SU864567A1 - Switch - Google Patents

Switch Download PDF

Info

Publication number
SU864567A1
SU864567A1 SU792852468A SU2852468A SU864567A1 SU 864567 A1 SU864567 A1 SU 864567A1 SU 792852468 A SU792852468 A SU 792852468A SU 2852468 A SU2852468 A SU 2852468A SU 864567 A1 SU864567 A1 SU 864567A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
bus
transistor
key
resistor
base
Prior art date
Application number
SU792852468A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Станислав Александрович Березовский
Игорь Григорьевич Никитюк
Original Assignee
Одесский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Одесский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт filed Critical Одесский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт
Priority to SU792852468A priority Critical patent/SU864567A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU864567A1 publication Critical patent/SU864567A1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

Изобретение относитс  к радиоэлектронике и может быть использовано в различных радиотехнических устройствах , в частности в моделирующих устройствах технической кибернетики. Известен .ключ, содержащий ключевой транзистор, эмиттер которого соеди источником питани  и шиной вход ных сигнгшов f коллектор - с шиной выходных сигналов, а база - с коллекторной цепью управл ющего транзистора противоположного типа проводимоети , эмиттер которого соединен с общей шиной, а база - с шиной управл ющих сигналов. Переключение ключа осуществл етс  Подачей управл ющих сигналов в базовую цепь управл ющего транзистора, при этом транзистор открываетс  и на базе коммутирующего транзистора по вл етс  потенциал, от крывакмций коммутирующий TpaH3HCTOp lJ Недостатком известного ключа  вл етс  низкое быстродействие из-за того, что управл ющий транзистор вхо дит в насыщение. Степень насыщени  обуславливаетс  наличием резистора в базовой цепи этого транзистора, что снижает скорость переключени  ключа. Нёшболее.близким техническим решением к изобретению  вл етс  ключ.The invention relates to radio electronics and can be used in various radio devices, in particular in modeling devices of technical cybernetics. A key is known that contains a key transistor, the emitter of which connects a power source and an input signal bus F collector to the output signal bus, and the base to the collector circuit of the control transistor of the opposite type of conductor, the emitter of which is connected to the common bus. bus control signals. Switching the key is performed by supplying control signals to the base circuit of the control transistor, and the transistor opens and a potential appears on the basis of the switching transistor, switching voltage TpaH3HCTOp lJ is missing from the known key due to the fact that the control transistor enters saturation. The degree of saturation is caused by the presence of a resistor in the base circuit of this transistor, which reduces the switching speed of the switch. The closest technical solution to the invention is the key.

Claims (2)

