SU864379A1 - Method of ageing photoelectron device - Google Patents

Method of ageing photoelectron device Download PDF

Info

Publication number
SU864379A1
SU864379A1 SU792723976A SU2723976A SU864379A1 SU 864379 A1 SU864379 A1 SU 864379A1 SU 792723976 A SU792723976 A SU 792723976A SU 2723976 A SU2723976 A SU 2723976A SU 864379 A1 SU864379 A1 SU 864379A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
photocathode
voltage
training
increase
electrodes
Prior art date
Application number
SU792723976A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Анатолий Петрович Джевала
Владимир Леонидович Кузнецов
Анатолий Матвеевич Мечетин
Елена Николаевна Черкасова
Валентин Александрович Чижов
Original Assignee
Предприятие П/Я А-3726
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-3726 filed Critical Предприятие П/Я А-3726
Priority to SU792723976A priority Critical patent/SU864379A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU864379A1 publication Critical patent/SU864379A1/en

Links

Landscapes

  • Hybrid Cells (AREA)

Description

Изобретение относитс  к электронной технике, а именно к фотоэлектрош1ым приборам. Известен способ тренировки фотоэлектроннык приборов.включаюшнй облучение . фогс штоаа,поаачу аиопногонарп жени  и погрев при 11О-13О°С в течвнме1,5-2ч с последующим охлажаением но комнатной температуры со скоростью 1-1,5 град/ми Такой способ тренировки фотоэлектронных прибс ов может приводить к сжижению первс«ачагааной чувствительности фотокатоца и увеличению шумов , так как песор рованные газы и щелочные металы остаютс  в объеме прибора, при этом происхош1Т лишь их перераспре ое е- вне по внутренним поверхност м прибфа. Кроме того , перераспределение шелочньос металле в объеме прибсра может способ ствовать снижению напр жени  пробо , приводить к уменьшению рабочего вапрзоке ни , так как щелочные металлы образуют тфовод шие мостики между электродами. Извесген также способ тренировки фотоэлектронных приборов, включающий |фо грев прибора, облучение фотокатода V поаа чу насф жени  на электроды при непрерыврнсЛ откачке 2, Осшако данный способ также не позвол ет увеличить чувствительность фотокатооа и снизить урсгаень шумов. Цель изобретени  - тжышение чувствв - тепьноста и снижение шумов прибфа. Поставленна  цель д x;тигaeтc  тем, что согласно способу тревгаровки фотоэлектротных гфибфов, включающему прогрев прибора, облучение фотокатоаа и подачу напр жени  на элгктрооы Щ)и ве1ферывной откачке, предаарите ыао подают напр жение на эле№ipofflM , постевевно его увеличива  до ;aia4SНИН на 1О-1 превышающего рабочее, после «шго обдучают фэтокатод н нагревают прибор {К С, затем снижают напр жение на электродах до нул , и |фекр шают оёдучешге фотокатода и прогрев прибфа , причем все опередив осуществл ют ступен ми так, чтобы на каждой ступени 3 8 Дйвдюние в приборе не привышало цавшни  до начала тренировки более чем в п ть. ра Способ реализуетс  слеаутошим образом Фотоэлектронный прибор с.изготовленны фогокатодом, к которому через штенгель поцсоеаинен насос, например малогабаритн магнитный электроразр оный, устанавливаю на стенд, который позвол ет регулировать анодаое наг1р. жение, освещенность фотокатоца и температуру прибора. Насосом отка чивают объем прибора до минимально возможного давлени , ноне куже чем 5.10 ммрг.ст. При этом откачивают газы из объема прибора и ({изически сорбированны па его поверхност х. В объеме прибора получают фиксированное значение цавле. ни . Ступен ми подают на прибор . анодное напр  сение так, что фиксированное значение давлени  не ухудшаетс  более чем в п ть раз (при более высоком давлеиии идет П|эоцесс травлени  фотокатода) .При этом идет процесс десорбции; адсорбированных на аноде и стенках колбы молекул и атомов остаточных газов и щелоч ных металлов. Десорбци : газов происхо- дит за счет поверхностной ионизации молекул и ато(:ов, а также при наличии автоэпектрош ой эмиссии за счет бомбар дировки поверхностей прибора автоэлекгронами , причем этот механизм десорбции будет доминировать при высоких напр жени х . Экран при этом бомбардируетс  в основном за счет термотока и паразитного фототока, вызываемого оптической и ионной св зью фотокатода. Скорость увеличени  на1тр жени  и длительность ступеньки (выдержка на каждом значет-ши определ ютс  скоростью газовыделени  и ,1 скоросгью откачки насоса. После дости- лшни  максимального напр  сени , на 10-15% больше рабочего, прибор выдерживаетс  до установлени  минимально возможного давлени  в приборе. При мень шем напр же1ши уменьшаетс  скорость десорбации газа, что ведет к увеличению процесса трешфовки. При большем напр жении происход т пробои, могут разрушатьс  экраны, фотокатоды. Затем при указанном анодном напр жении обличают фотокатод с целью интенсификации удада- ни  адсорбированных газов на поверхности экрана. В зависимости от площади фо токатода устанавливают максимаш но возМС5КНЫЙ фототок черезлрибор, не допуска  увеличени  давлени  в приборе более чем в п ть раз. Дл  увеличени  скорости десорбации и энергии активации десорбции а также удалени  адсорбированных газов с тех поверхностей прибора, которые не 9 доступны электронной бомбардировке и на которых не возникает напр женности пол , о,сгстаточной дл  поверхностной десорбции за счет электростатических сил, дополнительно квысокому анодному напр жению к облучению фотокатода вводитс  .