SU795159A1 - Способ измерени показател поглощени - Google Patents

Способ измерени показател поглощени Download PDF

Info

Publication number
SU795159A1
SU795159A1 SU792747076A SU2747076A SU795159A1 SU 795159 A1 SU795159 A1 SU 795159A1 SU 792747076 A SU792747076 A SU 792747076A SU 2747076 A SU2747076 A SU 2747076A SU 795159 A1 SU795159 A1 SU 795159A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
laser
angle
rotation
plate
action
Prior art date
Application number
SU792747076A
Other languages
English (en)
Inventor
Г.Г. Праве
В.С. Чудаков
Original Assignee
Специальное Конструкторское Бюро Института Кристаллографии Им.А.В.Шубникова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Специальное Конструкторское Бюро Института Кристаллографии Им.А.В.Шубникова filed Critical Специальное Конструкторское Бюро Института Кристаллографии Им.А.В.Шубникова
Priority to SU792747076A priority Critical patent/SU795159A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU795159A1 publication Critical patent/SU795159A1/ru

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)

Abstract

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПОКАЗАТЕЛЯ ПОГЛОЩЕНИЯ, включающий пропускание . лазерного пучка через изотропную плоскопараллельную пластину нормально к ее поверхности, отличающийс  тем, что, с целью повышени  точности, чувствительности и быстродействи , пластину подвергают одноосному нагружению и синхронно с воздействием лазера измер ют угол поворота главных направлений в точке, расположенной на пр мой, проход щей через место воздействи  лазера и составл ющей угол 45* с направлением нагружени , и определ ют показа- т^ель поглощени  по формуле:TTt'^'V•^^^t^^PiT^rrr'где б - величина напр жений, обусловленна  внешней нагрузкой }^^ - угол поворота главных направлений под действием лазера; Е - модуль Юнга; <^ - коэффициент линейного расширени ;'У - удельна  объемна  теплоемкость;г - рассто ние между местом лазерного воздействи  и местом измерени ;N - мо!дность лазера;t - врем  с начала воздействи  лазера.iСЛ•vjсоСЛСЛсо

