SU845020A1 - Датчик температуры - Google Patents
Датчик температуры Download PDFInfo
- Publication number
- SU845020A1 SU845020A1 SU772512587A SU2512587A SU845020A1 SU 845020 A1 SU845020 A1 SU 845020A1 SU 772512587 A SU772512587 A SU 772512587A SU 2512587 A SU2512587 A SU 2512587A SU 845020 A1 SU845020 A1 SU 845020A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- temperature sensor
- ohmic contacts
- range
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
I
Изобретение относитс к термометрии и может быть использовано в приборах контрол и автоматического регулировани температуры .
Известны датчики температуры-терморезисторы , выполненные из металлов 1.
Такие термодатчики обладают высокой чувствительностью.
Наиболее близким по технической сущности к предложенному вл етс датчик температуры, содержащий полупроводниковый термочувствительный слой с двум омическими контактами 2.
Недостатком этого датчика вл етс срав нительно узкий диапазон измер емых температур (ШО-600°С). Вне этого диапазона чувствительность датчика значительно падает. В качестве полупроводника использован антимонид алюмини с щириной запрещенной зоны ДЕ 1,6 эВ.
Цель изобретени - расщирение диапазона измер емых температур.
Поставленна цель достигаетс тем, что датчик температуры на основе полупроводникового сло с двум омическими контактами содержит второй слой из более широкозонного полупроводника, частично изолированный от первого сло и имеющий два омических контакта, один из которых вл етс общим к обоим полупроводниковым сло м.
На фиг. 1 схематически изображен датчик температуры; на фиг. 2 - электрическа схема включени датчика температуры.
Датчик температуры состоит из полупроводникового сло 1, диэлектрического сло 2, полупроводникового сло 3, омических контактов 4 и 5.
Полупроводниковый слой 1 представл ет собой монокристаллическую пластину, выполненную из легированного узкозонного полупроводника .
Полупроводниковый слой 3 выполн етс из более широкозонного полупроводника с идентичными материалу сло 1 посто нной решетки и коэффициентом линейного рас ширени .
Диэлектрический слой 2, например, окисел , частично изолирует слой 3 от сло 1.
20
Достаточно эффективной вл етс пара германий ( IE 0,66 эВ) - фосфид галли (ДЕ 2,25 эВ).
Claims (1)
- Формула изобретенияДатчик температуры, содержащий полупроводниковый слой с двумя омическими контактами, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измеряемых температур, он содержит второй слой из полупроводника с большей шириной запрещенной зоны, частично изолированный от первого слоя и имеющий два омических контакта, один из которых является общим к обоим полупроводниковым слоям.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU772512587A SU845020A1 (ru) | 1977-08-01 | 1977-08-01 | Датчик температуры |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU772512587A SU845020A1 (ru) | 1977-08-01 | 1977-08-01 | Датчик температуры |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU845020A1 true SU845020A1 (ru) | 1981-07-07 |
Family
ID=20720060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU772512587A SU845020A1 (ru) | 1977-08-01 | 1977-08-01 | Датчик температуры |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU845020A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5141334A (en) * | 1991-09-24 | 1992-08-25 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Sub-kelvin resistance thermometer |
-
1977
- 1977-08-01 SU SU772512587A patent/SU845020A1/ru active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5141334A (en) * | 1991-09-24 | 1992-08-25 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Sub-kelvin resistance thermometer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3832668A (en) | Silicon carbide junction thermistor | |
| US4665276A (en) | Thermoelectric sensor | |
| JP3573754B2 (ja) | 温度センサー構造体 | |
| SU845020A1 (ru) | Датчик температуры | |
| US4772866A (en) | Device including a temperature sensor | |
| GB1096546A (en) | The determination of temperatures at which changes of state of substances occur | |
| US4924114A (en) | Temperature sensor | |
| JPH06258149A (ja) | 薄膜型熱電対素子 | |
| US3287976A (en) | Compensation radiation pyrometer | |
| SU887945A1 (ru) | Терморезистор | |
| SU607117A1 (ru) | Датчик температуры | |
| JPS568537A (en) | Flammable gas detecting element | |
| SU1182280A1 (ru) | Устройство для измерения· температуры | |
| JPS62139338A (ja) | 測温ウエハ | |
| SU623116A1 (ru) | Терморезистор | |
| RU1566883C (ru) | Емкостный датчик температуры труднодоступных объектов | |
| SU499507A1 (ru) | Способ измерени температуры электрическими термометрами сопротивлени | |
| SU838428A1 (ru) | Термоэлектрический приемник тепловогоизлучЕНи | |
| SU397785A1 (ru) | Е п т б | |
| SU411322A1 (ru) | ||
| SU1763960A1 (ru) | Датчик относительной влажности и температуры | |
| SU838420A1 (ru) | Термометр сопротивлени | |
| SU843030A1 (ru) | Устройство дл контрол и регули-РОВАНи ТЕМпЕРАТуРы | |
| SU894805A1 (ru) | Позистор | |
| SU426280A1 (ru) |