прогрев прибора. Максимальна  температура прогрева (80-150 С) лимитируетс  необратимыми изменени ми свойств фотокатода и зависит от его типа. При медленном увеличении температуры происходит десорбци  газов с приповерхностных слоев, поверхности и глубины материала поверхности , на которую проникает электрон. При максимальном анодном напр жении, облучении фотокатода к температуре откачивают десорбированные молекулы и атомы до минимально возможного давлени . После чего медленно ступен ми снижают анодное напр жение до нул  с тем, чтобы газы, наход щиес  в толще материала экрана, продиффувдировали к поверхности и десорбировали в объем прибора. Десор- бируемый поток атомов и молекул при том или ином воздействии на прибор откачиваетс  откачной системс и, в результате чего происходит очистка прибора от загр знений к избыточных щелочных ме талиов, внесенных при изготовлении. лепи о в приборе контролируетс  по вакуумфактору или ионному току насоса. Услови  тренировки более жесткие чем рабочие , привод т к газовьщелению, которое незаметно сказь Ваетс  на работе прибора в рабочих релсимах. После естественного охлаждени  прибора под откачкой до комнатной температуры и измерени  параметров его отсоедин ют от откачной системы. Данный способ показывает, что после тренировки фотоэлектронных приборов их чувствительность увеличиваетс  на 1015% от величины чувствительности до тренировки, а темновой фон уменьшаетс  на 17-85%. Таким образом, благодар  предложен- .ному способу тренировки можно повысить  роце т выхода годных изделий за счет улучшени  napawei poB тех приборов, которые до тренировки не удовлетвор ли предъ вл емым к. ним требовани м, а так- .же за счет проведени  при необходимости повторной тренировки. Ф о р -м у л а и 3 о-б р е т е н и   Способ тренировки фотоэлектронных приборов, включающий прогрев прибора. 5 86437 облучение фотокатода и подачу напр жени  на электроды при непрерывной откачке. отличающий с  тем, что, с целью повышени  чувствительности и сиижени  шумов прибора, предварительно подают5 напр жение на электроды, постепенно его увеличива  до значени , на 1О-15% ipe- вышающего рабочее, после чего облучают фотокатод и нагревают прибор до 8О150 С, затем снижают напр жение наю электродах до нул  и прекращают облучение фотокатода и прогрев прибора, причем 94 все операции ос лествл ют ступешми так, чтобы на каждо ступени; давление в приборе не привышало делени  до начапа тренировки более чем в п ть раз. Источники информации, прин тые Во внимание при экспертизе : 1. Авторское свидетельство СССР № 549848, кл. Н 01 I 38/06, 1975. 2. Соболева Н. А, Фотоэлектоонны : птэибооы. М., Наука, 1965-10. 164 (прототип )/ The invention relates to electronic equipment, namely to photoelectric devices. A known method for training photoelectronic devices. Including irradiation. FOGS STAAA, try aiopnogonarping and warming up at 11О-13О ° С for 1.5-2 hours with subsequent cooling at room temperature at a speed of 1-1.5 degrees / m. This way of training photoelectronic tools can lead to liquefaction of the first-time sensitivity photocathots and an increase in noise, since the desorbed gases and alkaline metals remain in the volume of the device, while only their redistribution takes place outside the internal surfaces of the instrument. In addition, the redistribution of the silk metal in the volume of the Pribr can contribute to a decrease in the voltage of the breakdown, leading to a decrease in the working voltage, as the alkali metals form heat transfer bridges between the electrodes. Izvesgen is also a method of training photoelectronic devices, which include | heating the device, irradiating the photocathode V by pumping electrodes during continuous pumping 2, Osshako, this method also does not allow to increase the sensitivity of the photocato and reduce the noise level. The purpose of the invention is to increase feelings and to reduce the noise of the equipment. This aim d x; tigaetc fact that according to the method trevgarovki fotoelektrotnyh gfibfov comprising heating appliance, irradiation fotokatoaa and supply voltage on elgktrooy y) and ve1feryvnoy pumping, predaarite yao voltage supplied to ele№ipofflM, increasing it to postevevno; aia4SNIN on 1O-1 is higher than the working one, then the photocathode is heated up and the device is heated {K C, then the voltage on the electrodes is reduced to zero, and the photocathode is heated and the equipment is heated up, and all ahead are carried out in steps so that at each stage 3 8 yvdyunie in the device not privyshaet tsavshni prior training more than five. The method is implemented in the following way. A photoelectric device with a fogo cathode, to which a pump is connected through a rod, for example, a small-size electric discharge, is installed on