SU801156A1 - Лини задержки - Google Patents

Description

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться при проектировании радиотехнических устройств высокочастотного и сверхвысокочастотного диапазона.

Известна линия задержки, содержащая диэлектрическую подложку, на каждой из сторон которой размещен один из проводников симметричной двухпроводной линии, имеющий форму меан- ¹ дра, причем проводники симметричной двухпроводной линии смещены один относительно другого в продольном направлении на полпериода меандра fl] .

Однако известная линия задержки 1 имеет малое время задержки.

Цель изобретения - увеличение времени задержки.

Указанная цель достигается тем, что в линию задержки, содержащую диэлектрическую подложку, на каждой из сторон которой размещен один из проводников симметричной двухпроводной линии, имеющий форму меандра, причем проводники симметричной двух- / проводной линии смещены один относительно другого в продольном направлении на полпериода меандра, дополнительно введены две диэлектрические пластины, каждая из которых 3 размещена на одном из проводников симметричной двухпроводной линии, и две пластины с высокой магнитной проницаемостью, установленные на диэлектрических пластинах.

На чертеже схематически представлена предлагаемая линия задержки.

Линия задержки содержит диэлектрическую подложку 1, по обе стороны которой размещены проводники 2 и 3 симметричной двухпроводной линии, имеющие форму меандра, две диэлектрические пластины 4 и 5 и две пластины 6 и 7 с высокой магнитной проницаемостью.

Линия задержки работает следующим образом.

При подаче высокачастотного напряжения в. противофазе между проводниками 2 и 3'симметричной двухпроводной линии происходит разделение электрического и магнитного полей: высокочастотное электрическое поле сосредоточивается в основном в объеме между проводниками, магнитное поле-снаружи проводника 2 и снаружи проводника 3, т.е. в материале с высокой магнитной проницаемостью. Вследствие этого погонная индуктивность такой линии задержки возрастает за счет локалиэа3 . 801 ции магнитного поля в материале с большой магнитной проницаемостью,, а увеличения потерь при этом не происходит. Увеличение погонной индуктивности приводит к увеличению замедления в ней и, следовательно, к увеличению удельной задержки.

Таким образом, использование предлагаемой линии задержки позволяет (повысить время задержки при уменьшении габаритов и без увеличений потерь в линии.

Claims (1)

1. Изобретение относитс  к радиртехнике и может использоватьс  при проа тировании радиотехнических устройств высокочастотного и сверхвысокочастот ного диапазона. Известна лини  задержки, содержаща  диэлектрическую подложку, на каждой из сторон которой размещен один из проводников симметричной дву проводной линии, имеющий форму меандра , причем проводники симметричной двухпроводной линии смещены один относительно другого в продольном направлении на полпериода меандра l Однако известна  лини  задержки имеет малое врем  задержки. Цель изобретени  - увеличение вре мени задержки. Указанна  цель достигаетс  тем, что в линию задержки, содержащую диэлектрическую подложку, на каждой из сторон которой размещен один из проводников симметричной двухпроводной линии, имеющий форму меандра, причем проводники симметричной двухпроводной линии смещенЕл один относительно другого в продольном направлении на полпериода меандра, дополнительно введены дне диэлектрические пластины, кажда  из которых размещена на одном из проводников симметричной двухпроводной линии, и две пластины с высокой магнитной проницаемостью, установленные на диэлектрических пластинах. На чертеже схематически представлена предлагаема  лини  задержки. Лини  задержки содержит диэлектрическую подложку 1, по обе стороны которой размещены проводники 2 и 3 симметричной двухпроводной линии, имеющие форму меандра, две диэлектрические пластины 4 и 5 и две пластины б и 7 с высокой магнитной проницаемостью. Лини  задержки работает следующим образом. При подаче высокачастотного напр жени  в. противофазе между проводниками 2 и 3симметричной двухпроводной линии происходит разделение электрического и магнитного полей: высокочастотное электрическое поле сосредоточиваетс  в основном в объеме между проводниками, магнитное поле-снаружи проводника 2 и снаружи проводника 3, т.е. в материале с высокой магнитной проницаемостью. Вследствие этого погонна  индуктивность такой линии задержки возрастает за счет локализации магнитного пол  в материале с большой магнитной проницаемостью, а увеличени  потерь при этом не rjpoисходит . Увеличение погонной индукти ности приводит к увеличению замедлени  в ней и, следовательно, к увеличению удельной задержки. Таким образом, использование пред лагаемой линии задержки позвол ет Повысить врем  задержки при уменьшеtmvi габаритов и без увеличений потер в линии. Формула изобретени  Лини  задержки, содержаща  диэлектрическую подложку, на каждой из сторон которой размещен /один из проводников симметричной двухпроводной линии, имеющий форму меандра , причем проводники симметричной двухпроводной линии смещены один относительно другого в продольном направлении на полпериода меандра, о т л и ч а ю ща   с   тем, что, с целью увеличени  времени задержки,, в нее дополнительно введены две диэлектрические пластины, кажда  из которых размещена на одном из проводников симмтеричной двухпроводной линии, и две пластины с высокой магнитной проницаемостью, установленные на диэлектрических пластинах. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Патент США 3594665, кл. 333-31, опублик. 1971 прототип .

   У/////////////////////7.

   У/ ///////77////////////////7//////

   X /2