SU866531A1 - Method of obtaining latent electrostatic image - Google Patents
Method of obtaining latent electrostatic image Download PDFInfo
- Publication number
- SU866531A1 SU866531A1 SU792716908A SU2716908A SU866531A1 SU 866531 A1 SU866531 A1 SU 866531A1 SU 792716908 A SU792716908 A SU 792716908A SU 2716908 A SU2716908 A SU 2716908A SU 866531 A1 SU866531 A1 SU 866531A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layer
- selenium
- positive
- photoreceptor
- charge
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
1 . .one . .
Изобретение относитс к электрографии и может быть использовано в электрофотографических копировальномножительных аппаратах, в которых примен ют промежуточные носители изображени -фоторецепторы , содержащие провод щую .подложку, фотопроводниковый слой и диэлектрический слой. Известен способ формировани скрытого изображени на селеновом фоторецепторе с диэлектрическим слоем , включающий зар дку фоторецептора в oтpицaтeJJьнoй короне на свету, перезар дку в положительной короне и последующее экспонирование 1Д.The invention relates to electrography and can be used in electrophotographic copying machines that use intermediate image carriers — photoreceptors containing a conductive substrate, a photoconductor layer, and a dielectric layer. A known method of forming a latent image on a selenium photoreceptor with a dielectric layer, comprising charging the photoreceptor in a cross-section of the JJ corona in the light, recharging in the positive corona and subsequent exposing 1D.
В св зи с созданием рельефа изображени , образованного положительным зар дом, этот способ в принципе дает возможность получени бипол рного скрытого изображени , который, в отличие от монопол рного, имеет более низкий уровень фона и более высокое разрешение.In connection with the creation of a relief of an image formed by a positive charge, this method in principle makes it possible to obtain a bipolar latent image, which, unlike the monopolar one, has a lower background level and higher resolution.
Однако при цикличной работе аппарйта трудно реализовать бипол рное изображение из-за накоплени положительного зар да на границе между селеновым и диэлектрическим сло ми. Кроме того, при циклической работе уменьшаютс чувствительность сло кHowever, during cyclic operation of the apparatus, it is difficult to realize a bipolar image due to the accumulation of positive charge at the boundary between the selenium and dielectric layers. In addition, during cyclic operation, the sensitivity of the layer to
активному излучению и врем Тамновой разр дки вследствие накоплени положительного зар да на границе между селеновым слоем и подложкой, чтовызы5 вает усталость фоторецептора.the active radiation and the time of the Tammine Discharge due to the accumulation of positive charge at the boundary between the selenium layer and the substrate, which causes the photoreceptor fatigue.
Накопление значительного положительного зар да у подложки приводит к образованию локального сильного электрического пол в селеновом слоеThe accumulation of a significant positive charge on the substrate leads to the formation of a local strong electric field in the selenium layer.
10 у подложки, вследствие чего резко возрастает генераци свободных носителей зар да у подложки и возрастает скорость темнового спада положительного зар женного свленово ;1010 on the substrate, as a result of which the generation of free charge carriers on the substrate increases sharply and the rate of dark decay of positive charged Svlenovo increases; 10
5 сло . Другим следствием накоплени положительного зар да у подложки вл етс уменьшение фактической разности потенциалов на остальной части селенового сло , зар женного до того5 layers Another consequence of the accumulation of positive charge on the substrate is a decrease in the actual potential difference in the rest of the selenium layer, which is charged before
20 значени ,положительного потенцигша. Последнее вл етс причиной резкого уменьшени чувствительности селенового сло к сильнопоглощаемым активл .ным лучам.20 value, positive potency. The latter is the reason for the sharp decrease in the sensitivity of the selenium layer to highly absorbable active rays.
25 Цель изобретени - повышение качества изображени .25 The purpose of the invention is to improve the image quality.
