SU866724A1 - Импульсна лини задержки - Google Patents

Импульсна лини задержки Download PDF

Info

Publication number
SU866724A1
SU866724A1 SU792860278A SU2860278A SU866724A1 SU 866724 A1 SU866724 A1 SU 866724A1 SU 792860278 A SU792860278 A SU 792860278A SU 2860278 A SU2860278 A SU 2860278A SU 866724 A1 SU866724 A1 SU 866724A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
cell
capacitor
input
time
Prior art date
Application number
SU792860278A
Other languages
English (en)
Inventor
Вилен Антонович Сагайдачный
Марат Курбанбаевич Халикеев
Константин Иванович Маркс
Original Assignee
Предприятие П/Я М-5539
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я М-5539 filed Critical Предприятие П/Я М-5539
Priority to SU792860278A priority Critical patent/SU866724A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU866724A1 publication Critical patent/SU866724A1/ru

Links

Landscapes

  • Pulse Circuits (AREA)

Description

I
Изобретение относитс  к электронной импульсной технике,. а именно к дискретным устройствам задержки импульсных сигналов, и может найти применение в вычислительной технике, в средствах автоматики и св зи.
Известны устройства задержки, содержащие реактивный элемент(RC- или LC-цепь), выходное фиксирующее устройство l .
Однако известные устройства имеют недостаточную стабильность и значительное потребление энергии.
Наиболее близкими по технической сущности к предлагаемому изобретению  вл ютс  известные импульсные линии задержки, чейки которых вьтолнены на основе врем задающей RC-цепи и последующего транзисторного ключа в качестве выходного устройства 2 3Однако известные импульсные линий задержки имеют такие недостатки, как максимальное потребление тока от источника в исходном состо нии из-за
насыщенного режима всех транзисторов |линии задержки и нестабильна  работа .линии при времени задержки fy,ad  чейки , соизмеримом с временем переходных процессов.
Цель предлагаемого изобретени  увеличение длительности задержки  чейки при сохранении уровней ее нестабильности времени задержки и энергопотреблени  .
to
Указанна  цель достигаетс  тем, что в известной импульсной линии задержки, состо щей из входного каскада и однотипных задерживающих  чеек , соединенных последовательно и со15 держащих KJBOчeвoй каскад, состо щий из транзистора, нагрузочного резистора и резистора в цепи смещени  входа транзистора по питанию, и накопительного конденсатора, одна обкладка

Claims (1)