a stand that allows you to adjust the anode of a gp1p. photocatalyst illumination and device temperature. Pump out the volume of the instrument to the lowest possible pressure, but not less than 5.10 mmg. At the same time, gases are pumped out of the volume of the device and ({isically sorbed on its surfaces. In the volume of the device, a fixed value of pressure is obtained. Steps are fed to the device. Anode voltage so that the fixed value of pressure does not deteriorate more than five times (At higher pressures, the photocathode is etched). At the same time, the desorption process takes place; molecules and atoms of residual gases and alkali metals adsorbed on the anode and the walls of the flask. Desorption: gases occur due to surface ionization of molecules and then (: ov, as well as in the presence of auto-emission emission due to the bombardment of the surfaces of the device with auto-electrons, and this desorption mechanism will dominate at high voltages. The screen is bombarded mainly by the thermal current and the parasitic photocurrent caused by optical and ionic radiation Photocathode. The rate of increase in the flow rate and the duration of the step (the shutter speed at each value is determined by the gassing rate and, 1, the pumping speed of the pump. After reaching the maximum voltage, 10–15% more working, the device is maintained until the lowest possible pressure is established in the device. At a lower pressure, the gas desorption rate decreases, which leads to an increase in the process of crackling. With a higher voltage, breakdowns occur, screens, photocathodes can be destroyed. Then, at the indicated anodic voltage, a photocathode is exposed in order to intensify the removal of adsorbed gases on the surface of the screen. Depending on the area of the photocathode, the maximum photocurrent through the device is set, not allowing the pressure to increase in the device more than five times. To increase the rate of desorption and the activation energy of desorption as well as remove adsorbed gases from those surfaces of the device that are not electronically bombarded and on which the field strength does not occur, it is too strong for surface desorption due to electrostatic forces to additionally high anode voltage The photocathode is irradiated by heating the instrument. The maximum heating temperature (80-150 ° C) is limited by irreversible changes in the properties of the photocathode and depends on its type. With a slow increase in temperature, gases desorb from the surface layers, the surface and the depth of the material of the surface to which an electron penetrates. At the maximum anodic voltage, when the photocathode is irradiated to the temperature, the desorbed molecules and atoms are pumped out to the lowest possible pressure. Then, slowly, steps reduce the anodic voltage to zero so that the gases in the bulk of the screen material diffuse to the surface and desorb into the instrument volume. The desorbed flow of atoms and molecules, with a particular effect on the device, evacuates the evacuation system and, as a result, the device is cleaned of contaminants to excess alkali metals introduced during manufacture. The device is monitored by vacuum factor or pump ion current. The training conditions are more stringent than the workers, leading to gas gaps, which imperceptibly affects the operation of the device in working positions. After natural cooling of the device under pumping to room temperature and measuring its parameters, it is disconnected from the pumping system. This method shows that after training photoelectronic devices, their sensitivity increases by 1015% of the sensitivity value before training, and the dark background decreases by 17-85%. Thus, thanks to the proposed method of training, it is possible to increase the yield rate of usable products by improving napawei poB of those devices that did not meet the requirements for training before training, as well as by carrying out, if necessary, re-workout. F o r-m o l a and 3 o-b e r e n e A method of training photoelectronic devices, including heating the device. 5 86437 photocathode irradiation and voltage applied to electrodes during continuous pumping. characterized by the fact that, in order to increase the sensitivity and noise of the instrument, 5 the voltage is preliminarily applied to the electrodes, gradually increasing to a value of 1–15% working ip, then the photocathode is irradiated and the device is heated to 8– 150 ° C, then reduce the voltage of the electrodes to zero and stop the irradiation of the photocathode and the heating of the instrument, with 94 all operations being stepped so that at each stage; The pressure in the device did not exceed the division before the beginning of the training session by more than five times. Sources of information taken into account in the examination: 1. USSR Author's Certificate No. 549848, cl. H 01 I 38/06, 1975. 2. Sobolev, N. A, Photoelectoons: pteiboibs. M., Science, 1965-10. 164 (prototype) /

