SU866793A1 - Состав дл удалени фоторезиста на каучуковой основе - Google Patents

Description

(54) СОСТАВдл  УДАЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА НА КАУЧУКОВОЙ

ОСНОВЕ

Изобретение относитс  к области технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении гибридных интегральных схем. Известен состав дл  удалени  заду ленного негативного фоторезистора на каучуковой основе l, содержащий, г: Хлористый метилен 26,5 Трихлорэтилен35 Фенол19,6 Вутилацетат6,5 С использованием ультразвуковой обработки врем  сн ти  задубленной пленки с помощью известного состава составл ет 20 мин. Однако данным сос тавом при глубокой полимеризации резиста не удаетс  качественно удалить фоторезист с подложки. Наиболее близким к предлагаемому составу  вл етс  состав дл  удалени  фоторезиста на основе толуола 2}. Однако без механического воздействи  пленки фоторезиста в толуоле н удал етс , дл  удалени  пленки фоторезнста с помощью механического воздействи  требуетс  не менее 5 ч выдержки пленки в толуоле. Цель изобретени  - сокращение времени удалени  фоторезиста. Поставленна  цель достигаетс  тем, что состав дл  удалени  фоторезиста на каучуковой основе, содержащий толуол , дополнительно содержит ксилол и пропилбензол при следукщем соотношении компонентов, в об. %: Толуол30-40 Ксилол30-40 Пропилбензол 20-40 Удаление пленки фоторезиста ведут в ультразвуковом поле мощностью 230 Вт при частоте 18,5 кГц и комнатной температуре . Примеры составов с различным содержан1{ем компонентов приведены в табл. I. 3 состш .1Z-I Толуол 45 Ксилол 45 Пропилбензол 10 Указанными составми снималась ка, фоторезиста ФН-П, задубленна  в течение 1 ч. Процесс пров дилс  при комнатной температуре в ультразвуковом поле мощностью 230 Соста, об.% Толуол 45 Ксилол 45 Пропилбензол 10 Толуол 40 Ксилол 40 Пропилбензол 20 Толуол 40 Ксилол 35 Пропилбензол 25 Толуол 30 Ксилол 30 Пропилбензол 40

Толуол 25 Ксилол 25 Пропнпбеизол 8667934 II - I-ZZZEZZ .7 лен- при частоте 18,5 кГц в фарфоровом атапри кане емкостью 100 мл, Полученные результаты испытаний Вт сведены в табл. 2. I Врем  сн ти  Состо ние поверхносзадубленной пленки ти подложки после фоторезиста V мин фоторезиста , Таблица .L----.: 40 40 30 25 40 35 30 25 20 25 40 50 Таблица 2 20Следов фоторезиста , нё обнаружено 15То же 10- 15- . о .

Врем  удалени  задубленного фоторезиста меньше, чем при работе с известными составами.

Оптимальное содержание состава находитс  в пределах об.%;

Толуол40 .

Ксилол35

Пропилбензол 25

При повьшении количества толуола и ксилола и при снижении прошшбензола врем  сн ти  увеличиваетс , то же самое наблюдаетс  и при понижении количества толуола и ксилола при утменьшешш количества прошшбензола.

Claims (2)

1.Юрре Г. А. Формирование провод щих элементов схемы полуаддитивным методом с использованием жидкой фоточувствительной композиции ФН-П.Вопросы радиоэлектроники. Сер. ТДО, вып. 3, 1976, с. 60.

2.ОСТ 4. ГО.054,028. Микросхемы интегральные, гибридные, тонкопленочные , специализированные первой и второй степени интеграции. Типовые технологические процессы.,(прототип).