Поставленна цель достигаетс тем, что перед зар дкой отрицательным ко ройным разр дом производ т зар дкуThe goal is achieved by the fact that, before charging with a negative coring, a charge is produced
30 носител положительным коронным разр дом с одновременной засветкой его слабопоглощаемым актиничным излучением с длиной волны не менее 600 мкм30 of the carrier with positive corona discharge with simultaneous illumination by its weakly absorbing actinic radiation with a wavelength of not less than 600 microns
Фоторецептор зар жают в коронном разр де до заданного значени положительного потенциала и одновременно облучают слабопоглощаемым актиничным светом. После этого, фоторецептор перезар жают в коронном .разр де до заданного значени отрицательного потенциала и одновременно облучают сильнопоглощаемым актиничным светом, потом фоторецептор вновь перезар жают в темноте до заданного значени положительного потенциала, а затем экспонируют сильнопоглощаемым актиничным светом. Зар дка, совмещенна во времени с облучением положительного зар жаемого фоторецептора слабопоглощаемым актиничным светом, приводит к рассеиванию положительного объемного зар да ,у подложки и к сн тию усталости селенового сло . Необходимость использовани именно слабопоглощаемого актиничного света продиктована тем, что только слабопоглощаемый свет способен проникнуть через селеновый слой к- подложке. С другой стороны, этот свет сильно поглощаетс в сравнительно тонкой части селенового сло у подложки, как раз в зоне образовани положительног объемного зар да. Поглощение света упом нутой тонкой частью селенового сло у подложки происходит вследствие значительной степени полимеризации селена в этой области.The photoreceptor is corona-charged to a predetermined value of positive potential and simultaneously irradiated with weakly absorbing actinic light. Thereafter, the photoreceptor is recharged in the coronal size to a given value of negative potential and simultaneously irradiated with highly absorbable actinic light, then the photoreceptor is recharged again in the dark to a given value of positive potential, and then exposed to highly absorbable actinic light. A charge combined in time with the irradiation of a positively charged photoreceptor with weakly absorbed actinic light leads to the dispersion of a positive volume charge on the substrate and to the fatigue of the selenium layer. The need to use low-absorbing actinic light is dictated by the fact that only low-absorbing light is able to penetrate the selenium layer to the substrate. On the other hand, this light is strongly absorbed in a relatively thin part of the selenium layer near the substrate, just in the zone of formation of a positive volume charge. The absorption of light by the said thin part of the selenium layer near the substrate is due to a considerable degree of selenium polymerization in this region.
На фиг.1 показана схема распределени зар дов и потенциалов в фоторецепторе при зар дке с одновременным освещением слабопоглощаемым светом (1 стади );на фиг.2 - схема распределени зар дов и потенциалов в фоторецепторе при перезар5адке с одновременным освещением сильнопоглошаемым светом (2 стади ); на фиг.З схема распределени зар дов и потенциалов в фоторецепторе при зар дке в темноте (3 стади ); на фиг.4 схема распределени зар дов и потенциалов в фоторецепторе при экспонировании в сильнопоглощаемом свете (4 стади ).Figure 1 shows the distribution of charges and potentials in the photoreceptor during charging with simultaneous illumination with weakly absorbed light (Stage 1); figure 2 shows the distribution of charges and potentials in the photoreceptor during recharging with simultaneous illumination with strongly absorbable light (Stage 2) ; Fig. 3 shows the distribution of charges and potentials in the photoreceptor during charging in the dark (stage 3); Fig. 4 shows the distribution of charges and potentials in the photoreceptor when exposed to highly absorbable light (stage 4).
Электрофотографический носитель (фиг,1) состоит из алюминиевой подложки 1 с последовательно нанесенными на нее селеновыгл слоем 2 и диэлектрической пленкой 3. Селеновый стеклообразный слой 2 на границе с подложкой содержит высокополимерную прослойку 4.The electrophotographic carrier (FIG. 1) consists of an aluminum substrate 1 with successively deposited selenium layer 2 and a dielectric film 3. The selenium glassy layer 2 at the interface with the substrate contains a high polymer layer 4.
Распределение потенциалов селенового 2 и диэлектрического 3 слоев фоторецептора после первой стадии зар дки до потенциала+-25008 при одновременном облучении слабопоглощаемым (кранным) актиничным светом с длиной волны 660-800 нм показано на первой стадии. Врем первой стадии около 0,7 с. Красный свет не поглощаетс в аморфном слое и прак тически полностью поглощаетс лишь в прослойке 4. Поглощение красного света в прослойке 4 сопровождаетс генерацией положительных и отрицательных свободных носителей зар да, что обеспечивает зар дку диэлектрического сло за короткое врем и рассасывание положительного объемного зар да на границе аморфного селена с высокополимерным селеном.The distribution of the potentials of selenium 2 and dielectric 3 layers of the photoreceptor after the first stage of charging to a potential of + -25008 while simultaneously irradiated with weakly absorbed (crane) actinic light with a wavelength of 660-800 nm is shown in the first stage. The time of the first stage is about 0.7 s. Red light is not absorbed in the amorphous layer and is almost completely absorbed only in interlayer 4. The absorption of red light in interlayer 4 is accompanied by the generation of positive and negative free charge carriers, which ensures the charge of the dielectric layer in a short time and the resorption of positive volume charge at the boundary amorphous selenium with high polymer selenium.
На второй стадии показано распределение зар дов и потенциалов после второй стадии отрицательной зар дки ДО-2500В при одновременном облучении сильнопоглощаемым актиничным светом с длиной волны 380-500 нм. На этой стадии не происходит накопление положительного объемного зар да вблизи прослойки 4.In the second stage, the distribution of charges and potentials after the second stage of negative charge of DO-2500V is shown, with simultaneous irradiation with strongly absorbable actinic light with a wavelength of 380-500 nm. At this stage, there is no accumulation of positive volume charge near layer 4.
