SU886199A1

SU886199A1 - Step-down frequency converter

Info

Publication number: SU886199A1
Application number: SU762363322A
Authority: SU
Inventors: Евгений Дмитриевич Поборчий
Original assignee: Предприятие П/Я А-7306
Priority date: 1976-05-17
Filing date: 1976-05-17
Publication date: 1981-11-30

Description

(54) ПОНИЖАЮЩИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЧАСТОТЫ(54) DOWN-FREQUENCY CONVERTER

1one

Изобретение относитс к радиотехнике и может использоватьс в различных радиотехнических устройствах и системах св зи.The invention relates to radio engineering and can be used in various radio engineering devices and communication systems.

Известен понижающий преобразователь частоты, содержащий корпус, в котором размещены два полупроводниковых диода, включеиные между гребенчатыми фильтрами сигнала и гетеродина, и высокочастотный фильтр, включенный на входе усилител промежуточной частоты 1 .Known down-converter, comprising a housing in which two semiconductor diodes are placed, inclusive between comb filters of the signal and a local oscillator, and a high-frequency filter connected at the input of the intermediate frequency amplifier 1.

Однако известный преобразователь имеет сравнительно высокий коэффициент шума.However, the known converter has a relatively high noise figure.

Цель изобретени - уменьшение коэффициента шума.The purpose of the invention is to reduce the noise figure.

Поставленна цель достигаетс тем, что в преобразователе полупроводниковые диоды вклк)чены встречно и расположены между резонаторами гребенчатых фильтров, при этом каждый резонатор гребенчатого фильтра выполнен в иде двух встречных стержней с емкостным зазором, установленных симметрично в корпусе, который выполнен в виде отрезка запредельного волновода, а высокочастотный фильтр подключен к сред- ней точке между полупроводниковыми диодами через высокочастотный дроссель дл . второй гармоники гетеролина.The goal is achieved by the fact that in the converter the semiconductor diodes are turned on and are located between the resonators of the comb filters, each comb resonator filter is made ideally of two opposite rods with a capacitive gap, installed symmetrically in the housing, which is made in the form of a segment of the beyond waveguide, and the high-pass filter is connected to the middle point between the semiconductor diodes via a high-frequency choke for. second harmonic heteroline.

При этом между резонаторами гребенчатого фильтра сигнала установлен короткозамкнутый стержень с регулируемой иидуктивной проводимостью.At the same time, between the resonators of the comb filter of the signal, there is a short-circuited rod with adjustable and inductive conductivity.

На фиг 1 представлен предлагаемый преобразователь , продольный разрез; на фиг. 2 то же, вид сверху.Fig 1 shows the proposed converter, a longitudinal section; in fig. 2 the same, top view.

Понижающий преобразователь частоты содержит корпус 1, два полупроводниковых диода 2 и 3, гребенчатый фильтр сигнала, состо щий из резонаторов, образованных стержи ми 4 и 5, гребенчатый фильтр гете10 родина, состо щий из резонатора, образованного стержн ми 6 и 7, короткозамкнутый стержень 8 с регулируемой индуктивной проводимостью в виде подвижного стержн 9, высокочастотный фильтр 10 и высокочастотный дроссель II.A down converter includes a housing 1, two semiconductor diodes 2 and 3, a comb filter of a signal consisting of resonators formed by rods 4 and 5, a comb filter of a hetero 10 homeland consisting of a resonator formed by rods 6 and 7, a short-circuited rod 8 with adjustable inductive conductivity in the form of a movable rod 9, a high-frequency filter 10 and a high-frequency choke II.

ISIS

Преобразователь частоты работает следующим образом.The frequency converter operates as follows.

Сигнал сверхвысокой частоты через резонаторы, образованные стержи ми 4 и 5, поступает на полупроводниковые диоды 2 и 3. На эти же полупроводниковые диоды 2 The ultrahigh-frequency signal through the resonators formed by rods 4 and 5 enters the semiconductor diodes 2 and 3. The same semiconductor diodes 2

20 и 3 через резонатор, образованный стерж ми 6 и 7, подают колебани t, гетеродин (ие показан), определ ющие режим полуь20 and 3 through the resonator formed by rods 6 and 7, oscillations t are applied, the local oscillator (not shown), determining the mode of

