SU855950A1 - Управл емый мультивибратор - Google Patents

Description

(54) УПРАВЛЯЕМЫЙ МУЛЬТИВИБРАТОР

.Изобретение относитс  к и.мпульсной технике и может быть использовано в качестве формировател  импульсов с регулируемой частотой следовани  в различных электронных устройствах и, в частности Б след щих системах.

Известен мультивибратор с коллекторнобазовыми диодоемкостными св з ми, содержащий дополнительные транзисторы, базы которых подсоединены к коллекторам основных транзисторов, а эмиттеры - к общим точкам соединени  врем задающих конденсаторов и диодов, и источники управл ющих напр жений, к которым подсоединены коллекторы дополнительных транзисторов 1.

Однако в .этом мультивибраторе в качестве вре.м задгющих сопротивлений используютс  посто нные резисторы. Вследствие их величина, не может быть выбрана достаточно болыной, так как в этом случае транзисторы мультивибратора выйдут из режима насыщени . Следовательно, указанный мультивибратор не позвол ет получать колебани  достаточно низкой частоты .

Известен также .мультивибратор, содержащий два основных транзистора, эмиттеры

которых соединены с одной из шин источника питани , коллекторы через резисторы соединены с другой тиной, база каждого из основных транзисторов соединена через конденсатор с коллектором другого транзистора,а также два дополнительных транзистора, эмиттеры которых через резисторы соединены с шиной источника питани , а коллекторы - с базами соответствуюигих основных транзисторов и два диода 2.

Однако этот мультивибратор также не позвол ет получать колебани  достаточно

10 низкой частоты.

Цель изобретени  - расщирение низкочастотной области диапазона генерируемых импульсон.

Указанна  цель достигаетс  те.м, что 15 в мультивибратор, содержащий два основных транзистора, эмиттеры которых соединены с одной из щин источника питани , коллекторы через резисторы св заны с другой шиной, база каждого из основных транзисторов св зана через конденсатор с кол29 лектором другого транзистора, а также два дополнительных транзистора, эмиттеры которых через резисторы соединены с шиной источника питани , а коллекторы - с базами соответствующих основных транзисторов, введены источник управл юн1его напр жени  и два дополнительных диода, аноды которых соединены с.коллекторами основных транзисторов, а катоды - с базами соответствующих дополнительных, при -JTOM аноды основных диодов соединены с источником управл ющего напр жени , а катоды -- с базами дополнительных транзисторов .

На чертеже изображена принципиальна  схема устройства.

Управл емый мультивибратор выполнен и8 двух основных транзисторов 1 и 2/.)дного типа проводимости (р-П-р), коллекторы которых соединены через резисторы 3 и 4 с минусом источника питани , а база каждoгo из основных транзисторов 1 и 2 св зана с коллектором другого транзистора через врем задаюн1.ие конденсаторы 5 и 6. Е. качестве врем задающих сонротивлений использованы дополнительные транзисторы 7 и 8 (типап-р-п), включенные по схеме эмиттерного повторител . Нагрузками эмиттерных повторителей  вл ютс  резисторы 9 и К), Базы дополнительных транзисторов 7 и 8 св заны через дополнительные диоды 1I И 12 с коллекторами основных транзисто .ров 1 и 2. Управл юпдее напр жение снимаетс  со средней точки потенциометра 13 И через диоды 14 и 15 подаетс  на базы дополнительных транзисторов 7 и 8,

Мультивибратор работает следуюП 1,им образом.

Управл ющее напр жение, снимаемое С потенциометра 13 подаетс  через дополнительные диоды 14 и 15 на базы дополЧительных транзиеторов 7 и 8, открывает один из них. Нри этом в каждый конкретный момент времени открываетс  только один из диодов 14 и 15. Состо ние диодов 14 и 15 (открытое или закрытое) определ етс  напр жением на их катодах, которое, в свою очередь, определ етс  состо нием основных транзисторов 1 и 2 мультивибратора. От величины, управл ющего напр жени  зависит сопротивление коллектор-эмиттер дополнительных транзисторов 7 и 8, а следовательно , врем  разр да врем задающих кон .денсаторов 5 или 6,

Следует отметить, что в каждЕ й полупериод работы мультивибратора открытыми оказываютс  одновременно транзисторы 2 и 7 или 1 и 8. Пусть-, например, в данный момент вре.мени в открытом состо нии наход тс  транзисторы 2 и 7, причем транзистор 7 открь т за счет падени  напр жени  на резисторе 4. При этом диод 12 открыт, а диод 15 закрыт. В этом врем  происходит разр д конденсатора 6 через коллекторноэмиттерный переход транзистора 8 и резистор 10. При этом диод 11 закрыт, а управл ющее напр жение на базу транзистора 8 подаетс  через открытый диод 14. После того, как конденсатор 6 разр жаетс  почти до нулевого значени , происходит опрокидывание схемы мультивибратора, т. е. транзистор 1 открываетс , а транзистор 2 закрываетс .

Таким образом, в предлагаемом мультивибраторе частота генерируемых импульсов зависит от величины упраЕзл ющего напр жени . Чем больпЕе величина управл ющего )ЕаЕЕр жепи , тем выще частота. Причем изменение частоты проие.ходит :;а счет изменени  эквиЕ алентных врем задающих сопротивлений , которые ЕЕредставл ьот собой Еоследовательно соединенные коллекторноэмиттерные переходы транзисторов 7 и 8 и резисторьЕ 9 и 10. При этом ве:1ичиЕ)а эквивалентных врем задаюЕцих согЕротивлений в один полупериод работЕ Е пост .(на  и не зависит от управл ющего Е1аЕ1р жеЕ и . Например, если транзистор 2 насыЕцен, то транзистор 7, определ ющий величину его эквивалентного соЕгротЕЕВлени , отключен от управл ющеЕо напр жени  и Еюддерживаетс  в открытом еосто Е1ии коллекторным током транзистора 2, Поскольку эквивалеЕ1тЕюе врем задающее еоЕротивлеЕЕие основного транзистора мультивибратора, наход ЕЕдегое  в данный полупериод в режиме наСЕзИдени , не зависит от управл ющего наЕф жени , то изменение управл Еощего напр жени  не ЕЕриводит к изменению степени ЕЕасыщени  основного транзистора, а следовательно , не оказывает вли ни  ЕЕа параметры генерируемых имЕЕульеов.

Следовательно, в пред/.ЯЕае.мом мультивибраторе устранено физическое противоречие , заключающеее  в том, что при открытом состо нии любого из основных транзисторов мультивибратора, его эквивалентное сопротивление должно быть посто нным, и его величина должна обеспечивать нормальную степеньнасыщени  транзистора. В закрытом состо нии любого из основных транзисторов мультивибратора его эквивалентное врем задающее сопротивление зависит от управл юЕдего напр жени  и прини.мает достаточно больпше значени , расшир   низкочастотную область диапазона генерируемых импульеов.

Claims (2)

1.Авторское свидетельство СССР № 322848, кл. Н 03 К 3/282, 1971.

2.Справочник по импульсной технике. Под ред. В. Н. Яковлева. 1972, с. 436, рис. 13,8.