SU949817A1 - Transistorized switch - Google Patents
Transistorized switch Download PDFInfo
- Publication number
- SU949817A1 SU949817A1 SU803225210A SU3225210A SU949817A1 SU 949817 A1 SU949817 A1 SU 949817A1 SU 803225210 A SU803225210 A SU 803225210A SU 3225210 A SU3225210 A SU 3225210A SU 949817 A1 SU949817 A1 SU 949817A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- base
- collector
- source
- diode
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
(54) ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ(54) TRANSISTOR KEY
1one
Изобретение относитс к радиотехнике и может быть использовано дл формировани импульсных сигналов различного назначени , в частности служебных сигналов в трактах телевизионных устройств и дл модул ции импульсов по амплитуде. .The invention relates to radio engineering and can be used to generate pulse signals for various purposes, in particular service signals in the paths of television devices and for modulating pulses in amplitude. .
Известен транзисторный ключ, содержа- щий первый транзистор, например, п-р-п-проводимости , база которого соединена с источником входного тока, а коллектор - с катодом диода и через нагрузку - с шиной источника питани 1.A transistor switch is known that contains a first transistor, for example, pn-conduction, the base of which is connected to the input current source, and the collector is connected to the cathode of the diode and through the load to the power supply bus 1.
Недостатками известного ключа вл ютс нестабильность нижнего уровн выходного сигнала при изменении напр жени питани , а также.низкие функциональные возможности ввиду отсутстви электронной регулировки величины нижнего уровн выходного сигнала.The disadvantages of the known key are the instability of the lower level of the output signal when the supply voltage changes, as well as low functionality due to the lack of electronic control of the value of the lower level of the output signal.
Цель изобретени - повышение стабильности нижнего уровн выходного сигнала и расширение функциональных возможностей.The purpose of the invention is to increase the stability of the lower level of the output signal and enhance the functionality.
Дл достижени указанной цели в транзисторный ключ, содержащий первый транзистор , например, п-р-п-проводимости, база которого соединена с источником входного тока, а коллектор - с катодом диода и через нагрузку - с шиной источн гка питани , введены второй транзистор противоположной проводимости по отношению к первому , резистор и источник управл ющего напр жени , который подключен к базе второго транзистора, эмиттер которого соединен с анодом диода и через резистор - с щиной питани , а коллектор - с базой первого транзистора.To achieve this goal, a second transistor is inserted into the transistor switch containing the first transistor, for example, pnp conduction, the base of which is connected to the input current source and the collector to the cathode of the diode and through the load to the power supply busbar. conductivity with respect to the first, the resistor and the source of control voltage, which is connected to the base of the second transistor, the emitter of which is connected to the diode anode and through a resistor to the power supply, and the collector to the base of the first transistor.
На чертеже приведена принципиальна электрическа схема транзисторного ключа.The drawing shows a circuit diagram of a transistor switch.
Ключ содержит первый транзистор 1, база которого соединена источником 2 входного тока, а коллектор - с катодом диода 3 и через нагрузку 4 - с шиной источника 5 питани . Эмиттер второго транзистора 6 противоположной проводимости по отношению к первому транзистору подключен к аноду диода 3 и через резистор 7 соединен с щиной источника 5 питани . База второго транзистора 6 подключена к источнику 8 управл ющего напр жени , а его коллектор - к базе первого транзистора 1.The key contains the first transistor 1, the base of which is connected by the input current source 2, and the collector is connected to the cathode of diode 3 and through the load 4 to the bus of the power source 5. The emitter of the second transistor 6 of opposite conductivity with respect to the first transistor is connected to the anode of diode 3 and is connected via a resistor 7 with a power source 5 width. The base of the second transistor 6 is connected to the source 8 of the control voltage, and its collector is connected to the base of the first transistor 1.
При отсутствии входного выключающего тока транзисторный ключ включен. Выходной сигнал Uftbjx, снимаемый с коллектора транзистора 1, устанавливаетс на нижнем уровне, близком к за счет глубокой отрицательной обратной св зи черездиод 3 и транзистор 6. Измен величину Uynp источника 8 управл ющего напр жени , можно регулировать величину нижнего уровн UbbU. причем величина этого уровн Практически не зависит от изменений напр жени источника 5 питани благодар глубокой отрицательной обратной св зи через диод 3 и транзистор 6. При цодаче на вход выключающего тока Jgx с источника 2 транзистор 1 переходит в режим отсечки, и напр жение на выходе устанавливаетс на верхнем уровне, приблизительно равном величине питающего напр жени источника 5 питани . В этом состо нии ключ выключен. Таким образом, использование предлагаемой схемы транзисторного ключа позвол ет повысить стабильность нижнего уровн выходного сигнала, а также расширить его функциональные возможности.If there is no input switching current, the transistor switch is on. The output signal Uftbjx taken from the collector of transistor 1 is set at a lower level, close to deep negative feedback through diode 3 and transistor 6. By changing the Uynp value of control voltage source 8, you can adjust the lower level UbbU. moreover, the magnitude of this level is practically independent of changes in the voltage of the power supply source 5 due to the deep negative feedback through diode 3 and transistor 6. When switching to the switching current Jgx from source 2, transistor 1 switches to cut-off mode and the output voltage is set at the upper level, approximately equal to the value of the supply voltage of the power source 5. In this state, the key is turned off. Thus, the use of the proposed transistor switch circuit improves the stability of the lower level of the output signal, as well as extends its functionality.
f-чf-h
ff
-о +-o +
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU803225210A SU949817A1 (en) | 1980-12-30 | 1980-12-30 | Transistorized switch |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU803225210A SU949817A1 (en) | 1980-12-30 | 1980-12-30 | Transistorized switch |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU949817A1 true SU949817A1 (en) | 1982-08-07 |
Family
ID=20934639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU803225210A SU949817A1 (en) | 1980-12-30 | 1980-12-30 | Transistorized switch |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU949817A1 (en) |
-
1980
- 1980-12-30 SU SU803225210A patent/SU949817A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4885486A (en) | Darlington amplifier with high speed turnoff | |
KR920020847A (en) | Sample Band-Gap Voltage Reference Circuit | |
KR940015786A (en) | Analog Multiplier Operates at Low Supply Voltages | |
KR890005992A (en) | Complementary signal output circuit | |
GB939959A (en) | Switching circuits | |
US3222547A (en) | Self-balancing high speed transistorized switch driver and inverter | |
US3971961A (en) | Pulse amplifier | |
KR860009555A (en) | Input Level Shift Circuit for Low Voltage Digital to Analog Converters | |
SU949817A1 (en) | Transistorized switch | |
KR900019374A (en) | ECL / CML emitter follower current switch circuit | |
US3445788A (en) | Pulse-width modulation circuits | |
US3514637A (en) | Control apparatus | |
SU748812A1 (en) | Emitter-coupled unlike-conductivity transistorized trigger | |
SU627590A1 (en) | Switch | |
US4827156A (en) | Non-overlapping switch drive in push-pull transistor circuit | |
SU1095403A1 (en) | Semiconductor switch | |
JP2614290B2 (en) | GTO thyristor gate control device | |
SU875633A1 (en) | Electronic switch | |
SU924863A1 (en) | Transistorized switch | |
RU2065663C1 (en) | Generator of bipolar pulses of reference current | |
SU649129A1 (en) | Unsymmetric controlled multivibrator | |
SU1720106A1 (en) | Arrangement for actuating relay at low feeding voltage | |
US3210651A (en) | Square wave phase shifter | |
SU600543A1 (en) | High-voltage dc stabilizer | |
KR930006692Y1 (en) | Switching time reducted circuit used for short diode |