SU880174A1 - Способ отжига полупроводниковых пластин - Google Patents

Способ отжига полупроводниковых пластин Download PDF

Info

Publication number
SU880174A1
SU880174A1 SU802944385A SU2944385A SU880174A1 SU 880174 A1 SU880174 A1 SU 880174A1 SU 802944385 A SU802944385 A SU 802944385A SU 2944385 A SU2944385 A SU 2944385A SU 880174 A1 SU880174 A1 SU 880174A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
plates
semiconductor plates
irradiation
increase
firing
Prior art date
Application number
SU802944385A
Other languages
English (en)
Inventor
Г.А. Крысов
В.А. Афанасьев
С.Г. Трусова
Original Assignee
Предприятие П/Я А-1067
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-1067 filed Critical Предприятие П/Я А-1067
Priority to SU802944385A priority Critical patent/SU880174A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU880174A1 publication Critical patent/SU880174A1/ru

Links

Landscapes

  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Abstract

СПОСОБ ОТЖИГА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, включакхций облучение пластин импульсами некогерентного электромагнитного излучени  миллисекундного диапазона, отличающийс  тем, что, с целью повышени  технологичности и увеличени  процента выхода, облучениетфoвoд t одновременно с двух противоположных сторон пластины.

Description

00
эо
vl
jib

Claims (1)

  1. СПОСОБ ОТЖИГА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, включающий облучение пластин импульсами некогерентного электромагнитного излучения миллисекундного диапазона, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности и увеличения процента выхода, облучение'проводят одновременно с двух противоположных сторон пластины.
SU802944385A 1980-06-18 1980-06-18 Способ отжига полупроводниковых пластин SU880174A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802944385A SU880174A1 (ru) 1980-06-18 1980-06-18 Способ отжига полупроводниковых пластин

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802944385A SU880174A1 (ru) 1980-06-18 1980-06-18 Способ отжига полупроводниковых пластин

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU880174A1 true SU880174A1 (ru) 1984-07-30

Family

ID=20903618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU802944385A SU880174A1 (ru) 1980-06-18 1980-06-18 Способ отжига полупроводниковых пластин

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU880174A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4743564A (en) * 1984-12-28 1988-05-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing a complementary MOS type semiconductor device
US4772489A (en) * 1985-09-20 1988-09-20 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of annealing a compound semiconductor substrate

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Под ред. С.Намбы. Технологи ионного легировани . М.,Сов. радио, 1974, с. 66-71. 2.Патент US № 3950187, кл. 148-1.5, опублик.1976. 3.R. Cohen et all. Termally assisted flash annealig of silicon and germanium AppI. Phys Lett.33 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4743564A (en) * 1984-12-28 1988-05-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing a complementary MOS type semiconductor device
US4772489A (en) * 1985-09-20 1988-09-20 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of annealing a compound semiconductor substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB2027752B (en) Surface hardening by high energy beam
DK35679A (da) Varmeabsorberende plade
FR2319962A1 (fr) Procede et dispositif de conversion d'energie solaire
PT65948B (fr) Teuse sur l'absorption des lipides procede de preparation pharmacologique ayant action inhibi
FR2313405A1 (fr) Procede de fabrication de copolymeres de l'ethylene
SU880174A1 (ru) Способ отжига полупроводниковых пластин
BE888008A (fr) Dissipateur hydraulique d'energie
FR2331416A1 (fr) Micro-asperites produites par un faisceau d'energie corpusculaire
BE867434A (fr) Procede et dispositif pour fabriquer des electrodes negatives, notamment en cadnium ou en zinc, pour generateurs electrochimiques et electrodes negatives ainsi obtenues
LU81075A1 (fr) Procede pyroelectrochimique de retraitement de combustibles nucleaires irradies
FR2297397A1 (fr) Machine et procede de fabrication de filets de camouflage
FR2409468B1 (fr) Absorbeur d'energie solaire et procede de fabrication de celui-ci
ATE10438T1 (de) Vorrichtung zum reinigen von fluessigkeiten, insbesondere wasser.
JPS51113468A (en) Solid surface processing system
BE769527A (fr) Procede de traitement d'un combustible nucleaire irradie
FR2353485A1 (fr) Procede perfectionne de fabrication de combustibles par irradiation
FR2344637A1 (fr) Traitement du zinc par echange d'ions
SU603393A1 (ru) Способ лечени зв кожи, вызванных радиоактивным излучением
OA05608A (fr) Dispositif pour receuillir de l'énergie solaire .
DK190181A (da) Pladevarmeveksler
DK337481A (da) Pladevarmeveksler
OA05307A (fr) Procédé et dispositif de collecte de l'énergie solaire.
JPS546861A (en) Dehydrating method for sludge
BG30774A3 (en) Method for obtaining of substituated withone base group in second and sixih position benzo- /1,2- d:4- d/ bistiazole
JPS5582724A (en) Heating method by laser beam