SU847250A1

SU847250A1 - Exposure meter

Info

Publication number: SU847250A1
Application number: SU792823492A
Authority: SU
Inventors: Александр Васильевич Чурбаков
Original assignee: Предприятие П/Я В-8450
Priority date: 1979-10-02
Filing date: 1979-10-02
Publication date: 1981-07-15

Description

Изобретение относитс к приборостроению , а именно к автоматическим электронным фотозатворам, и может быть использовано в фотоаппаратах в составе экспонометра или электронноатвоматического таймера. Известен экспонометр, содержащий фотодиод, включенный между выходом эмиттерного повторител и входом схе мы обработки фотоэлектронного сигнала l . . Однако данный экспонометр требует дл своего построени специальный операционный усилитель. Наиболее близким к предлагаемому техническим решением вл етс экспонометр , содержащий фотодиод, включенный между выходом эмиттерного по вторител и входом схемы обработки фотоэлектронного сигнги а, с которым также св зан затвор одного из полевы транзисторов согласованной пары-тра зисторов , исток которого св зан с входом эмиттерного повторител и с выходом генератора стабильного тока причем затвор и исток второго полевого транзистора св заны между собо а сток св зан с шиной источника пит ни 2. Недостаток этого экспонометра заключаетс в пониженной точности, обусловленной тем, что пара полевых транзисторов работает в неодинаковых услови х , так как напр жение сток-источник второго полевого транзистора, включенного на входе генератора стабильного тока посто нно, а аналогичное напр жение первого полевого транзистора зависит от величины напр жени на его затворе, т.е. от освещенности . В результате на фотодиоде по вл етс смещение и через него течет темновой неуправл емый ток, снижающий точность измерени освещенности снимаемого объекта, т.е. фотодиод не обеспечивает режим короткого замыкани .. Цель изобретени - повышение точности работы устройства. Указанна цель достигаетс тем, что в экспонометр введены диод, включенный в пр мом направлении между шиной источника питани и стоком первого полевого транзистора, и транзистор база которого св зана с истоком первого полевого транзистора, эмиттер с истоком второго полевого транзистора , а коллектор - со входом генератора стабильного тока.The invention relates to instrumentation, namely, automatic electronic photo shutters, and can be used in cameras as part of an exposure meter or electronic timer. A light meter is known that contains a photodiode connected between the output of the emitter follower and the input of the photoelectric signal processing circuit l. . However, this exposure meter requires a special operational amplifier for its construction. The closest to the proposed technical solution is an exposure meter containing a photodiode connected between the emitter output on the repeater and the input of the photoelectric signal processing circuit, which is also connected to the gate of one of the field-effect transistors of the matched pair-resistors, the source of which is connected to the emitter input the repeater is also connected to the output of a stable current generator, the gate and the source of the second field-effect transistor being connected to each other and the drain is connected to the bus of the power supply 2. The disadvantage of this exposure meter is It is reduced in accuracy due to the fact that a pair of field-effect transistors operates under unequal conditions, since the drain-source voltage of the second field-effect transistor connected at the input of a stable current generator is constant, and the analogous voltage of the first field-effect transistor depends on the voltage on its gate, i.e. from light. As a result, a displacement appears on the photodiode and a dark uncontrolled current flows through it, reducing the accuracy of measuring the illumination of the object being shot, i.e. The photodiode does not provide a short circuit mode. The purpose of the invention is to improve the accuracy of the device. This goal is achieved by introducing a diode connected in the forward direction between the power supply bus and the drain of the first field-effect transistor and the base of the transistor is connected to the source of the first field-effect transistor and the collector to the input stable current generator.

На чертеже представлена принципи-альна схема экспонометра.The drawing shows the principal scheme of the exposure meter.

Устройство содержит фотодиод 1, вк/ыоченный между выходом эмиттёрного повторител 2 и входом схемы 3 обработки фотоэлектрического сигнала, выполненной, например, в виде врем задающего конденсатора 4 с синхроконтактами 5, включенного на входе порогового устройства 6, выход которого св зан с электромагнитом 7 фотозатвора (не показан) и .св занный с затвором первого полевого транзистора О,сток которого через диод 9 св зан с шиной 10 источника питани , а исток с выходом генератора 11 стабильного тока - токового зеркала и с базой транзистора 12, эмиттер которого св зан с истоком и затвором второго полевого транзистора 13, а коллектор - со входом токового зеркала 11.The device contains a photodiode 1, on / off between the output of the emitter follower 2 and the input of the photoelectric signal processing circuit 3, made, for example, as the time of the driving capacitor 4 with synchronous contacts 5 connected at the input of the threshold device 6, the output of which is connected with the electromagnet 7 of the photogate (not shown) and connected to the gate of the first field-effect transistor O, the drain of which through the diode 9 is connected to the bus 10 of the power source and the source to the output of the stable current generator 11 - the current mirror and the base of the transistor 12, em Itter is connected to the source and gate of the second field effect transistor 13, and the collector is connected to the input of the current mirror 11.

