SU832705A1 - Device with adjustable amplification factor - Google Patents

Device with adjustable amplification factor Download PDF

Info

Publication number
SU832705A1
SU832705A1 SU792731302A SU2731302A SU832705A1 SU 832705 A1 SU832705 A1 SU 832705A1 SU 792731302 A SU792731302 A SU 792731302A SU 2731302 A SU2731302 A SU 2731302A SU 832705 A1 SU832705 A1 SU 832705A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
additional
effect transistor
field
inverting amplifier
resistor
Prior art date
Application number
SU792731302A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Яковлевич Балагура
Елена Степановна Толкачева
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6292
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6292 filed Critical Предприятие П/Я Р-6292
Priority to SU792731302A priority Critical patent/SU832705A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU832705A1 publication Critical patent/SU832705A1/en

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

(54) УСТРОЙСТВО С РЕГУЛИРУЕМЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ УСИЛЕНИЯ(54) DEVICE WITH ADJUSTABLE GAIN COEFFICIENT

1one

Изобретение относитс  к радиотехнике И может использоватьс  в различных устройствах радиоэлектроники и автоматики, в которых необходимо осуществл ть регулирование коэффициента усилени  в широком динамическом диапазоне.The invention relates to radio engineering and can be used in various devices of radio electronics and automation, in which it is necessary to adjust the gain in a wide dynamic range.

Известно устройство с регулируемым коэффициентом усилени , содержащее инвертирующий усилитель и полевой транзистор, канал сток-исток которого включен в цепь отрицательной обратной св зи инвфтирующего усилител  1.A device with an adjustable gain factor is known, which comprises an inverting amplifier and a field-effect transistor, the drain-source channel of which is included in the negative feedback circuit of the amplifier 1.

Однако зто устройство имеет ограниченны диапазон регулировани .However, this device has a limited range of adjustment.

Цель изобретени  - расширение диапазона регулировани .The purpose of the invention is to expand the range of regulation.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что к выходу .инвертирукщего усилител  через включенные последовательно койденсатор и резистор подключен дополнительный йнвер тирующий усилитель, между выходом и инвертирующим входом которого включены последовательно промежуток исток-затбор дополнительного полевого транзистора и дополнительный резистор, а к инвертирующему и неинвертирунхцему входам дополнительного инвертирующего усилител  через элемен1ы разв зки подключены соответственно источники управл ющего и опорного иапр жений, между затвором полевого транзистора и стоком дополнительного полевого транзистора включен второй дополнительный резистор, при этом затвор дополнительного полевого тра1нзистора  вл етс  выходом.The goal is achieved by connecting an additional inverting amplifier to the inverting amplifier output, connected in series with the capacitor and a resistor, between the output and the inverting input of which an additional field-effect transistor and an additional resistor are connected in series to the inverting and non-inverting inputs the amplifier through the elements of isolation are connected respectively to the sources of control and reference and voltages, between The second transistor is connected to the gate of the field-effect transistor and the drain of the additional field-effect transistor, and the gate of the additional field-effect transistor is the output.

На чертеже представх.ена принцшшальна  электрическа  схема предлагаемого устройства.In the drawing there is a representation of the electrical circuit of the proposed device.

Устройство содержит Ш{верт1фук1ций усилитель 1, полевой транзистор 2, конденсатор 3, резистор 4, дополнительный инвертирующий усилитель 5, дополнительный полевой транзистср 6, дополнительные резисторы 7 и 8, источники управл ющего 9 и опорного 10 напр жений , элементы 11 и 12 разв зки и резвскфы 13 и 14.The device contains a W {{1} amplifier 1, a field-effect transistor 2, a capacitor 3, a resistor 4, an additional inverting amplifier 5, an additional field-effect transistor 6, auxiliary resistors 7 and 8, the sources of the control 9 and the reference 10 voltages, elements 11 and 12 and rezvskfy 13 and 14.

Устройство работает следующим образом.The device works as follows.