  1. 20 которого подсоединена к входу транзистора ключевого каскада, в  чейку введен каскад повторител  напр жеШ1Я , состо щий из нагрузочного резистора и транзистора, вход которого подсоединен между выходом транзистора и нагрузочного резистора ключевого каскада предыдущей  чейки, а между выходом транзистора и нагрузочньп резистором повторител  подсоединена друга  обкладка конденсатора . На фиг. 1 представлена принципиальна  электрическа  схема однотиповой  чейки импульсной линии задержки; на фиг. 2 - экспериментальные временные диаграммы, сн тые с экрана двухлучевого осциллографа. Импульсна  лини  задержки состоит из входного каскада, содержащего транзистор 1, нагрузочный, резистор 2 и резистор 3 в цепи смещени  базы транзистора I по питанию .,, нескол ких однотипных задерживающих  чеек 4 и 5, кажда  из которых состоит из каскада повторител  напр жени , содержащего транзистор 6 и нагрузочный резистор 7, накопительного конденсатора 8 и ключевого каскада, содержащего транзистор 9, нагрузочный резис тор 10 и резистор П в цепи смещени  базы транзистора 9 по питанию. Лини  задержки выполнена на бипол рных тра зисторах п-р-п структуры, так как в силу известных технологических особенностей транзисторы современных ин тегральных схем имеют, как правило, структуру п-р-п типа. На фиг. 2 график I изображает вре менную диаграмму изменени  напр жени  Ugv(t) входного импульса, график 2 - временную диаграмму изменени напр жени  (t) на выходе транзис тора 1, график 3 - временную диаграм му изменени  напр жени  U,r9(t) иа базе транзистора 9, график 4 - временную диаграмму изменени  напр жени  ) нэ выходе транзистора 9. В исходном состо шм транзисторы и 9 насыщены (открыты за счет токов протекающих в резисторах 3 и I, тра зистор 6 закрыт и конденсатор 8 разр жен . Входной импульс отрицательной пол рности закрывает транзистор 1, в результате чего на вход транзистора поступает импульс положительной пол рности с амплитудой л Ец. Транзистор 6 открываетс  и начинаетс  зар д конденсатора 8 до напр жени  Ъ чере вход насыщенного транзистора 9. При зтом транзистор 9 еще больше насыно состо ние последующих ка щаетс , кадов линии не измен етс . По оконча нии входного импульса транзистор I возвращаетс  в открытое состо ние, а транзистор 6 - в закрытое состо ние конденсатор 8 оказываетс  приложенным правой обкладкой, имеющей отрицательный потенциал, к входу транзистора 9 . В результате этого транзистор 9 закрываетс  и начинаетс  разр д конденсатора 8 через резисторы 7 и 1I. В течение времени разр да конденсатора 8 транзистор 9 закрыт, что приводит к открыванию каскада повторител  напр жени  и к зар ду конденсатора следующей  чейки 5. Как только напр жение Ur (график 3) станет положительным , открываетс  транзистор 9 и зар женньй конденсатор  чейки 5 закроет каскад ключа этой  чейки. Далее процессы повтор ютс . В результате передний фронт входного импульса оказываетс  задержанным в каждой  чейке на врем  разр да конденсатора. Введение в. каждую врем задающую  чейку нового дл  ее схемы каскада повторител  напр жени  подключение одной (левой на фиг. 1) из обкладок конденсатора к выходу повторител  выгодно отличает предлагаемую импульо- ную линию задержки от известного уст-, ройства, так как увеличивает врем  задержки каждой  чейки ((7 + R ) за счет значени  резистора который не повышает существующие уровни нестабильности времени задержки (значени  Cg и не увеличиваютс ) и энергопотреблени  (каскад повторител  в исходном состо нии закрыт ) . Кроме того, стало возможным плавное регулирование времени задержки  чейки при использовании переменного резистора 7. Технико-эконо шческа  эффективность данного устройства заключаетс  в том, что при 4 ксации длительности задержки всей линии потребность в количестве  чеек уменьшаетс  не менее чем в 2 раза, что соответственно приводит к уменьщению примерно в 2 раза энергопотреблени . При этом общее количество транзисторов, резисторов и конденсаторов в линии остаетс  неизменным , а значит.не изменитс  и стоимость предлагаемого устройства по сравнению с известным. Формула изобретени  Импульсна  лини  задержки, со ,сто ща  из входного каскада и одно
SU792860278A 1979-12-29 1979-12-29 Импульсна лини задержки SU866724A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792860278A SU866724A1 (ru) 1979-12-29 1979-12-29 Импульсна лини задержки

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792860278A SU866724A1 (ru) 1979-12-29 1979-12-29 Импульсна лини задержки

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU866724A1 true SU866724A1 (ru) 1981-09-23

Family

ID=20868184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792860278A SU866724A1 (ru) 1979-12-29 1979-12-29 Импульсна лини задержки

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU866724A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4308509A (en) Filter circuit utilizing charge transfer device
US4321661A (en) Apparatus for charging a capacitor
US4068295A (en) Voltage multiplier for an electronic time apparatus
US6563235B1 (en) Switched capacitor array circuit for use in DC-DC converter and method
US3824447A (en) Booster circuit
US5051881A (en) Voltage multiplier
EP0032588A2 (en) Substrate bias generation circuit
US4395774A (en) Low power CMOS frequency divider
EP0030824B1 (en) An integrator with a switched capacitor and its use in a filter
US6249446B1 (en) Cascadable, high efficiency charge pump circuit and related methods
US3810031A (en) Integrated amplifying device having low drift and method of compensating for the drift of an amplifying device
GB1589414A (en) Fet driver circuits
EP0086090B1 (en) Drive circuit for capacitive loads
KR900008187B1 (ko) 전압 체배기 회로
US4344050A (en) Dual channel digitally switched capacitor filter
US4045686A (en) Voltage comparator circuit
US4276487A (en) FET driver circuit with short switching times
US5438504A (en) Voltage multiplier circuits or the like
US4910471A (en) CMOS ring oscillator having frequency independent of supply voltage
US4302804A (en) DC Voltage multiplier using phase-sequenced CMOS switches
US4180807A (en) Charge transfer circuit with voltage threshold compensating means
EP0055073A1 (en) Improvements in or relating to electronic clock generators
US3150271A (en) Transistor pump circuit with time constant multiplier
SU866724A1 (ru) Импульсна лини задержки
EP0069444A2 (en) Trigger pulse generator