SU797058A1 - Pulse shaping device - Google Patents

Pulse shaping device Download PDF

Info

Publication number
SU797058A1
SU797058A1 SU792706903A SU2706903A SU797058A1 SU 797058 A1 SU797058 A1 SU 797058A1 SU 792706903 A SU792706903 A SU 792706903A SU 2706903 A SU2706903 A SU 2706903A SU 797058 A1 SU797058 A1 SU 797058A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
output
bus
input
collectors
Prior art date
Application number
SU792706903A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Александр Николаевич Дорофеев
Юрий Николаевич Мохов
Original Assignee
Предприятие П/Я А-1772
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-1772 filed Critical Предприятие П/Я А-1772
Priority to SU792706903A priority Critical patent/SU797058A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU797058A1 publication Critical patent/SU797058A1/en

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

сигналов через токоограничивающее звено, состо щее из соединенных параллельно резистора и-конденсатора, два переключающих транзистора разных типов проводимости, эмиттеры которых соединены с положительной и отрицательной шинами первого источника питани , коллектор л - с одним выводом резистора обратной свзи , а базы соединены через аналогичные токоограничивающие звень  с коллектором входного транзистора, вне- ден дополнительный транзистор обратного по отношению к входному транзитору типа проводимости, дополнительный конденсатор и выходной каскад, причем коллектор дополнительного транзистора соединен с коллектором входного транзистора,эмиттером соедненного с шиной второго источника питани , эмиттер дополнительного транзистора подключен к шине третьего источника питани , а база соединена непосредственно с другим выводом резистора обратной св зи и подключена через дополнительный конденсатор к шине входных сигналов, при этом коллекторы переключающихс  транзисторов подсоединены к шине выходных сигналов через выходной каскад, который содержит два. транзистора разного типа проводимости, эмиттеры которых соединены с шинами источника питани , базы .через токоограничиваюцие звень  подключены к входной, а коллекторы к выходной шине каскада.signals through a current-limiting link consisting of parallel-connected resistors and a capacitor, two switching transistors of different types of conductivity, the emitters of which are connected to the positive and negative buses of the first power source, the collector l - with one output of the feedback resistor, and the bases are connected through similar current-limiting a link with the collector of the input transistor, an additional transistor reversely relative to the input transistor of the conduction type, an additional condensate p and an output stage, the auxiliary transistor collector is connected to the input transistor collector, the emitter of the second power supply connected to the bus, the emitter of the additional transistor is connected to the third power supply's bus, and the base is connected directly to another output of the feedback resistor and connected via an additional capacitor to bus input signals, while the collectors of switching transistors are connected to the bus output signals through the output stage, which contains two. transistors of different types of conductivity, the emitters of which are connected to the power supply buses, the base through the current limiting link is connected to the input, and the collectors to the output bus of the cascade.

На фиг. 1 представлена принципиальна  схема устройства формировани  импульсовf на фиг. 2 - схема выходного каскада устройства,вариант на фиг. 3 - схема выходного каскада устройства, вариант; на фиг. 4диаграмма импульсных напр жений устройства .FIG. 1 is a schematic diagram of a pulse shaping device in FIG. 2 is a schematic of the output stage of the device; a variant of FIG. 3 - diagram of the output stage of the device, option; in fig. 4 Diagram of device pulse voltages.