.Опорное напр жение через нешшертирукщий вход дополнительного инвертирукщего усилител  5 прикладываетс  к переходу истокзатвор дополнительного полевого транзистора 6 в пр мом направлении. Через этот открытый переход включаетс  цепь отрицательной обратной св зи дополнительного инвертирующего усилител  5 на дополнительном резисторе 7, и коэффициент усилени  дополнительного инвертирующего усилител  5 равен отношению сопротивлени  дополнительного резистора 7 к сопротивлению элемента 12 разв зки .. . Через открытый канал сток-исток дополнительного полевого транзистора 6 опорное нащ  жение поступает также на затвор полевото транзистора 2 и запирает его канал сток-исток. Сопротивление канала сток-исток полевого транзистора 2 в закрытом состо нии значительно превьпиает сопротивление резистора 13, и коэффициент усилени  инвертирующего усилител  1 равен отнощению сопротивлени  резистора 13 к сопротивлению резистора 14. Поступившее от источника поленого сигнала на15р жение усиливаетс  устройством и выдел етс  на выходе последнего.A reference voltage across the neshcherkushchy input of the additional inverting amplifier 5 is applied to the junction source of the additional field effect transistor 6 in the forward direction. Through this open transition, the negative feedback circuit of the additional inverting amplifier 5 on the additional resistor 7 is turned on, and the gain of the additional inverting amplifier 5 is equal to the ratio of the resistance of the additional resistor 7 to the resistance of the isolation element 12. Through the open channel drain-source of the additional field-effect transistor 6, the reference voltage also enters the gate of the field-crochet transistor 2 and blocks its drain-source channel. The drain-source channel resistance of the field-effect transistor 2 in the closed state significantly exceeds the resistance of resistor 13, and the gain of inverting amplifier 1 is equal to the ratio of the resistance of resistor 13 to the resistance of resistor 14. The input received from the field signal is amplified by the device and allocated to the output of the latter.

По мере нарастани  управл ющего напр жени  запирающее напр жение, поступающее на затвор полевого транзистора 2, 5гмеш.шает с , что приводит к уменьшению коэффициента усилени  инвертирующего усилител  1, а следовательно, и всего устройства.As the control voltage rises, the blocking voltage applied to the gate of the field-effect transistor 2, 5 g mixes with, which leads to a decrease in the gain of the inverting amplifier 1, and consequently, of the entire device.

Когда управл ющее напр жение достигает уровн  опорного напр жени , посто нное напр жение на выходе дополнительного инвертирующего усилител  5 мен ет знак на противоположный , что приводит к закрытию дополнительного полевого транзистора 6, сопротивление его перехода исток-затвор достигает бесконечно больщой величины, а полезный сигнал на выходе устройства практически равен нулю.When the control voltage reaches the level of the reference voltage, the DC voltage at the output of the additional inverting amplifier 5 reverses the sign, which leads to the closing of the additional field-effect transistor 6, the resistance of its source-gate transition reaches an infinitely large value, and the useful signal at the output of the device is almost zero.

. Таким образом, регулировка осуществл етс  путем использовани  управл емого регулируемого элемента (полевой транзистор 2) в цепи отрицательной обратной св зи инвертирующего усилител  1 в сочетании с J npaeл емым элементом с улучшенными коммутирующими свойствами (дополнительный инвертирующий усилитель 5 и дополнотельный полевой транзистор 6, которые получены за счет включени  управл емого элемента в цепь коммутируемой нелинейной обратной св зи дополнительного инвертирующего усилител  5 с большим коэффициентом усилени ). Такое сочетание управл емых регулируемых элементов позвол ет практически осуществл ть плавную регулировку сигнала.. Thus, the adjustment is made by using a controlled adjustable element (field-effect transistor 2) in the negative feedback circuit of inverting amplifier 1 in combination with a J-controlled element with improved switching properties (additional inverting amplifier 5 and complementary field-effect transistor 6, which are obtained by including a controlled element in a switched nonlinear feedback circuit of an additional inverting amplifier 5 with a high gain factor). This combination of controllable adjustable elements allows for the smooth adjustment of the signal.

