SU854915A1 - Сегнетоэлектрический керамический материал - Google Patents
Сегнетоэлектрический керамический материал Download PDFInfo
- Publication number
- SU854915A1 SU854915A1 SU792799710A SU2799710A SU854915A1 SU 854915 A1 SU854915 A1 SU 854915A1 SU 792799710 A SU792799710 A SU 792799710A SU 2799710 A SU2799710 A SU 2799710A SU 854915 A1 SU854915 A1 SU 854915A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- dielectric constant
- mol
- bao
- cao
- curie point
- Prior art date
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
(54) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ
t
Изобретение относитс к технической физике, преимущественно к технологии производства сегнетокерамических (СК) материалов, и может быть использовано дл создани новых высокоэффективных сегнетоэлементов, примен емых в термоэлектрических преобразовател х.
Подобного рода элементы должны обладать высокими значени ми удельного сопротивлени (pv) и отношени ENvOKc/EKor H (те значение диэлектрической проницаемости в точке Кюри, Ецд,ц- значение диэлектри,ческой проницаемости при комнатной тем .пературе). Кроме этого, они должны быть технологическими в услови х промышленного производства (иметь. температуры спекани (Теп ) г небольшой средний размер зерна (D), высокую плотность (d). Комплекс перечисленных свойств позвол ет трансформировать тепловую энергию в электрическую , использу свойство изменени диэлектрической проницаемости от температуры.
t
f
По сочетанию пар.1метров известными перспективными дл указанной области применени вл ютс материалы на основе фтористых соединений i и титаната бари 1.
Указанные материалы имеют высокие температуры спекани (1300-1600С) и крупнозернисты ( мкм).
Но при этом сегнетоэлектрические свойства в значительной мере подавл ютс . Отношение снижаетс до величины .
10
Наиболее близким к предлагаамому вл етс материал на основе титаната бари , полученный методом гор чего прессовани (ГП) 2.
Недостатком данного материала вл етс отсутствие резко выраженного максимума в точке Кюри, относительно высока температура спекани .
Цель изобретени - снижение температуры спекани и коэрцитивного пол ,
20 повьшение отношени диэлектрической проницаемости в точке Кюри к диэлектрической проницаемости при комнатной температуре при сохранении высоких значений электрического сопротивлени
25 и плотности и небольших средних размеров зерен.
Поставленна цель достигаетс тем, что сегнетокерамический материал, изготовленный гор чим прессованием,
30 содержащий ВаО, TiOjtfBaO,, при
следующем соотношении компонентов, мол.%:
ВаО 45,40+49,16
TlOjt45,40+49,16
СаО0,,39
. ВаО,0,2+1,201
1,,Ы
Полученный материал представл ет собой синтезированный порошок BaTaOjj в который перед ГП ввод т 1,689 ,2 мол.% стекла состава, мол.%: СаО 25,88; AlaOj 13,29; 60,83.
Получение предлагаемого материала осуществл ют следующим образом.
.Порошок BaTiOj получают пиролизом при титанилоксалата бари марки ХЧ. Стекло - сплавлением навесок СаО, AliO}, ВаО} (которые предварительно перемешивают 0,5 ч в фарфоровой ступке) в течение 1 ч при 1100°С в фарфоровом тигле. После этого стекло выливают на стальную плиту и затем тщательно измельчают. Полученный порошок стекла добав.л ют к порошку BaTiO в количествах 1,68-9,2 мол.%, далее смесь перемешивают 1,5 ч в фарфоровых ступках. ГП полученного порошка провод т в течение 40 мин при давлении 400 кг/см. т подбирают по кривьм усадки. (Плотность образцов определ ют гидростатическим взвешиванием. Температурные зависимости Е определ ют на частоте 1 кГц с помощью моста Е8-2).
5 Полученные результаты представлены в таблице.