Устройство (фиг. 1) содержит входной р-п-р транзистор 1, база которого соединена со входом устройства через токоограничивающее звено , состо щее из соединенных параллельно резистора 2 и конденсатора 3, два переключающих транзистора 4 и 5 разных типов проводимости, эмиттер транзистора 4 соединён с отрицательной шиной первого источника питани , а транзистора 5 - с положительной шиной этого источника питани  Е, коллекторы соединены с одним выводом резистора 6 обратной св зи, а базы соединены через аналогичные токоограничивающие звень , состо щие из резисторов 7 и 8, и конденсаторов 9 и 10, с коллектором входного транзистора 1. Коллектор дополнительного транзистора 11 соединен с коллектором входного транзистора 1, эмиттер которого соединен с положительной шиной исггочника питани  Ej, база дополнительного транзистора соединена с другим выводом резистора б обратной св зи, эмиттер соединен с отрицательной шиной источника питани  E-J, конденсатор 12 включен межjj ду базой дополнительного транзистора 11 и входом устройства. Выходной каскад 13 соединен с коллекторами переключающих транзисторов 4 и 5, а его выход  вл етс  выходом устIQ ройства. Отрицательна  шина источника питани  Е соедин етс  с положительными шинами источников питани  Е и ЕЗ и с корпусом. Практически величина напр жени  источника питани  Е 2 составл ет от +1,5 до +2В. Если в качестве источника Е использовать источник питани  +5в цифровых микросхем, то между базой и эмиттером входного транзистора необходимо включить дополнительный резистор. Если дл  управлени  устройством используютс  цифровые элементы отрицательной логики, то источник питани  J:. не нужен. В этом случае эмиттер входного транзистора сое 5 дин етс  с положительной шиной источника питани  ЕЗ.The device (Fig. 1) contains an input pnpp transistor 1, the base of which is connected to the input of the device through a current limiting element consisting of resistors 2 and a capacitor 3 connected in parallel, two switching transistors 4 and 5 of different types of conductivity, the emitter of transistor 4 connected to the negative bus of the first power source, and the transistor 5 to the positive bus of this power source E, the collectors are connected to one output of the feedback resistor 6, and the bases are connected via similar current-limiting links, resistors 7 and 8, and capacitors 9 and 10, to the collector of the input transistor 1. The collector of the additional transistor 11 is connected to the collector of the input transistor 1, the emitter of which is connected to the positive bus source Ej, the base of the additional transistor is connected to another output of the resistor b connection, the emitter is connected to the negative bus of the power source EJ, the capacitor 12 is connected between the base of the additional transistor 11 and the input of the device. The output stage 13 is connected to the collectors of the switching transistors 4 and 5, and its output is the output of the IQ device. The negative power supply bus E is connected to the positive busbars of the power sources E and E3 and to the casing. In practice, the voltage of the power source E 2 is from +1.5 to + 2V. If as the source of E to use the power source + 5V digital circuits, then between the base and the emitter of the input transistor, you must include an additional resistor. If the digital elements of negative logic are used to control the device, then the power source J :. not needed. In this case, the emitter of the input transistor is connected to the positive power source bus E3.

С целью сокращени  числа источников питани , вместо источников питани  Ех| и Е, а также вместо источниQ ка питани  выходного каскада можно применить один общий источник.In order to reduce the number of power sources, instead of power sources Ex | and E, and instead of powering the output stage, one common source can be used.

Выходной каскад может быть построен , например, по схеме симметричного эмиттерного повторител  наThe output stage can be constructed, for example, according to the symmetric emitter follower circuit.

транзисторах 14 и 15 разных типовtransistors 14 and 15 different types

проводимости (фиг. 1), коллекторы которых присоединены к соответствующим шинам источника питани , а эмиттеры соединены и  вл ютс  выходом устройства. Базы транзисторов 14 иconductivities (Fig. 1), whose collectors are connected to the respective power supply lines, and the emitters are connected and are the output of the device. The transistor bases 14 and

0 15 соединены между собой и соединены с коллекторами переключающих транзисторов 4 и 5. Такой выходной каскад не инвертирует входной сигнал. Выходной каскад может выполн ть0 15 are interconnected and connected to the collectors of the switching transistors 4 and 5. Such an output stage does not invert the input signal. The output stage can perform

5 инверсию входного сигнала (фиг.2), Схема этого выходного каскада псэлностью аналогична каскаду переклю- . чающих транзисторов 4 и 5 (фиг. 1).5, the inversion of the input signal (figure 2). The circuit of this output stage is similar to the switch mode. transistors 4 and 5 (Fig. 1).

Выходной каскад может быть пол строен по более сложной схеме при помощи транзисторов 18-21 (фиг. 3). На соединенных вместе коллекторах транзисторов 18 и 19 образуетс  выходное импульсное напр жение пр моугольной формы, инвертированное по отношению ко входному напр жению . На коллекторах транзисторов 20 и 21 образуетс  неинвертированное выходное импульсное напр жение. Существование на выходах одногоThe output stage can be built in a more complex way using transistors 18-21 (Fig. 3). On connected collectors of transistors 18 and 19, a rectangular-shaped pulse output voltage is formed, inverted relative to the input voltage. On the collectors of transistors 20 and 21 a non-inverted output pulse voltage is generated. The existence of the outputs of one

0 устройства как инвертированного, так и неинвертированного выходных импульсных напр жений позвол ет сократить число устройств почти в два раза при управлении однострочным 0 devices of both inverted and non-inverted output impulse voltages can almost halve the number of devices when controlling single-line

5 ПЗС датчиком изображени .5 CCD image sensor.