Claims (1)

Формула изобретени Invention Formula Устройство с регулируемым коэффициентом усилени , содержащее инвертирующий усилит тель и полевой транзистор, канал сток-исток которого включен в цепь отрицательной обратной св зи инвертирунщего усилител ,An adjustable gain device containing an inverting amplifier and a field-effect transistor, the drain-source channel of which is included in the negative feedback circuit of the inverting amplifier, отличающ еес  тем, что, с целью расщирени  диапазона регулировани , к выходу инвертирующего усилител  через включенные последовательно конденсатор и резистор подключей дополнительный инвертирукщий усилитель , между выходом и инвертирующим входом которого включены последовательно промежуток исток-затвор дополнительного полевого транзистора и дополнительный резистор,characterized in that, in order to expand the adjustment range, to the output of the inverting amplifier, connect an additional inverting amplifier through a capacitor connected in series and a resistor, between the output and inverting input of which an additional field-effect transistor and an additional resistor are connected in series, а к инвертирующему и неинвертирующему входам допо нкгельного инвертирующего усилител  через элементы разв зки подключены соответственно источники управл ющего и опорното напр жений, между затвс ом полевого транзистора и стоком дополнительного полевого транзистора включен второй дополнительный резистор, при этом затвор дополнительного полевого транзистора  вл етс  выходсмк .and the inverter and non-inverting inputs of the auxiliary inverter amplifier are connected to the sources of control and voltage reliance, respectively, through the isolation elements, a second additional resistor is connected between the gate of the field-effect transistor and the drain of the additional field-effect transistor. Источники информации,Information sources, прин тые во внимание при экспертизе 1. Авторское сввдетельство СССР № 509976, кл. Н 03 G 3/20, 1974 (прототип).taken into account in the examination 1. Copyright svdedelstvo USSR № 509976, cl. H 03 G 3/20, 1974 (prototype). Ocr OOcr o
SU792731302A 1979-02-19 1979-02-19 Device with adjustable amplification factor SU832705A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792731302A SU832705A1 (en) 1979-02-19 1979-02-19 Device with adjustable amplification factor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792731302A SU832705A1 (en) 1979-02-19 1979-02-19 Device with adjustable amplification factor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU832705A1 true SU832705A1 (en) 1981-05-23

Family

ID=20812958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792731302A SU832705A1 (en) 1979-02-19 1979-02-19 Device with adjustable amplification factor

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU832705A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0479700B1 (en) Current mode gate drive for power MOS transistors
KR790001773B1 (en) Amplifier employing complementary field effect transistors
SU832705A1 (en) Device with adjustable amplification factor
US3443240A (en) Gain control biasing circuits for field-effect transistors
KR940003161A (en) Broadband amplifier
KR900007168A (en) Linear gain amplifier device
US3663888A (en) All-fet linear voltage difference amplifier
US4333025A (en) N-Channel MOS comparator
KR100821122B1 (en) CMOS Type Variable Gain Amplifier
SU813794A1 (en) Resistange regulator
JPS6253512A (en) Pulse output device
Von Ow Reducing distortion in controlled attenuators using FET
KR890005975A (en) A circuit for automatically adjusting the closing current at the output of the push-pull amplifier
SU1086551A1 (en) Variable gain amplifier
SU1128386A1 (en) Switching device with alternating sign of output voltage
SU509976A1 (en) Amplifier with adjustable gain factor
SU1203687A1 (en) Controlled attenuator
KR900003752B1 (en) Square operation device
SU1424117A1 (en) Variable amplifier
RU1830181C (en) Vdltage amplifier
KR100384866B1 (en) Folded Cascode Circuit for high speed data converter
SU1046910A1 (en) Controlled attenuator
SU1259474A1 (en) Variable-gain amplifier
SU917352A1 (en) Electronic analogue signal switching device
SU1061240A1 (en) Device with controlled gain factor