Устройство работает следующим образом .The device works as follows.

Дл обеспечени требуемой точности фотодиоду 1 во всек услови х необходимо обеспечить рехсим короткого замыкани , дл чего он и включен между входом и выходом усилител -повторител напр жени , выполненного на полевом транзисторе 8 с динамической нагрузкой, в качестве которой использовано токовое зеркало 11, ко входу которого подключен идентичный первому -второй полевой транзистор 13 с замкнутым затвором и истоком. В силу того, что входной и выходной токи токового зеркала 11 равны, то полевой транзистор 8 работает при таком же токе стока как и поЛевой транзистор 13, т.е. напр жение между его затвором и истоком равно нулю. Напр жение полевого транзистора 8 через эмиттерный повторитель 2 с единичным коэффициентом передачи по посто нному напр жению, включенным дл разв зки по мощности, передаетс на фотодиод 1, т.е. на нем обеспечиваетс нулевое напр жение, при котором темновой ток отсутствует,In order to ensure the required accuracy of the photodiode 1 under all conditions, it is necessary to ensure a short-circuit detection, for which it is connected between the input and output of a voltage-repeater amplifier made on a field-effect transistor 8 with a dynamic load, which uses a current mirror 11 to the input which is connected identical to the first-second field-effect transistor 13 with a closed gate and source. Due to the fact that the input and output currents of the current mirror 11 are equal, the field-effect transistor 8 operates at the same drain current as the field-effect transistor 13, i.e. the voltage between its gate and source is zero. The voltage of the field-effect transistor 8 through the emitter follower 2 with a single transmission coefficient of a constant voltage switched on for power dissipation is transmitted to the photodiode 1, i.e. it provides a zero voltage at which there is no dark current,

.Так как входной ток полевого транзистора 8 чрезвычайно мал, то фототок фотодиода 1 практически весь течет во входную цепь схемы 3 обработки фотоэлектрического сигнала, В данном случае при разомкнутых синхроконтактах 5 фототок зар жает конденсатор 4, т.е. напр жение на затворе полевого транзистора 8 возрастает.Since the input current of the field-effect transistor 8 is extremely small, the photocurrent of photodiode 1 almost all flows into the input circuit of the photoelectric signal processing circuit 3, In this case, when the sync contacts 5 are open, the photocurrent charges the capacitor 4, i.e. the voltage across the gate of the field effect transistor 8 increases.

а следовательно, измен етс напр жение сток - исток. Изменение этого напр жени приводит к изменению его тока стока, что, в свою очередь, привело бы к отклонению напр жени меже ДУ затвором и истоком от нулевого уровн . Но этого не происходит, так как за счет включени транзистора 12 потенциал истока полевого транзистора 8 передаетс на исток полевого транзистора 13, т.е. его напр жение исток - сток отслеживает это же напр жение на полевом транзисторе 8, В результате оба полевых транзистора во всех случа х работают в одинаковых услови х и на фотодиоде с высокой точностью поддерживаетс нулевое напр жение. Диод 9 включен дл компенсации падени на эмиттерном переходе транзистора 12.consequently, the drain-to-source voltage changes. A change in this voltage leads to a change in its drain current, which, in turn, would lead to a deviation of the voltage between the gate and source from the zero level. But this does not occur, because by turning on transistor 12, the source potential of the field-effect transistor 8 is transmitted to the source of the field-effect transistor 13, i.e. its source-to-voltage voltage monitors the same voltage on the field-effect transistor 8. As a result, both field-effect transistors in all cases operate under the same conditions, and zero voltage is maintained on the photodiode with high accuracy. Diode 9 is included to compensate for the drop at the emitter junction of transistor 12.

0 Предлагаемое изобретение повышает точность работы экспонометра и расшир ет диапазон измер емых освещенностей за счет погашени пороговой чувствительности .0 The present invention improves the accuracy of the exposure meter and extends the range of measured illuminances by eliminating the threshold sensitivity.

Claims

1. US patent number 4104654, cl. 354-31, pub. 1978

2.Patent of England No. 1473136,

5 kl.S 1 A, published. 1977 (prototype).

P