Устройство можно без каких-либо изменений использовать совместно с ПЗС,выполненными-как на основе полупроводника п-типа проводимости, так и полупроводника р-типа. Но в устройстве, предназначенном преимущественно дл  работы г- ПЗС на полупроводнике р-типа, целесообразно изменить по сравнению с фиг. 1 проводимости транзисторов и шины источников питани  на обратные.The device can be used without any changes in conjunction with a CCD, both made on the basis of an n-type semiconductor and a p-type semiconductor. But in a device designed primarily for r-CCD operation on a p-type semiconductor, it is advisable to change it in comparison with FIG. 1 conductor transistors and bus power supplies to reverse.

Любой транзистор может быть выпонен по схеме составного транзистора (схема Дарлингтона). Это обеспечивает более высокую энергоэкономичность устройства, в особенности в преимущественно статическом режиме его работы.Any transistor can be made according to the composite transistor circuit (Darlington circuit). This provides a higher energy efficiency of the device, especially in a predominantly static mode of its operation.

При массовом производстве устройства целесообразно изготовление элементов его схемы на одном общем кристалле или на небольшом числе кристаллов полупроводника. В этом случае в устройстве вместо резисторов можно применить полевые транзисторы с изолированным затвором. В качестве конденсаторов могут быть использованы МДП-конденсаторы или емкости закрытых р-п переходов.When mass production of the device, it is advisable to manufacture the elements of its circuit on one common crystal or on a small number of semiconductor crystals. In this case, in the device, instead of resistors, you can apply field-effect transistors with an insulated gate. MIS capacitors or capacitances of closed pn junctions can be used as capacitors.

Устройство работае следующим образом .The device works as follows.

Импульсное напр жение пр моугольной формы (фиг. 4, ось А) подаетс  с выхода цифровой микросхемы на вход устройства и, воздейству  чере токоограничивающее звено (резистор 2 и конденсатор 3), в момент времени t включает транзистор 1. Скачок напр жени  от переднего фронта этого импульсного напр жени  также поступает через конденсатор 12 на баз транзистора 11 и дифференцируетс . Поэтому на базе п-р-п транзистора 11 образуетс  отрицательный экспоненциально-спадающий импульс (фиг. 4 ось Б, крива  а), который в момент времени t закрывает этот транзистор на врем  своей длительности t . Промеу-суток времени t; определ етс  временем превышени  по абсолютной величине этим импульсом порогового напр жени  тока базы Up транзистора 11. При одновременном включении транзистора 1 и выключении транзистора 11 их коллекторы в момент времени tj принимают потенциал, близкий потенциалу положительной шины источника питани  Е (фиг. 4, ось в). Возникающий на коллекторах этих транзисторов положительный перепад напр жени  по своей величине близок к напр жению второго и третьего источников питани  (В2 + Е). Этот скачок напр жени  поступает череэ два токоограничивающих звеиа (резисторы 7 и 8 и конденсаторы 9 и 10) на базы п-р-п транзистора 4 и р-п-р транзистора 5, причем транзистор 4 включаетс , а транзистор 5 выключаетс . Благодар  высокочастотности транзисторов устройства , а также благодар  существованию в токоограничивающих звень х ускор ющих конденсаторов 9 и 10 переклюJ чение транзисторов 4 и 5 происходит почти непосредственно в момент времени t. Таким образом, в этот момент времени коллекторы транзисторов 4 и 5 скачком приобретают потенциал, близкий потенциалу отрицательной шины источника питани  Е,(фиг.4, ось г), который воспроизводитс  при . помощи выходного каскада на выходе устройства (фиг. 4, ось Д). Отрицательный перепад напр жени , образова5 вшийс  в момент времени t на коллекторах транзисторов 4 и 5, через резистор 6 обратной св зи воздействует на базу транзистора 11 (фиг.4 ось Б, крива  б)и, спада  экспоненциально, подтверждает с некоторой задержкой Т по времени выключенное состо ние этого транзистора. Промежуток времени т определ етс  относительно порогового напр же5 НИН Up на базе транзистора 11. Величина резистора б и конденсатора 12 выбираетс  таким образом, чтобы величина С была меньше Т . В момеит времени t потенциал входаThe rectangular-shaped impulse voltage (Fig. 4, axis A) is fed from the output of the digital microcircuit to the input of the device and, acting on the current-limiting link (resistor 2 and capacitor 3), turns on the transistor 1 at time t This pulse voltage also flows through the capacitor 12 to the bases of the transistor 11 and is differentiated. Therefore, a negative exponentially falling impulse (Fig. 4, axis B, curve a) is formed on the basis of an pnp transistor 11, which closes this transistor at time t for its duration t at time t. Promeu-day time t; is determined by the time when this pulse exceeds the threshold voltage of the base Up of transistor 11. When transistor 1 is turned on simultaneously and transistor 11 is turned off, their collectors at time tj accept the potential close to the potential of the positive power supply bus E (Fig. 4, axis c ). The positive voltage drop arising on the collectors of these transistors is close in magnitude to the voltage of the second and third power sources (B2 + E). This voltage jump goes through two current-limiting stars (resistors 7 and 8 and capacitors 9 and 10) to the bases of an pnp transistor 4 and a ppn transistor 5, the transistor 4 being turned on and the transistor 5 off. Due to the high frequency of the device's transistors, as well as due to the existence of accelerating capacitors 9 and 10 in the current-limiting links, the switching of transistors 4 and 5 occurs almost immediately at time t. Thus, at this point in time, the collectors of transistors 4 and 5 abruptly acquire a potential close to the potential of the negative power supply bus E, (Fig. 4, d axis), which is reproduced at. using the output stage at the output of the device (Fig. 4, axis D). The negative voltage drop formed at time t on collectors of transistors 4 and 5, through the feedback resistor 6, acts on the base of transistor 11 (Fig. 4, axis B, curve b) and, decaying exponentially, confirms with some delay T by time off of this transistor. The time interval t is determined relative to the threshold voltage 5 NIN Up at the base of the transistor 11. The magnitude of the resistor b and the capacitor 12 is chosen so that the value C is less than T. In time, t potential input