В верхней части селенового сло при облучении сильнопоглощаемым светом у границы селена с диэлектрическим слоем происходит генераци носителей и под действием электрического пол электроны инжектируютс через слой к подложке и на границе скапливаютс положительные зар ды, нейтрализующие отрицательный зар д диэлектрического сло .In the upper part of the selenium layer, when irradiated with strongly absorbing light near the selenium – dielectric layer, carriers are generated and under the action of an electric field electrons are injected through the layer to the substrate and positive charges accumulate at the interface, neutralizing the negative charge of the dielectric layer.
На третьей стадии (фиг.З) осуществл етс перезар дка фоторецептора в темноте до потенциала +500В. При этом слой за счет положительных зар дов на границе диэлектрик-селен приобретает потенциал относительно подложки равный +25DOB. Положительные зар ды на границе уравновешиваютс частично за счет отрицательных зар дов на диэлектрике. Так как темновой спад потенциалов в селеновом слое мал, то вблизи полимерной прослойки еще нет объемного зар да.At the third stage (Fig. 3), the photoreceptor is recharged in the dark to a potential of + 500V. In this case, the layer due to positive charges at the dielectric – selenium interface acquires a potential with respect to the substrate equal to + 25DOB. The positive charges at the interface are partially balanced by the negative charges on the dielectric. Since the dark potential drop in the selenium layer is small, there is still no volume charge near the polymer layer.
На четвертой стадии экспонированные участки соответствуют энергии освещени пор дка 10 Дж/см, а темные участки освещались в 5-6 раз слабее. В результате формируетс монопол рный потенциальный рельеф 800В на. селеновом слое и результирующий езипол ный рельеф от -300 до 300 В на внешней поверхности диэлектрика.In the fourth stage, the exposed areas correspond to the energy of illumination in the order of 10 J / cm, and the dark areas were illuminated 5-6 times weaker. As a result, a monopolar potential relief of 800V is formed. the selenium layer and the resulting ezipolny relief from -300 to 300 V on the outer surface of the dielectric.
Использование предлагаемого способа получени скрытого изображени на фоторецепторе с диэлектрическим слое обеспечивает, по сравнению с известным способом, стабильное бипол рное скрытое электростатическое изображение с малым уровнем фона и высоким разрешением при длительной работе аппарата.Using the proposed method for obtaining a latent image on a photoreceptor with a dielectric layer provides, in comparison with the known method, a stable bipolar latent electrostatic image with a low background level and high resolution during long-term operation of the device.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792716908A SU866531A1 (en) | 1979-01-18 | 1979-01-18 | Method of obtaining latent electrostatic image |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792716908A SU866531A1 (en) | 1979-01-18 | 1979-01-18 | Method of obtaining latent electrostatic image |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU866531A1 true SU866531A1 (en) | 1981-09-23 |
Family
ID=20806925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792716908A SU866531A1 (en) | 1979-01-18 | 1979-01-18 | Method of obtaining latent electrostatic image |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU866531A1 (en) |
-
1979
- 1979-01-18 SU SU792716908A patent/SU866531A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4071361A (en) | Electrophotographic process and apparatus | |
US4338387A (en) | Overcoated photoreceptor containing inorganic electron trapping and hole trapping layers | |
JP2003505705A (en) | Digital detector for X-ray imaging | |
SU866531A1 (en) | Method of obtaining latent electrostatic image | |
US4623243A (en) | Apparatus for improving the performance of non-crystalline silicon photosensitive material in an electronic copier | |
US4254199A (en) | Electrophotographic imaging method having a double charging sequence | |
US4433038A (en) | Electrophotographic copying process involving simultaneous charging and imaging | |
de Monts et al. | A new photoconductor imaging system for digital radiography | |
US4442191A (en) | Electrophotographic copying process for producing a plurality of copies | |
US4440844A (en) | Electrophotographic copying process involving simultaneous charging and imaging | |
US4898797A (en) | Multiple xeroprinted copies from a single exposure using photosensitive film buffer element | |
JP3875751B2 (en) | Image forming method | |
JPS6143777A (en) | Destaticizing method | |
US3853553A (en) | Method for image transfer using persistent internal polarization | |
SU572751A1 (en) | Method for obtaining electrophotographic image on photoconductive layers with dielectric fi | |
JPS59222871A (en) | Electrophotographic process | |
SU911449A1 (en) | Method of forming electrostatic image on intermediate electrographic carrier | |
US4581310A (en) | Method of forming plural copies | |
RU1797089C (en) | Method for developing charge image | |
SU705410A1 (en) | Method of producing an electrophotographic image | |
SU875322A1 (en) | Method of writing latent electrostatic image onto charged electrophotographic carrier | |
SU710019A1 (en) | Electrophotographic recording method | |
US4292385A (en) | Bi-modal photoreceptor and method | |
Jeromin et al. | Process studies on higher sensitivity xeromammography | |
JPH054671B2 (en) |