SU880167A1 - Способ изготовления тонкослойных полупроводниковых приборов с боковой диэлектрической изоляцией - Google Patents

Abstract

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий операции термического окисления, создания боковой диэлектрической изоляции, нанесения диэлектрического слоя, селективного травления диэлектрического слоя, вскрытия окон в диэлектрических слоях, легирования пассивной и активной базовой и эмиттерной областей, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов и улучшения их характеристик, перед формированием базовой области на полупроводниковую пластину наносят нелегированную пленку поликристаллического кремния, которую маскируют диэлектриком в местах будущих активной базовой и эмиттерной областей, производят легирование поликристаллической пленки кремния и после создания пассивной базовой области удаляют диэлектрик с участков нелегированной пленки поликристаллического кремния, осуществляют ее последовательное легирование акцептерной и донорной примесями с последующим одновременным термическим отжигом.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что после формирования боковой диэлектрической изоляции на полупроводниковую пластину осаждают нелегированную пленку поликристаллического кремния, производят ее легирование и обтравливание так, что последняя остается над диэлектрической боковой изоляцией, и затем осуществляют термический отжиг оставшейся пленки поликристаллического кремния с последующим ее окислением.3. Способ по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что после легирования участков поликристаллического кремния, расположенных над активной базовой и эмиттерной областями, наращивают легированную пленку поликристаллического кремния одного типа проводимости с эмиттером с последующим термическим отжигом.