SU892323A1 - Single current pulse amplitude lever registration method - Google Patents
Single current pulse amplitude lever registration method Download PDFInfo
- Publication number
- SU892323A1 SU892323A1 SU782598633A SU2598633A SU892323A1 SU 892323 A1 SU892323 A1 SU 892323A1 SU 782598633 A SU782598633 A SU 782598633A SU 2598633 A SU2598633 A SU 2598633A SU 892323 A1 SU892323 A1 SU 892323A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- current pulse
- current
- amplitude
- semiconductor element
- pulse
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для проведения испытаний различных технических систем, где требуется измерение и регистрация амплитуды одиночного импульса тока значительной 5 величины, например наведенного импульса или импульса перенапряжений при коммутационных операциях.The invention relates to measuring technique and can be used to test various technical systems where the measurement and registration of the amplitude of a single current pulse of a significant 5 magnitude is required, for example, an induced pulse or an overvoltage pulse during switching operations.
Известен способ измерения амплитуды импульсного тока или напряжения, ос- 10 нованный на использовании конденсатора, включаемого в контролируемую цепь, в котором амплитуду импульса тока или напряжения определяют по накопленной величине заряда на конден- ,5 саторе ϋΐ] .Known method of measuring the amplitude of the pulsed current or voltage OS- 10 Nova-use capacitor in a controlled circuit, wherein the current pulse amplitude or the voltage determined by the magnitude of the charge stored on capacitor 5 Satoru ϋΐ].
Недостатком данного способа является невозможность длительного хранения измеренной величины из-за постепенного разряда конденсатора.The disadvantage of this method is the impossibility of long-term storage of the measured value due to the gradual discharge of the capacitor.
Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ измерения и регистрации пиков тока, [согласно которому об амплитуде тока судят по величине остаточного магнитного потока ферромагнитного сердечника, намагничиваемого измеряемым током Г?].The closest technical solution to the invention is a method for measuring and recording current peaks, [according to which the amplitude of the current is judged by the magnitude of the residual magnetic flux of the ferromagnetic core magnetized by the measured current G?].
Цель изобретения - увеличение длительности сохранения информации, повышение точности и расширение диапазона измерений.The purpose of the invention is to increase the duration of information storage, increase accuracy and expand the measurement range.
Поставленная цель достигается тем, что согласно способу, основанному на измерении измененного под влиянием прошедшего импульса тока параметра чувствительного элемента,, регистрируемый импульс тока пропускают через полупроводниковый элемент, вызывая его тепловой или лавиннотепловой пробой, измеряют остаточное сопротивление пробитого полупроводникового элемента и по заранее полученной экспериментальной зависимости между амплитудами импульсов тока и остаточными сопротивлениями полу проводникового элемента определяют регистрируемый импульс тока.This goal is achieved by the fact that according to the method based on the measurement of the parameter of the sensitive element changed under the influence of the transmitted current pulse, the detected current pulse is passed through the semiconductor element, causing it to be thermal or avalanche-thermal breakdown, the residual resistance of the punched semiconductor element is measured and the experimental dependence obtained in advance between the amplitudes of the current pulses and the residual resistances of the semi-conductor element is determined first current pulse.
Кроме того, полупроводниковый элемент предварительно необратимо пробивают импульсом тока, амплитуда которого заведомо меньше амплитуды регистрируемого импульса.In addition, the semiconductor element is previously irreversibly punctured by a current pulse, the amplitude of which is obviously less than the amplitude of the detected pulse.
Действие предлагаемого способа основано на экспериментально установленном свойстве полупроводниковых элементов, которое состоит в том, что между остаточным сопротивлением необратимо пробитых полупроводниковых элементов и амплитудой тока, протекающей через полупроводниковый элемент при пробое (при длительности импульса ,более единиц миллисекунд), существует стабильная однозначная зависимость.The action of the proposed method is based on the experimentally established property of semiconductor elements, which consists in the fact that there is a stable unambiguous dependence between the residual resistance of irreversibly punched semiconductor elements and the amplitude of the current flowing through the semiconductor element during breakdown (with a pulse duration of more than a few milliseconds).
На фиг. 1 приведена экспериментальная зависимость величины остаточного сопротивления пробитых транзисторов МП15А (Root) от амплитуд и импульсов тока (I cj ), протекающих через эти приборы при пробое (для каждой экспериментальной точки зависимости испытывалось 10 приборов), пунктирной линией показан доверительный интервал величины R0CTс надежностью 0,9; на фиг. 2 - статистически усредненная зависимость f (la) для транзисторов МП15А, построенная в координатах (ROcp 1/фIn FIG. Figure 1 shows the experimental dependence of the residual resistance of the punched MP15A transistors (Root) on the amplitudes and current pulses (I cj) flowing through these devices during the breakdown (10 devices were tested for each experimental dependence point), the dashed line shows the confidence interval of the value R 0CT with reliability 0.9; in FIG. 2 - statistically averaged dependence f (la) for transistors MP15A, constructed in coordinates (R O cp 1 / f
Аналогичные зависимости (с другими диапазонами величин lq и R0CT) получены при испытаниях диодов Д220, 1Д507А, 2Д104, Д503 и др.,а также транзисторов П210, МП16, 1Т80б,А,Б,В, 1Т403 и др.Similar dependences (with other ranges of lq and R 0CT values ) were obtained when testing diodes D220, 1D507A, 2D104, D503, etc., as well as transistors P210, MP16, 1T80b, A, B, V, 1T403, etc.