jj скачком принимает уровень 1 и закрывает транзистор 1. На базе транзистора 11 этому положительного скачку напр жени  соответствует экспоненциальноспсщающий импульс (фиг.4,jj jumps to level 1 and closes transistor 1. At the base of transistor 11, this positive voltage jump corresponds to an exponential sync pulse (Fig. 4,

- ось Б, крива  в), который открывает- axis B, curve c), which opens

транзистор 11 в момент времени t. В этот момент времени на коллекторах транзисторов 1 и 11 образуетс  отрицательный перепад напр жени  (фиг.4 ось в), который через токоограничи0 вающие звень  воздействует на базы транзисторов 4 и 5. Поэтому транзистор 4 закрываетс , а транзистор 5 открываетс , т.е. потенциал коллекторов этих транзисторов в момент врее мени to скачком приобретает потенциал , близкий потенциалу положительной шины питани  источни I Е (фиг. 4, ось г). Этот уровень воспроизводитс  на выходе устройства the transistor 11 at time t. At this moment in time, the collectors of transistors 1 and 11 form a negative voltage drop (Fig. 4, axis c), which through current-limiting links affects the bases of transistors 4 and 5. Therefore, transistor 4 closes and transistor 5 opens, i.e. the potential of the collectors of these transistors at the moment of shortening to a jump acquires a potential close to the potential of the positive power supply line of the source I E (Fig. 4, d axis). This level is reproduced at the output of the device.

Q (фиг. 5, ось Д) при помощи выходного каскада. Положительный скачок напр жени  посредством резистора 6 обратной св зи подтверждает включенное состо ние транзистора 11 с некоторым запозданием tj(фиг. 4, осьQ (Fig. 5, axis D) using the output stage. A positive voltage surge through feedback resistor 6 confirms the on state of the transistor 11 with some delay tj (Fig. 4, axis

Б, крива  г), но до прекращени  действи  продифференцированного.перепада входного напр жени  (фиг. 4, ось Б, крива  в). Уровень на выходе поддерживаетс  до момента времениB, curve d), but until termination of the differentiated input voltage differential (Fig. 4, B axis, curve c). Output level maintained until time

0 3 когда начинаетс  следующий период функционировани  устройства.0 3 when the next period of operation of the device begins.

В предлагаемом устройстве уменьшение потребл емой.энергии достигаетс  главным образом за счет почтиIn the proposed device, the reduction of energy consumed is achieved mainly due to almost

5 полного исключени  статической соетавл к цей тока входного транзистора; при применении предла аемого устройства в телевиз,и энных камерах, близких к частотс1М разложени , вещательного стандарта, обща  экономи  энергии источника питани  (принима  во внимание как режим непрерывного формировани  импульсов, так и статический режим работы) составит Минимум 30%.5 completely eliminating the static value of the current of the input transistor; when using the proposed device in a television set and in ny chambers close to the frequency of decomposition, the broadcast standard, the total energy savings of the power source (taking into account both the continuous pulse shaping mode and the static mode of operation) will be at least 30%.

