SU798565A1 - Способ и устройство контрол про-цЕССОВ КРиСТАллООбРАзОВАНи B CAXAP-НыХ уТфЕл Х - Google Patents
Способ и устройство контрол про-цЕССОВ КРиСТАллООбРАзОВАНи B CAXAP-НыХ уТфЕл Х Download PDFInfo
- Publication number
- SU798565A1 SU798565A1 SU782682123A SU2682123A SU798565A1 SU 798565 A1 SU798565 A1 SU 798565A1 SU 782682123 A SU782682123 A SU 782682123A SU 2682123 A SU2682123 A SU 2682123A SU 798565 A1 SU798565 A1 SU 798565A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- crystal formation
- processes
- measuring
- solution
- increase
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
между фотоприемником и осветителем, засахариванию стекол устройства и выходу его из стро . Кроме того не обеспечиваетс необходима точность и надежность контрол процессов кри таллообразовани .
Цель изобретени - повышение точ нести и надежности контрол процессов первичного и вторичного кристаллообразовани .
Указанна цель достигаетс тем, что контроль процессов первичного и вторичного кристаллообразовани осуществл ют по измерению дифференциальной интенсивности двух диффузно отраженных световых потоков.
Кроме того перед измерением повышают пересыщение раствора путем охлаждени .
Дл осуществЯени способа предна
начено устройство, содержащее источники света и сравнительный и измертельный фотоэлементы, включенные по мостовой схеме, отличающеес тем, что в него введена циркул ционна труба с охлаждающей рубашкой и оптическими окнами осветителей и фотоэлементов, оптические оси которых расположены в пределах 5-80° по отношению к нормали оптического окна.
На чертеже изображено устройство контрол процессов кристаллообразовани .
Устройство состоит из циркул ционной трубы 1, снабженной охлаждающей рубашкой 2, двух-сравнительного и измерительного фотодатчиков, установленных до и после охлаждающей рубашки и состо щих из осветителей 3,4, фотоэлементов 5,6, окон 7,8, линз 9,10 и шестеренчатого насоса 1.1 с электродвигателем 12. Величина охлаждени раствора регулируетс прибором 13 , получающим сигналы с датчиков .14,15 температуры, и управл ющих регулирующим вентилем 16.Сигналы с фотоэлементов поступают на прибор 17 контрол процессов кристаллообразовани . Устройство присоедин етс к вакуум-аппарату с помощью фланцев 18,19.
Устройство работает следующим образом .
Часть увариваемого в вакуум-аппа рате раствора отбираетс с помощью шестеренчатого насоса 11 в циркул ционную трубу 1, где в результате подачи охлаждающей воды в рубашку 2, этот раствор охлаждаетс . Понижение температуры раствора, наход щегос в метастабильном состо нии, приводит к повышению его пересыщени и увеличению веро тности образовани в нем кристаллических зародышей . При заданной скорости циркул ции раствора по контуру происходит опережение процесса уваривани утфел в вакуум-аппарате по Пересы .щению. в критический момент уваривани , когда в вакуум-аппарате пересыщение поднимаетс до границы метастабильной зоны, в контуре опережени в районе измерительного фот.одатчика , в результате достижени этой границы возникают кристаллические центры. В вакуум-аппарате самопроизвольное кристаллообразование начинаетс через. 3-10 мин поеле этого.
Дл увеличени точности измерений котора достигаетс путем yqтpaнeни зеркальной компоненты отраженного светового потока, на фотоэлементы на правл ют только диффузионно-отраженные лучи, размеща осветители 3,4 и фотоэлементы 5,6 в плоскост х, углы которых относительно нормали с оптических окон 8,9 отличаютс на . При по влении кристаллов в растворе 0 по вл етс разность в сигналах сравнительного и измерительного фотоэлементов , по величине которой суд т о концентрации кристаллов в растворе . Наперед заданна величина сигнала по муке определ ет момент заводки кристаллов в аппарат.
Аналогичныгл образом производитс контроль вторичного кристаллообразовани . Возникшие в результате повышени пересыщени вторичные кристаллы и мука измен ют величину отраженного света, что служит сигналом к изменению режима уваривани утфел в аппарате с целью поддержапи его на оптимальном уровне, на границе вторичного кристаллообразовани .
При этом отраженный свет от первичных кристаллов в измерительном датчике компенсируетс таким же количеством отраженного света в компенсационном .
Предлагаемое устройство может контролировать не только наличие кристаллических центров, но и их количество, что позвол ет выбирать оптимальные режимы заводки кристаллов и уваривани утфел в аппарате , при э-гом увеличиваетс надежность устройства по сравнению с известным,Формула изобретени
1.Способ контрол процессов кристаллообразовани в сахарных утфел х по измерению дифференциальной интенсивности двух световых потоков , прошедших раствор, отличающийс тем, что, с целью повышени точности и надежности контрол процессов первичного и вторичного кристаллообразовани , контроль осуществл ют по измерению дифференциальной интенсивности двух диффузно отраженных световых потоков.
Claims (3)
- Формула изобретения t „1.Способ контроля процессов кристаллообразования в сахарных утфелях по измерению дифференциальной интенсивности двух световых потоков*, прошедших раствор, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности контроля процессов первичного и вторичного кристаллообразования, контроль осуществляют по измерению дифференциальной интенсивности двух диффузно отраженных световых потоков.
- 2. Способ по п.1, отличаю щ и й с я тем, что перед измерением повышают пересыщение раствора путем охлаждения.