Способ осуществляют следующим образом.The method is as follows.
Через полупроводниковый элемент пропускают импульс тока, вызывающий его необратимый тепловой или лавиннотепловой пробой, измеряют остаточное сопротивление полупроводникового элемента и по величине данного сопротивления по экспериментально полученной зависимости между амплитудами импульсов тока; и остаточными сопротивлениями данного полупроводникового элемента определяют регистрируемый импульс тока.A current pulse is passed through the semiconductor element, causing it to be irreversible thermal or avalanche-thermal breakdown, the residual resistance of the semiconductor element is measured, and the magnitude of this resistance is measured from the experimentally obtained relationship between the amplitudes of the current pulses; and the residual resistances of this semiconductor element determine the detected current pulse.
Уменьшение доверительного интервала (или повышение надежности результата испытаний) и соответствующее повышение точности способа может быть достигнуто при использовании для снятия зависимости R0CT = f(l ) полупроводниковых приборов с малым разбросом толщин базовой области, отбор которых может быть произведен известными методами неразрушающего контроля.A decrease in the confidence interval (or an increase in the reliability of the test result) and a corresponding increase in the accuracy of the method can be achieved by using semiconductor devices with a small variation in the thickness of the base region to remove the dependence R 0CT = f (l), the selection of which can be made by known non-destructive testing methods.
Исследования влияния амплитуд импульсов тока на величину остаточного сопротивления пробитых полупроводниковых приборов показали, что для большого числа групп и типоразмеров приборов зависимость Rocr = fOej) хорошо апроксимируется функцией Roc^= , где А - постоянная величина, которая может быть определена теоретически или экспериментально.Studies of the influence of the amplitudes of current pulses on the value of the residual resistance of punched semiconductor devices have shown that for a large number of groups and sizes of devices the dependence R ocr = fOej) is well approximated by the function R oc ^ =, where A is a constant value that can be determined theoretically or experimentally.
Данный факт позволяет упростить процедуру предварительной градуировки и уменьшить число приборов, используемых для построения зависимостиThis fact allows us to simplify the preliminary calibration procedure and reduce the number of devices used to build the dependence
Использование предлагаемого способа регистрации уровня амплитуды одиночного импульса тока позволяет значительно упростить измерительную аппаратуру и повысить надежность измерений.Using the proposed method for recording the amplitude level of a single current pulse can significantly simplify the measuring equipment and improve the reliability of measurements.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782598633A SU892323A1 (en) | 1978-04-03 | 1978-04-03 | Single current pulse amplitude lever registration method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782598633A SU892323A1 (en) | 1978-04-03 | 1978-04-03 | Single current pulse amplitude lever registration method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU892323A1 true SU892323A1 (en) | 1981-12-23 |
Family
ID=20757067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782598633A SU892323A1 (en) | 1978-04-03 | 1978-04-03 | Single current pulse amplitude lever registration method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU892323A1 (en) |
-
1978
- 1978-04-03 SU SU782598633A patent/SU892323A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69318845D1 (en) | METHOD FOR SHORTENED AGING TESTING OF SEMICONDUCTOR COMPONENTS | |
US3793584A (en) | Ignition system test instrument and method | |
US4437060A (en) | Method for deep level transient spectroscopy scanning and apparatus for carrying out the method | |
SU892323A1 (en) | Single current pulse amplitude lever registration method | |
US4517511A (en) | Current probe signal processing circuit employing sample and hold technique to locate circuit faults | |
FR1576123A (en) | ||
US3296523A (en) | Apparatus for measuring characteristics of materials through the application of pulses of successively increasing amplitude | |
CN204666777U (en) | Reverse recovery current is utilized to measure the circuit of bidirectional semiconductor switch carrier lifetime | |
GB1403711A (en) | Ignition test instrument | |
GB2168820A (en) | A circuit arrangement with a hall generator supplied by a control current | |
SU1599800A1 (en) | Method of measuring specific resistance in semiconductors | |
SU494628A1 (en) | Method for determining temperature of electron transition | |
SU951198A1 (en) | Method of measuring lifespan of minority carrier in semiconductor p-n junctions | |
RU2289143C2 (en) | Method of combined testing of three-phase winding of electrical machine | |
SU416617A1 (en) | ||
US3528007A (en) | Single-shot strobing voltmeter | |
JPH0521422B2 (en) | ||
SU421959A1 (en) | METHOD OF MEASURING PUNCHING VOLTAGE;? - p-TRANSITIONS OF SEMICONDUCTOR INSTRUMENTS WITH AIRBALL MECHANISM OF BREAKTHROUGH | |
SU773538A1 (en) | Apparatus for measuring drift velocity of current carriers in semiconductor materials | |
JPH0475469B2 (en) | ||
SU1642408A1 (en) | Method of measuring current in capacitor discharge circuit | |
SU1661672A1 (en) | Method of determining division coefficient of capacitive pulse voltage divider | |
SU1095114A1 (en) | Device for investigating volt-ampere characteristics of semiconductor devices | |
SU117573A1 (en) | A method for measuring impulse voltages and a device for implementing this method | |
SU490026A1 (en) | Device for measuring the frequency errors of resistive voltage dividers |