(54) КЛЮЧ содержащий ключевой транзистор р-п-ртипа , эмиттер которого соединен с шиной входных сигналов и первой шиной источника питани , а коллектор - с шиной выходных сигналов и нагрузкой, подключенной к общей шине, управл ющий транзистор п-р--п-типа, коллектор которого соединен с базой ключевого транзистора р-п-р-типа и через первый резистор со второй шиной источника питани , а база - с шиной управл ющих сигналов и через второй резистор - с общей шиной 2j. Недостаток этого ключа также заключаетс  в низком быстродействии изза вхождени  в насыщение управл ющего транзистора. Целью изобретени   вл етс  повыше,ние быстродействи  ключа. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в ключ, содержащий ключевой тран зистор р-п-р-типа, эмиттер которого соединен с шиной входных сигналови первой шиной источника питани , а коллектор - с шиной выходных сигналов и нагрузкой, подключенной к общей шине , управл ющий транзистор п-р-п-типа, коллектор которого соединен с базой ключевого транзистора р-п-р-типа и через первый резистор со второй тиной источника питани , а база - с шиной управл ющих сй-гналов и через второй резистор - с общей шиной, введены диод и две цепочки, кажда  из которых состоит параллельно соединенных между собой резистора и конденсатора, приче анод диода подключен к шине выходных сигналов, а катод к эмиттеру управл ющего транзистора п-р-п-типа и через последовательно соединенные цепочки к общей шине. На четреже показана принципиальна  схема ключа. Ключ содержит клк|чевой транзистор 1 р-пр-типа проводимости, эмиттер которого соединен с шиной 2 входных сигналов и источником 3 напр жени , коллектор - с шиной 4 вь1ходных сигналов , а база - через первый резистор 5 с источником 3 напр жени  и коллекторной цепью управл ющего транзистора 6 противоположности типа проводимости , база которого соединена с шиной 7 управл ющих сигналов и через второй резистор 8 с общей шиной 9. Коллек тор ключевого транзистора 1 соединен с одним из выводов диода 10, другой вывод которого подключен к эмиттеру управл ющего транзистора 6 и общей точке соединени  параллельно включенных резистора 11 и конденсатора 12, вторые выводы которых объединены и через параллельно включенные резистор 13 и конденсатор 14 св заны с общей шиной 9, а между шиной 4 выходных сигналов и общей шиной 9 включена нагрузка 15 Ключ работает следукндим образом. В исходном состо нии ключевой тран зистор 1 р-п-р-типа закрыт положительным напр жением автономного источника 3 питани , а управл ющий тран зистор б п-р-п-типа - нулевым потенциалом на базе. .Входной сигнал в виде посто нной составл ющей или импуль сной последовательности поступает на шину 2 входных сигналов, и на шину 4 выходных сигналов ключа не передаетс . При поступлении положительного перепада напр жени , например, от интегрального триггера на шину 7 - управл ющих сигналов управл н ций транзистор 6 открываетс ,, запирающее положительное напр жение на базе ключевого транзистора 1 компенсируетс , клю чевой транзистор 1 открываетс  и вход ной сигнал поступает на шину 4 выход ных сигналов ключа. В эмиттерную цепь управл ющего транзистора б включена сложна  КС-цепь,позвол кнца  увеличить начальный ток базы управл ющего транзистора б, т.е. начальную скорость нарастани  тока эквивалентного генератора входного базового тока и сократить Ьрем  нарастани  переднего фронта. В то же врем , установившийс  зар д в базе управл ющего транзистора 6 соответствует току, гораздо меньшему по величине номинального значени  базового тока насыщени  управл ющего транзистора б, а значит степень насыщени  управл к цего транзистора б небольша . Кроме того, подключение диода 10 одним выводом к коллектору ключевого транзистора 1, а второым - к эмиттеру управл к цего транзистора б и к общей точке соединени  параллельно включенных резистора 11 и конденсатора 12, создает нелинейную обратную св зь, котора  также преп тствует насыщению управл нидего транзистора б, что уменьшает задержку и длительность заднего фронта выходного импульса за счет сокращени  времени рассасывани  неоснованных носителей в области базы при выключении ключа. Увеличение быстродействи  коммутатора при переключении расшир ет возможности построени  широкого класса устройств моделировани . Формула изобретени  Ключ, содержащий ключевой транзистор р-п-р-типа, эмиттер которого соединен с шиной входных сигналов и первой шиной источника питани , а коллектор - с шиной выходных сигналов и нагрузкой, подключенной к общей шине, управл ющий транзистор п-р-п-типа, коллектор которого соединен с базой ключевого транзистора р-п-р-типа и через первый резистор со второй шиной источника питани , а база - с шиной управл ющих сигналов и через второй резистор - с общей шиной, отличающийс  тем, что, с целью повышени  быстродействи , в него введены диод и две цепочки, кажда  из которых состоит из параллельно соединенных между собой резистора и конденсато ра, причем анод диода подключен к шине выходных сигналов , а катод - к эмиттеру управл ющего транзистора п-р-п-типа и через последовательно соединенные цепочкик общей шине. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Патент ФРГ № 1948202, кл. Н 03 К 17/60, опублик. 1977. (54) KEY containing a p-n-type key transistor, the emitter of which is connected to the input signal bus and the first power supply bus, and the collector to the output signal bus and a load connected to the common bus, the control transistor nr-p -type, the collector of which is connected to the base of the pnp-type key transistor and through the first resistor to the second power supply bus, and the base to the control signal bus and through the second resistor to the common bus 2j. The disadvantage of this key also lies in the low speed due to the saturation of the control transistor. The aim of the invention is to increase the speed of the key. The goal is achieved by the fact that the key contains a pnp-type key transistor, the emitter of which is connected to the input signal bus and the first power supply bus, and the collector to the output signal bus and the load connected to the common bus the pnp type transistor, whose collector is connected to the base of the pnp type key transistor and through the first resistor to the second power source, and the base to the control bus line and through the second resistor to bus, a diode and two chains are inserted, each of which is um connected in parallel between a resistor and a capacitor, the diode anode connected to the bus output signals, and the cathode to the emitter of the control transistor is an n-p-n type and in a serially connected chain to a common bus. The key diagram is also shown on the screen. The key contains a CLK | transistor 1 of the p-pr-type conductivity, the emitter of which is connected to the bus 2 input signals and a voltage source 3, the collector to the bus 4 voltage signals, and the base through the first resistor 5 with a voltage source 3 and collector the control transistor 6 circuit of the opposite conductivity type, the base of which is connected to the control signal bus 7 and through the second resistor 8 to the common bus 9. The collector of the key transistor 1 is connected to one of the diode 10 terminals, the other output of which is connected to the emitter of the control its transistor 6 and the common connection point of the resistor 11 and the capacitor 12 connected in parallel, the second terminals of which are combined and connected in parallel to the resistor 13 and the capacitor 14 are connected to the common bus 9, and the load 15 is turned on between the output bus 4 and the common bus 9 follows way. In the initial state, the key pnpp type 1 transistor is closed by a positive voltage of the autonomous source 3 of the power supply, and the bpnp type control transistor is connected to a zero potential on the base. The input signal in the form of a constant component or a pulse sequence is fed to the bus 2 input signals, and to the bus 4 output signals of the key is not transmitted. When a positive voltage drop occurs, for example, from an integrated trigger to the bus 7 — the control signals of the control transistor 6 opens, the locking positive voltage based on the key transistor 1 is compensated, the key transistor 1 opens and the input signal goes to the bus 4 key output signals. A complex CS circuit is included in the emitter circuit of the control transistor b, allowing the prince to increase the initial current of the base of the control transistor b, i.e. the initial rate of rise of the current of the equivalent generator of the input base current and reduce the rise time of the leading edge. At the same time, the steady state charge in the base of the control transistor 6 corresponds to a current that is much smaller than the nominal value of the base saturation current of the control transistor b, which means that the degree of saturation of the control to the transistor b is small. In addition, connecting the diode 10 with one output to the collector of the key transistor 1, and the second to the emitter of the controlled transistor b and the common connection point of the parallel-connected resistor 11 and the capacitor 12, creates a non-linear feedback that also prevents control saturation transistor b, which reduces the delay and the length of the falling edge of the output pulse by reducing the resorption time of unjustified carriers in the base region when the key is turned off. Increasing the switch speed when switching expands the possibilities of building a wide class of simulation devices. Claim of Invention The key containing a pnp-type key transistor, the emitter of which is connected to the input signal bus and the first power supply bus, and the collector to the output bus and load connected to the common bus, the control transistor pr-p- p-type, the collector of which is connected to the base of the pnp-type key transistor and through the first resistor to the second power supply bus, and the base to the control signal bus and through the second resistor to the common bus, characterized in that in order to improve speed, it introduced a diode and two chains, each of which consists of a resistor and a capacitor connected in parallel, the anode of the diode connected to the output signal bus, and the cathode to the emitter of a pn-type control transistor and through series-connected common bus . Sources of information taken into account in the examination 1.Patent of Germany No. 1948202, cl. H 03 K 17/60, published 1977. 2.Авторское свидетельство СССР 294251, кл. Н 03 К 17/60, опублик. 24.03.71 (прототип).2. Authors certificate of the USSR 294251, cl. H 03 K 17/60, published 03.24.71 (prototype).
SU792852468A 1979-12-14 1979-12-14 Switch SU864567A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792852468A SU864567A1 (en) 1979-12-14 1979-12-14 Switch