- 3. Устройство контроля процессов кристаллообразования в сахарных утфелях по способу пп. 1' и 2 содержащее источники света и сравнительный и измерительный фотоэлементы, включенные по мостовой схеме, о т л и-, чающееся тем, что, с Целью увеличения надежности и точности измерений контроля процессов ’ первичного и вторичного кристаллообразования, в него введена циркуляционная труба с охлаждающей рубашкой и оптическими окнами для осветителей и фотоэлементов, оптические оси кото рых расположены в пределах 5-80° но отношению к нормали оптического окна.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782682123A SU798565A1 (ru) | 1978-11-04 | 1978-11-04 | Способ и устройство контрол про-цЕССОВ КРиСТАллООбРАзОВАНи B CAXAP-НыХ уТфЕл Х |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU782682123A SU798565A1 (ru) | 1978-11-04 | 1978-11-04 | Способ и устройство контрол про-цЕССОВ КРиСТАллООбРАзОВАНи B CAXAP-НыХ уТфЕл Х |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU798565A1 true SU798565A1 (ru) | 1981-01-23 |
Family
ID=20792603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU782682123A SU798565A1 (ru) | 1978-11-04 | 1978-11-04 | Способ и устройство контрол про-цЕССОВ КРиСТАллООбРАзОВАНи B CAXAP-НыХ уТфЕл Х |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU798565A1 (ru) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001056956A1 (en) | 2000-01-31 | 2001-08-09 | Finnfeeds Finland Oy | A process for the crystallization of non-sucrose substances |
WO2007025648A1 (de) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Universität Karlsruhe (Th) | Differentielles messverfahren zur bestimmung von konzentrationsunterschieden zur übersättigungsbestimmung |
CN104458621A (zh) * | 2014-12-18 | 2015-03-25 | 广州甘蔗糖业研究所 | 一种快速测定糖液混浊度的方法 |
CN105543418A (zh) * | 2016-01-14 | 2016-05-04 | 广西吉然科技有限公司 | 通过高清视频在线检测实现煮糖自动控制的系统及方法 |
-
1978
- 1978-11-04 SU SU782682123A patent/SU798565A1/ru active
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001056956A1 (en) | 2000-01-31 | 2001-08-09 | Finnfeeds Finland Oy | A process for the crystallization of non-sucrose substances |
US6821339B2 (en) | 2000-01-31 | 2004-11-23 | Finnfeeds Finland Oy | Process for the crystallization of non-sucrose substances |
EP2292571A2 (en) | 2000-01-31 | 2011-03-09 | Danisco A/S | A process for the crystallization of non-sucrose substances |
WO2007025648A1 (de) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Universität Karlsruhe (Th) | Differentielles messverfahren zur bestimmung von konzentrationsunterschieden zur übersättigungsbestimmung |
CN104458621A (zh) * | 2014-12-18 | 2015-03-25 | 广州甘蔗糖业研究所 | 一种快速测定糖液混浊度的方法 |
CN105543418A (zh) * | 2016-01-14 | 2016-05-04 | 广西吉然科技有限公司 | 通过高清视频在线检测实现煮糖自动控制的系统及方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4508970A (en) | Melt level sensing system and method | |
US8673075B2 (en) | Procedure for in-situ determination of thermal gradients at the crystal growth front | |
SU798565A1 (ru) | Способ и устройство контрол про-цЕССОВ КРиСТАллООбРАзОВАНи B CAXAP-НыХ уТфЕл Х | |
Armstrong et al. | CHEMICAL NUTRIENT CONCENTRATIONS AND THEIR RELATIONSHIP TO INTERNAL WAVES AND TURBIDITY OFF SOUTHERN CALIFORNIA 1 | |
SU1364248A3 (ru) | Способ определени температуры насыщени раствора оптически анизотропного вещества | |
EP0570100B1 (en) | Method and apparatus for determination of interstitial oxygen concentration in silicon single crystal | |
RU2200776C2 (ru) | Устройство для выращивания кристаллов и способ выращивания кристаллов | |
US6030451A (en) | Two camera diameter control system with diameter tracking for silicon ingot growth | |
JPS614945A (ja) | 較正装置を有する赤外線吸収水分計 | |
SU1103082A1 (ru) | Погружной датчик фотоколориметра | |
SU1341555A1 (ru) | Способ контрол кристаллизации сахарных растворов в потоке | |
EP0173029A2 (en) | Method for the programme control of the crystallization in a vacuum vessel | |
SU1124035A1 (ru) | Способ регулировани процесса кристаллизации сахаросодержащих растворов | |
SU1140017A1 (ru) | Оптическое устройство дл контрол качества покрытий | |
SU575556A1 (ru) | Устройство дл контрол процесса варки сахарных утфелей | |
SU682567A1 (ru) | Способ автоматического управлени процессом уваривани сахарных утфелей | |
JPH02102187A (ja) | Cz法における融液面の高さの計測法 | |
RU2184803C2 (ru) | Способ управления процессом выращивания монокристаллов из расплава и устройство для его осуществления | |
SU1412378A1 (ru) | Способ определени температуры насыщени | |
SU425942A1 (ru) | Способ автоматического управления процессом кристаллизации утфеля | |
SU1201307A1 (ru) | Способ автоматического управлени процессом наращивани кристаллов в вакуум-аппарате | |
JPS61122188A (ja) | 半導体結晶引上機 | |
SU1179172A1 (ru) | Способ определени отражательной способности | |
RU2227819C1 (ru) | Способ регулирования уровня расплава в тигле в процессе выращивания кристаллов методом чохральского | |
SU421917A1 (ru) | Автоматический двухлучевой фотометр для анализа жидких сред |