Claims (1)

Способ тренировки фотоэлектронных приборов, включающий прогрев прибора, облучение фотокатода и подачу напряжения на электроды при непрерывной откачке, отличающий ся тем, что, с целью повышения чувствительности и снижения шумов прибора, предварительно подают 5 напряжение на электроды, постепенно его увеличивая до значения, на 10-15% пре• вышающего рабочее, после чего облучают фотокатод и нагревают прибор до 80150 С, затем снижают напряжение на 10 электродах до нуля и прекращают облучение фотокатода и прогрев прибора, причем все операции осуществляют ступенями ' так, чтобы ча каждой; ступени; давление в приборе не привышало давления до начала тренировки более чем в пять раз.A method of training photoelectronic devices, including heating the device, irradiating the photocathode and applying voltage to the electrodes during continuous pumping, characterized in that, in order to increase the sensitivity and reduce the noise of the device, pre-supply 5 voltage to the electrodes, gradually increasing it to a value of 10 -15% higher than the working one, after which the photocathode is irradiated and the device is heated to 80 150 C, then the voltage at 10 electrodes is reduced to zero and the photocathode is irradiated and the device is warmed up, and all operations are carried out They step in steps so that each steps; the pressure in the device did not increase the pressure before training more than five times.
SU792723976A 1979-02-12 1979-02-12 Method of ageing photoelectron device SU864379A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792723976A SU864379A1 (en) 1979-02-12 1979-02-12 Method of ageing photoelectron device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792723976A SU864379A1 (en) 1979-02-12 1979-02-12 Method of ageing photoelectron device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU864379A1 true SU864379A1 (en) 1981-09-15

Family

ID=20809922

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792723976A SU864379A1 (en) 1979-02-12 1979-02-12 Method of ageing photoelectron device

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU864379A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4128788A (en) Method and apparatus for operating a gaseous discharge lamp with improved efficiency
US3528387A (en) Ion cleaning and vapor deposition
US3310424A (en) Method for providing an insulating film on a substrate
CN1057492A (en) Film forming device
SU864379A1 (en) Method of ageing photoelectron device
US3464907A (en) Triode sputtering apparatus and method using synchronized pulsating current
Kenty Clean‐Up and Pressure Effects in Low Pressure Mercury Vapor Discharges: A Reversible Electrical Clean‐Up of Mercury
CA1086374A (en) Gas panel assembly
DE2259526A1 (en) METHOD OF MANUFACTURING AN ROENTINE TUBE WITH AN ACTIVATED THREAD AS A CATHOD
US2844433A (en) Method of manufacture for electric discharge devices
RU2132582C1 (en) Method for manufacturing of gas-discharge alternating current indication board
US4325005A (en) Ion accelerator and a method for increasing its efficiency
JP2013065486A (en) Degasification method of electron gun, electron gun, and electron beam irradiator
JPH03207859A (en) Ion source device and ion beam treating device
SU35722A1 (en) Method of vacuum control of electronic tubes
US2178227A (en) Photoelectric tube
Fritzsche Deposition of thin films by beam induced polymerization of divinyl benzene
US1965581A (en) Electron discharge device and method of making the same
DE2050651A1 (en) Method for operating an electron-emitting cathode and an auxiliary electrode for beam shaping aufwei send device for evaporation and / or processing of materials under ultra-high vacuum and device for implementing the method
RU1774778C (en) Method of treatment under vacuum of parts and units of electronic devices
JPS5833009B2 (en) Vacuum chamber gas venting device
Dobrokhotov et al. The plasmascope: its operational features, design and applications
US1166792A (en) Evacuation process.
RU2069411C1 (en) Fluorescent-cathode display panel
SU444832A1 (en) Apparatus for applying layers of material in a vacuum