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792852468A SU864567A1 (en) 1979-12-14 1979-12-14 Switch

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU864567A1 true SU864567A1 (en) 1981-09-15

Family

ID=20864743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792852468A SU864567A1 (en) 1979-12-14 1979-12-14 Switch

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU864567A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU864567A1 (en) Switch
GB914848A (en) Improvements in tunnel diode frequency changes
SU853623A1 (en) Controlled current generator
SU613480A1 (en) Power amplifier
SU514422A1 (en) Pulse Generator
SU1531012A1 (en) Voltage indicator
SU892724A1 (en) Electronic switch
SU758497A1 (en) Variable amplitude pulse shaper
SU902222A1 (en) Square-wave generator
SU790306A1 (en) Device for switching and protecting voltage converter
SU484628A1 (en) Pulse amplifier
SU587597A1 (en) Bipolar pulse amplifier
SU744922A1 (en) Asymmetric trigger
SU748812A1 (en) Emitter-coupled unlike-conductivity transistorized trigger
SU855643A1 (en) Stabilized power source
SU658544A1 (en) Overload and short-circuiting-protected dc voltage stabilizer
SU615592A1 (en) Pulse generator
SU624356A2 (en) Pulse shaper
SU661723A1 (en) Pulse generator
SU983677A1 (en) Reference supply source
SU411620A1 (en)
SU779991A1 (en) Protection device
SU949817A1 (en) Transistorized switch
SU832725A1 (en) Micropower logic and-or /and-or-not element
SU682998A1 (en) Square voltage puls shaper