SU826420A1 - Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов 1 - Google Patents

Description

(54) КАНАЛ ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

1

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может бытьиспользовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известен канал дл  продвижени  ЦМД, построенный на пластине магнитоодноосного материала с локальным рельефом поверхности , функционирующий в переменном магнитном поле, перпендикул рном плоскости пластины. Изготовление такого канала св зано с локальным травлением доменосодержащего материала по размерам пор дка диаметра домена, причем глубина травлени  различных участков канала разна  1.

Изготоёление таких каналов нетехнологично . Кроме того, дл  ЦМД малых диаметров ( 2 мкм) такие каналы неприменимы из-за малой толщины доменосодержащего сло .

Наиболее близким техническим, решением к предлагаемому  вл етс  канал дл  продвижени  ЦМД, содержащий эпитаксиальную магнитоодноосную пленку, .в которой выполнены примыкающие друг к другу не-; имплантированные области. Такой канал про движени  функционирует во вращающемс  в плоскости материала магнитном поле. Движение ЦМД вызываетс  перемещением под действием пол  в плоскости зар женной стенки, образованной обтекающим неимплантированные области магнитным потоком 2. Недостатком такого канала  вл етс  необходимость проведени  ионной имплантации через маску, что усложн ет технологию изготовлени  канала.

Цель изобретени  - упрощение и повыщение технологичности изготовлени  канала дл  продвижени  ЦМД.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что в канале дл  продвижени  ЦМД, содержащем эпитаксиальную магнитоодноосную пленку, на которой расположен магнитный слой с легкой плоскостью намагниченности, расположенной параллельно поверхности эпитаксиальной магнитоодноосной пленки, в магнитном слое выполнены примыкающие друг к другу отверсти , причем эгштаксиальна  магнитоодноосна  пленка и магнитный слой могут быть выполнены с различными

посто нными кристаллической рещетки.

Claims (2)

1. На фиг. 1 изображена конструкци  канала дл  продвижени  ЦМД, на фиг. 2 - принцип действи  канала дл  продвижени  ЦМД Предлагаемый канал дл  продвижени  ЦМД содержит выращенную на немагнитной подложке 1 граната эгштаксиальную магннтоодноосную пленку 2 (ось легкой намагниченности парал г льна вектору магнитного пол  смещени  Н), на которую нанесен магнитный слой 3 с плоскостью легкой намагниченности, перпендикул рной оси легкой намагниченности пленки 2. В слое 3 выполнены отверсти  4, например, в виде смежных дисков (фиг. П, В пленке 2 при наличии пол  смещени  пс, могут существовать ЦМД 5, намагниченность которых направлена в противоположную сторону от вектора Нем, направление намагниченности остальной части плецки 2 совпадает с направ лением вектора Нед,. Канал находитс  во вр(щающемсд, магнитном поле iTl, перпен-. дикул рном Нем.. Работа канала основана на взаимодействии ЦМД с обтекающим отверсти  4 потоком намагниченности сло  3. Это иллюстрируетс  дл  одиночного отверсти  на фиг. 2 На одиночный ЦМД 5, наход щийс  вблизи границы между двухслойной структурой пленок 2 и 3 и однослойной пленкой 2, действуют силы магнитостатического характера -f Р„, зат гивающие ЦМД 5 в сторону участка двухслойной структуры и силы обменного характера, выталкивающие ЦМД 5 из-под двухслойной структуры (фиг. 2а). Первые силы 4-Р„ вызваны стремлением ЦМД замкнуть свой поток рассеивани  наиболее выгодным способом, т. е. через плоскость легкой промышленности, а вторые -1 вызваны тем, что на границе раздела двух материалов возникают механические напр жени  и, если магнитострикционный эффект имеет знак «-, а пленка 2 на границе cq слоем 3 раст нута, то область доменной границы ЦМД, наход ща с  в области механических напр жений, обладает больщей энергией по сравнению с областью доменной гра ницы, наход щейс  в -зоне без напр жений. т. е. в однослойной зоне ЦМД, стрем сь зан ть состо ние с наименьшей собственной энергией, будет выталкиватьс  этой силой в область отверсти  4. Механические напр жени  возникают при эпитаксиальном вь1ращивании пленок в случае, когда пос-. то нные решеток имеют небольшое различие . Параметры материалов слоев подбираютс  таким образом, чтобы + FO О в зоне, когда ЦМД 5 находитс  на границе отверсти  4. Фиксировать положение ЦМД относительно различных точек отверсти  возможно с помощью магнитного пол  в плоскости пленок. Такое, прле вызывает обтекание намагниченностью о.тверстий 4/ в слое 3 с легкой плоскостью и образует участки с различной напр жённостью ( фиг. 26). На участках отверсти , ближайч ших к полюсам, созданным распределение намагниченности сло , образуютс  области; сход щегос  и расход щегос  магнитных потоков , которые, по аналогии с механизмом продвижени  ЦМД в ионоимплантированной структуре можно интерпретировать как образование зар женной стенки, прит гивающей ЦМД 5. При повороте вектора FT,, область зар женной етенки сместитс , вслед за ней смеситс  ЦМД 5 (фиг. 2в). Канал работает следующим образом. Пусть в начальный момент времени ЦМД 5 и 5 наход тс  в позици х 1 и I cooj;; ветственно по положению век-щра Ну (фиг. За). При повороте вектора Ну в положение (фиг.Зб) ЦМД 5и 5 займут позиции П и и соответственно, причем дл  ЦМД 5 позиции I и И , ,, .- совпадают. При дальнёйщем вращении вектора Н ЦМД 5 и 5 перейдут в позиции 111 и (фиг. Зв), здтем в IV и IV (фиг. Зг), и когда.вектор Н вернетс  в исходное положение, совершив полный оборот, в позиции V и V (. Зд). Позиции II, 111 и. IV дл  ЦМД 5совпадают,, также совпадают, позиции IV 5 совпадают,, также совпадают, позиции IV и V. За один полный оборот ЦМД 5 и соверщают переход с одного отверсти  на соседнее в идентичные позиции, причем ЦМД 5 и движутс  в противоположные J. При смене направлени  вращени  стороны, rf ЦМД мен ют направление двивектора жени . Использование предлагаемомго канала дл  продвижени  ЦМД позволит исключить операции ионной имплантации при изготовлении устройств на ЦМД, упростить его конструкцию , что повысит надежность работы .канала. Сокращение числа технологических операций повысит технологичность изготовлени  устройств. Формула изобретени  I. Канал дл  продвижени  цилиндрических магиитных доменоз, содержащий эпитаксиальную магнйтооднорсную пленку, на кото Р° расположеи магнитный слой с легкой плоскостью намагниченности, расположенной параллельно поверхности эпитаксиальной магнитоодноосной пленки, отличающий   тем, что, с целью упрощени  и повыше JИ  технологичности изготовлени  канала дл  продвижени  цилиндрических магнит-иых доменов, в магнитном слое выполнены примыкаюпхие друг к другу отверсти , 2. Канал по п. 1, отличающийс  тем, что, апитаксиальна  магнитоодноосна  пленка Н магнитный слой выполнены с различными посто нными кристаллической решетки. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Бо рченков М. А. и др. Магнитные доменные логические и запоминающие устройства . М., «Энерги , 1974.
2. 2. Патент США № 3828329, кл. 340-174, оиублик. 1977 (прототип).

   Нем

   /fci

   fd

   0//eA/ -f ну