Claims (2)
Изобретение относитс к области термометрии, преимущественно к измере нию температуры в сильных магнитных пол х. Известно устройство дл измерени температуры, содержащее германиевый термометр сопротивлени , подключенный к блоку ретстрацик }, Однако это устройство не обладает требуемой точностью измерени из-за погрешности, обусловленной вли нием магнитного пол . Наиболее близким по технической сущности к изобретению вл етс устройство дл измерени температуры преимущественно в магнитных пол х, со держащее полупроводниковый термометр соединенный последовательно с элементом компенсации вли ни магнитного пол , потенциометром, источником напр жени , и блок цифрового отсчета 2 Однако такое устройство не обладает требуемой точностью измерени , так как дл получени информации о температуре в цифровом виде требуетс на1и1чие дополнительного преобразовател тока в цифровой код, что приводит к существенной погрешности измерени . . . Целью изобретени вл етс повышение точности измерени . Это достигаетс тем, что в устройство введен формирователь импульсов, выход которого подключен к входу блока цифрового отсчета, а.вход - к элементу компенсации, выполненному в виде терморезистора . Термометр выполнен в виде кристала из высркоомного германий электронного типа проводимости. На чертеже изображена схема устройства . Устройство содержит термометр 1, потенциометр 2, источник напр жени 3, элемент компенсации вли ни магнитного пол 4, выполненный в виде терморезистора , формирователь импульсов 5 и блок цифрового отсчета 6. 387 Устройство работает следующим образом . Термометр 1, выполненный в виде кристалла из высокоомного германи птипа ,г снабженный с торцов контактами, один из которых вл етс инжектирующим и предназначен дл создани инфекЩ1и электронно-дырочной плазмы в полупроводнике термометра, помещаетс в магнитный зазор и к нему прикладываетс электрическое напр жение определенной величины, создаваемое с помощью потенциометра.2 и источника напр жени 3, в полупроводниковом термометре 1 возникают колебани электрического тока . С нагрузочного резистора, которым вл етс терморезистор 4, снимаютс колебани напр жени , частота которых равна частоте колебаний тока в термометре 1 и зависит от измер емой температуры. Колебани напр жени с терморезистора 4 .подаютс на вход фор мировател импульсов 5, с выхода которого импульсы поступают на вход блока цифрового отсчета 6. При измерении температуры в магнит ном зазоре в нем измен етс величина индукции. При этом, так как частота колебаний тока в кристалле 1 зависит от величины магнитной индукции и вели чины приложенного к нему напр жейи , измен етс частота колебаний напр жени на терморезисторе 4, Частота колебаний тока в кристалле I увеличиваетс при увеличении величи ны магнитной индукции и при увеличени приложенного к нему напр жени . Дл компенсации вли ни изменени величины индукции при изменении температуры последовательно с термометром 1 включен терморезистор 4. Терморезистор 4 помещен в магнитный зазор, где измер етс температура, поэтому одновременно с изменением величины индукции при изменении температуры измен етс величина сопротивлени терморезистора 4, Изменение величины сопротивлени терморезистора 4 приводит к изменению напр жени , приложенного к кристаллу 1 Так как терморезистор 1 выполнен так, что его сопротивление уменьшаетс , если уменьшаетс величина магнитной индукции при изменении температуры и наоборот, величина напр жени на кристалле I увеличиваетс в то врем , как величина магнитной индукции уменьшаетс и наоборот. При этом, так как частота колебаний тока в кристалле 1 уменьшаетс при уменьшении величины магнитной индукции, а при увеличении приложенного к нему напр жени частота увеличиваетс , достигаетс компенсаци вли ний изменени величины магнитной индукции. Формула изобретени 1.Устройство дл измерени температуры , преимущественно в магнитных пол х, содержащее полупроводниковый термометр, соединенный последовательно с элементом компенсации вли ни магнитного пол , потенциометром, источником напр жени , и блок цифрового отсчета, отличающее с тем, что, с целью повьпиени точности измерени , в устройство введен формирователь импульсрв, выход которого подключен к входу блока цифрового отсчета, а входк элементу компенсации, выполненному в виде терморезистора. 2.Устройство дл измерени температуры по п. 1, отличающеес тем, что термометр выполнен в виде кристалла из высокоомного германи электронного типа проводимости. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Шефтель И. Т. Терморезисторы, М. , Наука, 1973, с. 363. The invention relates to the field of thermometry, mainly to the measurement of temperature in strong magnetic fields. A device for measuring temperature is known, which contains a germanium resistance thermometer connected to a rettraction unit. However, this device does not have the required measurement accuracy due to an error due to the influence of a magnetic field. The closest in technical essence to the invention is a device for measuring temperature mainly in magnetic fields, containing a semiconductor thermometer connected in series with a magnetic field compensation element, a potentiometer, a voltage source, and a digital readout unit 2 However, such a device does not have the required measurement accuracy, since to obtain information about the temperature in a digital form, it is necessary to have an additional current transducer into a digital code, which leads to significant measurement error. . . The aim of the invention is to improve the measurement accuracy. This is achieved by introducing a pulse shaper into the device, the output of which is connected to the input of the digital readout unit, and the input to the compensation element made in the form of a thermistor. The thermometer is made in the form of a crystal from high-resistance germanium of the electronic conductivity type. The drawing shows a diagram of the device. The device contains a thermometer 1, a potentiometer 2, a voltage source 3, an element for compensating the influence of a magnetic field 4, made in the form of a thermistor, a pulse shaper 5 and a digital readout unit 6. 387 The device operates as follows. A thermometer 1, made in the form of a high-resistance germanium crystal, is supplied from the ends with contacts, one of which is injecting, and is designed to create an infection of the electron-hole plasma in the thermometer's semiconductor, and an electrical voltage of a certain value is applied to it created by a potentiometer 2 and a voltage source 3, oscillations of an electric current occur in the semiconductor thermometer 1. Voltage fluctuations are removed from the load resistor, which is a thermistor 4, whose frequency is equal to the frequency of current oscillations in thermometer 1 and depends on the measured temperature. The voltage fluctuations from the thermistor 4 are fed to the input of the pulse generator 5, from the output of which the pulses arrive at the input of the digital readout unit 6. When measuring the temperature in the magnetic gap, the induction value changes in it. In this case, since the frequency of oscillations of current in crystal 1 depends on the magnitude of the magnetic induction and the magnitude of the voltage applied to it, the frequency of oscillations of voltage on the thermistor 4 changes. The frequency of oscillations of current in crystal I increases with increasing magnetic induction and increase the voltage applied to it. To compensate for the effect of a change in the induction value when the temperature changes, a thermistor 4 is connected in series with the thermometer 1. Thermistor 4 is placed in a magnetic gap where the temperature is measured, therefore, simultaneously with the change in induction value as the temperature changes, the resistance value of the thermistor changes 4 leads to a change in the voltage applied to the crystal 1. Since the thermistor 1 is made so that its resistance decreases if it decreases in mask magnetic induction changing with temperature and vice versa, the value of voltage on chip I is increased while, as the magnitude of the magnetic induction decreases and vice versa. In this case, since the frequency of oscillations of the current in the crystal 1 decreases with a decrease in the magnitude of the magnetic induction, and with an increase in the voltage applied to it, the frequency increases, compensation for the effects of a change in the magnitude of the magnetic induction is achieved. Claim 1. A device for measuring temperature, mainly in magnetic fields, containing a semiconductor thermometer connected in series with a magnetic field compensation element, a potentiometer, a voltage source, and a digital readout unit, characterized in that, in order to improve accuracy measurement device, a pulse shaper is inputted into the device, the output of which is connected to the input of the digital readout block, and the input is a compensation element made in the form of a thermistor. 2. A device for measuring temperature according to claim 1, characterized in that the thermometer is made in the form of a crystal of high-resistance germanium of the electronic type of conductivity. Sources of information taken into account in the examination 1. Sheftel I. T. Thermoresistors, M., Nauka, 1973, p. 363.
2.Авторское свидетельство СССР № 359542, кл.СО К 7/16, 01.03.71 (прототип).2. USSR author's certificate number 359542, kl.SO K 7/16, 01.03.71 (prototype).