проводниковых диодов 2 и 3. Токи колебани промежуточной частоты t или f,- fc, текущие через полупроводниковые диоды 2 и 3, складываютс в средней точке и через высокочастотиый дроссель 11 и высокочастотный фильтр 10 поступают на вход усилител промежуточной частоты .(не показан). Благодар симметрии конструкции напр жение колебаний гетеродина с частотой fj в средней точке между полупроводниковыми диодами 2 и 3 сильно ослаблено, а токи второй гармоники гетеродина 21 в .выходной цепи сигнала промежуточной частоты ослабл ет высокочастотный фильтр 10. Этот же высокочастотный фильтр 10 обеспечивает режим полупроводниковых диодов 2 и 3 по верхней боковой частоте близкий к холостому ходу, что, в результате оптимального вторичного преобразовани колебаний этих частот, способствует уменьшению потерь преобразовани . Шумовые сигналы и помехи, проникающие на полупроводниковые диоды 2 и 3 из усилител промежуточной частоты , преобразуютс в сигналы промежуточной частоты, напр жени которых противофазны , благодар чему ток промежуточной частоты, обусловленный этими сигналами, на выходе отсутствует.conductive diodes 2 and 3. The oscillation currents of the intermediate frequency t or f, - fc, flowing through the semiconductor diodes 2 and 3, are added at the midpoint and through the high-frequency choke 11 and the high-frequency filter 10 is fed to the input of the intermediate frequency amplifier. (not shown). Due to the symmetry of the design, the oscillation voltage of the local oscillator with the frequency fj at the midpoint between semiconductor diodes 2 and 3 is greatly attenuated, and the second harmonic currents of the local oscillator 21 in the output circuit of the intermediate frequency signal are attenuated by the high-frequency filter 10. The same high-frequency filter 10 provides the semiconductor diode mode 2 and 3 at the upper side frequency close to idle, which, as a result of the optimal secondary conversion of the oscillations of these frequencies, contributes to the reduction of conversion losses. Noise signals and noise penetrating the semiconductor diodes 2 and 3 of the intermediate frequency amplifier are converted into intermediate frequency signals whose voltages are antiphase, so that the intermediate frequency current caused by these signals is absent.

Применение короткозамкнутого стержн 8 с регулируемой индуктивной проводимостью в виде подвижного стержн 9 сокращает геометрическое рассто ние между резонаторами гребенчатого фильтра сигнала, необходимое дл получени заданной св зи, а также позвол ет обеспечить заданную неравномерность амплитудно-частотной характеристики и согласование в пределах полосы. пропускани при неизбежном разбросе электрических параметров полупроводниковых диодов 2 и 3 и уходах размеров конструкции в пределах точности изготовлени .The use of a short-circuited rod 8 with adjustable inductive conductivity in the form of a movable rod 9 reduces the geometric distance between the resonators of the comb filter of the signal necessary to obtain a given connection, and also ensures the specified non-uniformity of the amplitude-frequency characteristic and matching within the band. the transmission with the inevitable dispersion of the electrical parameters of semiconductor diodes 2 and 3 and the deviations of the dimensions of the structure within the limits of manufacturing accuracy.

Предлагаемый преобразователь частоты позвол ет улучшить технико-экономические характеристики радиоприемных устройств благодар увеличению чувствительности, улучшению частотных характеристик, Достижению высокой избирательности при малых габаритах и высокой технологичности изготовлени .The proposed frequency converter allows to improve the technical and economic characteristics of radio receivers due to the increased sensitivity, improved frequency characteristics, the achievement of high selectivity with small dimensions and high manufacturability.

Claims

1. A lowering frequency converter, comprising a housing in which two semiconductor diodes are placed, connected between comb filters of a signal and a local oscillator, and a high-frequency filter connected at the input of an intermediate frequency amplifier, characterized in that, in order to reduce the noise figure, semiconductor diodes are turned on .

opposite and located between the resonators comb filters, each comb filter cavity made in the form of two opposite rods with a capacitive gap, installed symmetrically in the housing, which is made in the form of a segment 5 of the limiting waveguide, and the high-frequency filter is connected to the midpoint between the semiconductor diodes through a high frequency choke for a second harmonic LO.

2. The converter according to p. I, is distinguished by the fact that between the resonators of the comb filter of the signal there is a short-circuited rod with adjustable inductive conductivity.

Sources of information taken into account in the examination 1. Receiver of radio relay equipment SRL-63, SRL-63А. Firm "Selenia, Italy (prototype).