Claims (2)

1. Устройство формировани  импульсов , содержащее входной транзистор , база которого соединена с шиной входных сигналов через токоограничивак цее звено, состо щее из соединенных параллельно резистора и конденсатора , два переключающих транзистора разных типов проводимости, эмиттеры которых соединены с положительной и отрицательной шинами первого источника питани , коллекторы соединены с одним выводом резистора обратной св зи, а базы соединены через аналогичные токоограничивающие звень  с коллектором входного транзистора, отличающеес  тем, что, с целью уменьшени  потребл емой энергии и увеличени  частоты следовани  формируемых импульсов, в него введен дополнительный1. A pulse shaping device containing an input transistor, the base of which is connected to the input signal bus through a current-limiting circuit consisting of a parallel-connected resistor and a capacitor, two switching transistors of different types of conductivity, the emitters of which are connected to the positive and negative buses of the first power source, the collectors are connected to one output of the feedback resistor, and the bases are connected via similar current-limiting links to the collector of the input transistor, I distinguish EEC in that, to reduce the absorbed power and increasing the repetition frequency of the pulses generated, the additional introduced into it транзистор обратного по отношению к входному транзистору типа проводимости, дополнительный конденсатор и выходной каскад, причем коллектор дополнительного транзистора соединен с коллектором входного транзистора,эмиттером соединенного с шиной второго источника питани , эмиттер дополнительного транзистора подключен к шине третьего источника питани , а база соединена непосредственно с другим выводом резистора обратной св зи и подключена через дополнительный конденсатор к шине входных сигналов, при этом коллекторы переключающихс  транзисторов подсоединены к шине выходных сигналов через выходной каскад.an inverse transistor with respect to the input transistor of the conduction type, an additional capacitor and an output stage, the auxiliary transistor collector is connected to the input transistor collector, an emitter connected to the second power supply bus, the emitter of the additional transistor is connected to the third power supply bus, and the base is connected directly to another the output of the feedback resistor and connected through an additional capacitor to the bus input signals, while the collectors are switching a transistor connected to the bus output signals through the output stage. 2. Устройство по п. 1, отличающеес  тем, что, выходной каскад содержит два транзистора разного типа проводимости, эмиттеры которых соединены с шинами источника питани , базы через токоограничивающие звень  подключены к входной, а коллекторы к выходной шине каскада2. The device according to claim 1, characterized in that the output stage contains two transistors of different conductivity type, the emitters of which are connected to the power supply buses, the bases through current limiting links connected to the input, and the collectors to the output bus of the cascade Источники информации, прин тые во внимание при экспертизеSources of information taken into account in the examination 1.Будинский Я. Логические цепи в цифровой технике. М., Св зь, 1977, с. 337.1.Budinsky J. Logic circuits in digital technology. M., Holy Hour, 1977, p. 337. 2.Патент США № 3858059, кл. 307264 , 1974 (прототип).2. US patent number 3858059, class. 307264, 1974 (prototype). 1.one. хФиг . 2xFig. 2
SU792706903A 1979-01-03 1979-01-03 Pulse shaping device SU797058A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792706903A SU797058A1 (en) 1979-01-03 1979-01-03 Pulse shaping device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792706903A SU797058A1 (en) 1979-01-03 1979-01-03 Pulse shaping device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU797058A1 true SU797058A1 (en) 1981-01-15

Family

ID=20802824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792706903A SU797058A1 (en) 1979-01-03 1979-01-03 Pulse shaping device

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU797058A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4100429A (en) FET Logic circuit for the detection of a three level input signal including an undetermined open level as one of three levels
US4017741A (en) Dynamic shift register cell
KR880001109A (en) Integrated Logic Circuit
JPS6112414B2 (en)
US9704451B1 (en) Shift register cell, shift register, gate driving circuit and display device
JPS5453240A (en) Reverse voltage generating circuit
US3509379A (en) Multivibrators employing transistors of opposite conductivity types
US4394586A (en) Dynamic divider circuit
GB1418083A (en) Logic circuit arrangement using insulated gate field effect transistors
JPH05196659A (en) Chopper type comparator
SU797058A1 (en) Pulse shaping device
CN110518903B (en) Level shift circuit
JPS5570128A (en) Oscillator circuit
JPS55163917A (en) Inverter circuit
US3424922A (en) Transistor switch
US3670179A (en) Electrical circuit
SU970652A1 (en) Injection d-flip-flop
SU1598152A1 (en) Transistor relay
SU721797A1 (en) Comparator
SU1450100A1 (en) Overload-protected transistor switch
SU1711334A1 (en) Device for converting unipolar pulses to bipolar pulses
SU1267619A1 (en) Analog-to-digital converter
SU1319273A1 (en) Device for converting levels of logic signals based on complementary metal-oxide-semiconductor transistors
SU644028A1 (en) Square-pulse generator
SU1324103A1 (en) Ttl-gate