A SU2919069A SU897757A1 SU 897757 A1 SU897757 A1 SU 897757A1 SU 802919069 A SU802919069 A SU 802919069A SU 2919069 A SU2919069 A SU 2919069A SU 897757 A1 SU897757 A1 SU 897757A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
ceramic material
segnetoelectric
temperature
ferroelectric ceramic
dielectric constant
Prior art date
Application number
SU802919069A
Other languages
English (en)
Inventor
Станислав Иванович Урбанович
Леонид Григорьевич Никифоров
Original Assignee
Рыбинский Авиационный Технологический Институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Рыбинский Авиационный Технологический Институт filed Critical Рыбинский Авиационный Технологический Институт
Priority to SU802919069A priority Critical patent/SU897757A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU897757A1 publication Critical patent/SU897757A1/ru

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к керамике и может быть использовано в радиоэлектронике , преимущественно дл  изготовлени  конденсаторов.
Известны сегнетоэлектрические материалы на основе ниобата свинца
l.
Недостатком указанных материалов
 вл ютс  относительно высокие температуры обжига.
Наиболее близок к предложенному сегнетоэлектрический керамический материал , содержащий, мас.: РЬО68,33
ZiiO1,1
,Nb. 30,52
Этот материал имеет кристаллическую структуру типа пирохлора и следующие электрофизические характеристики:
Температура Кюри, С+80 Величина диэлектрической пр ницемости при комнатной температуре 200
Недостатками указанного материала  вл ютс  относительно высока  температура спекани  - до 1150°С, низкое значение диэлектрической проницаемости , невысокое значение температуры Кюри.
Цель изобретени  - снижение температуры спекани  и повышение диэлектрической проницаемости и точки Кюри.
Поставленна  цель достигаетс  тем, что известный сегнетоэлектрический керамический материал, содержащий РЬО, Nb2.0j и , дополнительно содержит ZrO при следующем соотношении компонентов, мас.%:
PdO67,0 - 69,0
,0 - 2,0
ZrOz0,1 - 0,5
Nb2.0jОстальное
В табл 1 представлены примеры се гнетоэлектри ческого керамического материала. в качестве исходных реактивов используют: PbCOg марки ч, Nb20 экстракционна  и ионообменна . Все исходные смеси приготавливают смешиванием в течение 1 ч в фарфоровой ступке со спиртом. Первый обжиг провод т при 800 С (в муфельной печи с выдержкой в течение 2 ч при этой температуре. Второй обжиг - в аппарате высокого давлени  по обычной методике: доведение давлени  до значени  Q - 80 кбар, включение нагре74 вател  и нагрев образца до , вы- держка в течение 5 мин при этой температуре , отключение нагревател  и быстрое снижение давлени . Полученные таким образом образцы имеют достаточно правильную форму диска и пригодны дл  проведени  исследований их диэлектрических свойств. В табл 2 представлены характеристики электрофизических свойств сегнетоэлектрического керамического материала ,f Таблица 1

Claims (1)

  1. 68,33 68,33 68,33 67,00 69,00 Формула изобретени  Сегнетоэлектрический керамический материал, содержащий РЬО, N6205-и ii20 , отличающийс  тем, что, с целью снижени  температуры
    30,+3
    0,1 0,3 30,23 30,03 0,5 30,30 0,5 0,1 29,90
    Таблица 2 спекани , повышени  диэлектрической проницаемости и точки Кюри он допол55 нительно содержит IrQz при следующем -соотношении компонентов, мас.%: , РЬО67,0 - 69,0 Li2O1,0-2,0 5 NhoVn NbaOjОстальное Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 897757« 1. Т1атент США № 2731.19. кл. 252-62.9, 1956. kauu.moe л г фи . Т Г вы. i.. ГвзГ
SU802919069A 1980-03-13 1980-03-13 Сегнетоэлектрический керамический материал SU897757A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802919069A SU897757A1 (ru) 1980-03-13 1980-03-13 Сегнетоэлектрический керамический материал

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802919069A SU897757A1 (ru) 1980-03-13 1980-03-13 Сегнетоэлектрический керамический материал

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU897757A1 true SU897757A1 (ru) 1982-01-15

Family

ID=20893474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU802919069A SU897757A1 (ru) 1980-03-13 1980-03-13 Сегнетоэлектрический керамический материал

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU897757A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES8308141A1 (es) "mejoras en los condensadores ceramicos".
GB1588250A (en) Method of producing a dielectric with perowskite structure
SU897757A1 (ru) Сегнетоэлектрический керамический материал
CN109516804B (zh) 一种拓宽高性能工作温度区间的无铅压电陶瓷的制备方法
US2812234A (en) Titanate compositions
JPH0339028B2 (ru)
JPS6229008A (ja) 誘電体磁器組成物
US3351568A (en) Production of solid state ptc sensors
US3344073A (en) Process for optionizing electrical and physical characteristics of ferroelectric materials
US3303133A (en) Process for producing dense ceramic of lead zirconate-titanate
SU789458A1 (ru) Пьезоэлектрический керамический материал
US3718730A (en) Method of treating barium titanate
US3472614A (en) Method of controlling the microstructure of a titanate ceramic
SU1330117A1 (ru) Пьезоэлектрический керамический материал
JPS59105208A (ja) 高誘電率磁器組成物
SU1219567A1 (ru) Керамический диэлектрик
JP2000143339A (ja) 圧電体磁器組成物
SU551308A1 (ru) Керамический материал
SU1102786A1 (ru) Керамический нелинейный диэлектрический материал
SU924767A1 (ru) Способ изготовлени заготовок дл высоконелинейных варисторов
SU905220A1 (ru) Пьезоэлектрический керамический материал
JPS5918155A (ja) 磁器組成物
KR820000377B1 (ko) CaTio₃구조를 가지는 유전체(誘電體)의 제조방법
JPH04270172A (ja) 圧電磁器の製造方法
SU1609780A1 (ru) Сегнетоэлектрический керамический материал