Claims (2)
- На фиг.1 приведены температурные зависимости Е некоторых составов; на фиг.2 - петли диэлектрического гистерезиса (цифры у кривых соответствуют номерам составов, казанных в таблице). Из данных таблицывидно, что предлагаемые материалы имеют по срав нению с известным более высокое отно шение диэлектрической проницаемости в точке Кюри к диэлектрической прони цаемости при Тцомчи (Е акс/Е колли Р сохранении высоких р ,d и низких D. Оптимальным вл етс интервал концен траций вводимого стекла,68-4,8 мол. что соответствует введению, мол.%: СаО 0,44-1,25;. , 0,22-0,62; ДЬО 1,02-2,93 в .,, (BaO+TiOj.) . Формула изобретени Сегнетоэлектрический керамический материал изготовленный гор чим прессованием , содержащий ВаО и TiO, отличающийс тем, что, с целью снижени температуры спекани и коэрцитивного пол , повышени отношени диэлектрической проницаемости в точке Кюри к диэлектрической проницаемости при комнатиой температуре при сохранении высоких значений удельного электрического сопротивлени и плотности и небольших средних размеров зерен, он дополнительно содержит СаО, BjO-j, , при следующем соотношении компонентов , мол.% ВаО 45,40-49,16 TiO 45,40-49,16 СаО 0,44-2,39 BjO, 0,22-1,20 AljO 1,02-5,61 Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Cables et transmission, 1966, -20, f 2, p.125-134.
- 2.Окадзаки К. Технологи керамических диэлектриков. Энерги , 1976, с.191,
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792799710A SU854915A1 (ru) | 1979-07-19 | 1979-07-19 | Сегнетоэлектрический керамический материал |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792799710A SU854915A1 (ru) | 1979-07-19 | 1979-07-19 | Сегнетоэлектрический керамический материал |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU854915A1 true SU854915A1 (ru) | 1981-08-15 |
Family
ID=20842117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792799710A SU854915A1 (ru) | 1979-07-19 | 1979-07-19 | Сегнетоэлектрический керамический материал |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU854915A1 (ru) |
-
1979
- 1979-07-19 SU SU792799710A patent/SU854915A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS61128411A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
Luo et al. | Phase evolution and microwave dielectric properties of BaTi4O9 ceramics prepared by reaction sintering method | |
Cava et al. | Ca5Nb2TiO12 and Ca5Ta2TiO12: low temperature coefficient low loss dielectric materials | |
US2305327A (en) | Ceramic material made of magnesium titanate and method of preparing the same | |
Bih et al. | Phosphate glass-glasses as new energy density dielectric materials | |
Qi et al. | Effects of Bi2O3–ZnO–B2O3–SiO2 glass addition on the sintering and microwave dielectric properties of ZnZrNb2O8 ceramics for LTCC applications | |
SU854915A1 (ru) | Сегнетоэлектрический керамический материал | |
JP3530319B2 (ja) | 誘電定数の温度係数の補償を達成する誘電材料 | |
SU962261A1 (ru) | Сегнетоэлектрический керамический материал | |
JP3179916B2 (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物 | |
SU739035A1 (ru) | Керамический материал | |
Wu et al. | The dielectric and piezoelectric properties of 0.125 PMN-0.875 PZT ceramics doped with 4PbO· B2O3 | |
JPH0377146B2 (ru) | ||
CN117486609B (zh) | 单相复合钙钛矿陶瓷粉体、微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
JP3067814B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
SU1102786A1 (ru) | Керамический нелинейный диэлектрический материал | |
KR970001380B1 (ko) | 고주파용 유전체 세라믹스 조성물 | |
JPS6178007A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
JPS61142602A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
JPH0414704A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPS6227373A (ja) | 誘電体磁器 | |
SU1752197A3 (ru) | Керамический материал дл высокочастотных конденсаторов и способ изготовлени высокочастотных конденсаторов | |
US4159961A (en) | Dielectric and non-magnetic ceramic for high frequency applications | |
JPS61142601A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
Abou Sekkina et al. | Low temperature sintered electronic ceramic bodies for industry and engineering |