Description

Изобретение относитс  к измерительной технике. Оно может быть использовано дл  контрол  качества, прозрачных оптически изотропных материалов, таких как стекла, керамика , кристаллы кубической сингонии а также при производстве оптических элементов из этих материалов, например элементов силовой оптики. Известен способ измерени  показател  поглощени , основанньй на калориметрическом эффекте. В данном способе через цилиндрический образец или круглзгю пластину непрерывно пропускают Лазерныйлуч мощностью от нескольких ватт до нескольких дес тков ватт. Этот луч нагревает образец за счет частичного поглощени  излучен11  лазера, и происходит повышение температуры образца. Измер   приращение поверхностной температуры и использу - данные о теплоемкости образца и посто нной времени остывани , определ ют показатель поглощени . Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому способу  вл етс  способ измерени  показател  поглощени , включающий пропускание лазерного через изотропную плоскопараллельную пластину нормаль но к ее .поверхности. . Этот способ основан на измерени  поверхностной температуры, в резуль тате чего возникают большие погрешности , обусловленные недостаточным тепловым контактом термометра с поверхностью пластины и значительным поверхностным теплоотводом. Кроме того, в этом методе можно реализовать только интег1зальные измерени  показател  поглощени , причем одно измерение занимает значительное вре м  (несколько минут). Целью изобретени   вл етс  повьш1 ние точности, чувствительности и быстродействи . Указанна  цель достигаетс  тем, что в известном способе измерени  показател  поглощени , вклк чающем про-50
пускание лазерного луча через изотропную плоскопараллельную пластину нормально к ее поверхности, пластинку подвергают одноосному нагружению и синхронно с воздействием лазера измер ют угол поворота главных направлений в точке, расположенной на пр мой, проход щей через место возки результатов место дл  измерени  угла поворота главйых направлений индикатриссы выбирают на пр мой, проход щей через место лазерйого 55 воздействи  3 и составл ющей угол с направлением внешнего мехагнического воздействи . По величинам внешней нагрузки, угла поворота. 9 действи  лазера и составл ющей угол 45° с направлением нагружени , и определ ют показатель поглощени  по следующей формуле: Kxet3 NokEt . . где 0 - величина напр жений, обусловленна  внешней нагрузкой; Э - угол поворота главных направлений под действием лазера; Е - модуль Юнга; d - коэффициент линейного расширени ; t - удельна  объемна  теплоемкость; г - рассто ние между местом лазерного воздействи  и местом измерени ; N - мощность лазера; t - врем  с начала воздействи  лазера. На чертеже прин ты следующие обозначени : . F - внешн   нагрузка, г - рассто ние между местом лазерного воздействи  и местом измерени ; f - угол наблюдени , изотропна  пластинка 1,место 2 измерени , место 3 лазерного воздействи , пластины 4. Способ состоит из 4 операций. К боковьм торцам изхэтропной пластины 1 прикладьюаюТ через пластины 4 внешнюю нагрузку F, создающую одноосное напр жение, величина которого измен етс  в зависимости от свойств измер емой изотропной пластины от 0,1 до 0,3 кг/см. Не снима  внешней нагрузки, через изотропную пластину 1 нормально к ее поверхности в точке 3 пропускают лазерный луч. На рассто нии г от места лазерного воздействи  (около 1 см) синхронно с воздействием измер ют угол поворота Главных направлений индикатриссы , использу  визуальные или фотоэлектрические методы регистрации изоклин. Дл  повьшени  чувствительности и существенного упрощени  пocJieдyющeй математической обработмощности лазера определ ют локальные значени  дл  показател  поглощени , характеризующие свойства в местах воздействи  лазера. При первой операции - приложеНИИ одноосной нагрузки к боковым торцам изотропной пластины 1 - в ней возникает одноосное напр женно состо ние, которое, будучи приведе ным к главным ос м, описываетс  тензором второго ранга: . гв о 01 6,j) 00 о . о о о1 гр где б -j- F - внешн   нагрузка; S - площадь, к которой приложена внешн   нагрузка. Не снима  внещней нагрузки F, через изотропнзж) пластину 1 пропус кают лазерный луч-; под действием которого в ней (в результате локал ного нагрева) дополнительно навод  с  термические упругие напр жени , которые можно описать с помощью ра диальной 6f, и тангендаальной& .со тавл ющих. Наведенные лазером нйпр жени  в произвольной точке плаётины описываютс  тензором, который после приведени  к координатным , ос м первого тензора имеет вид: f(6rCosV &tSmv)(er-Str)Sm24 (бг-бг)5-,ьгч c6rSinV6cosV 00 . в результате сложени  напр жений о внешней нагрузки с термонапр жени  в-пластине 1 возникает плоское напр женное состо ние, которое описы ваетс  тензором: r(6 erCe«V etV4 V5(ep-8t «ln7y о Г(б вгСв« ijbU:(6r8t ;tinl4 (cSin-f + erCe) о I . о оо . OJ, в общем случае главные оси суммарного тензора &( не совпадают с главными ос ми тензора t6rj3 Угол, на который повернулись глав ные оси эллипсоида напр жений посл лазерного воздействи  на пластину 1, описываешьс -выражением: ( 6г - e-J-) Sin 1 f 6+(6t - б7-)со5гМ Если дл  регистрации угла поворота выбрать точки 2, лежащие на пр мой, проход щей через место 3 воздействи  лазера под углом V 45 к направлению нагр5 ени  F, то ,формула ( упрощаетс  и принимает следующий вид: (вг -&t) t 1Э С5) Упругие напр жени   вл ютс  источником оптической анизотропии в аморфных и оптически изотропных объектах - кристаллах кубической сингонии. Наведенную оптическую анизотропию легко вы вл ть в пол ризованном свете по интерференционным картинам, которые наблюдают или визуализируют с помощью пол рископов . При работе с линейным скрещенным пол рископом минимальна   ркость точки в интересующем нас месте ин- терференционной картин, в частности , соответствует положению, при котором направление максимального пропускани  пол ризатора параллельно одному из главных направлений, например направлению быстрой оси. В оптически изо1ропных материалах (стеклах , керамике, а также в кристаллических пластинах, вырезанных определенным образом) главные направлени  индикатриссы совпадают с главными ос ми тензора напр жений. Это свойство используетс  в предложенном способе в операций измерени  угла поворота главных осей тензора напр жений. В зависимости от используемого способа регистрации оптической анизотропии угол поворота р (а он измен етс  во времени по мере воздействи  лазера ) может измер тьс  или визуализироватьс  с применением полутеневых устройств, или фотоэлектрически, например в пол рископах с вращающимс  анализатором, путем автоматической регистрации фазы модулированного сигнала на ленте самописца. Использу  вьфажение дл  радиальных 6 i, и тангенциальных 6 составл ющих напр жений, возникающих при лазерном воздействии на прозрачные объекты,,

Claims (1)

  1. СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПОКАЗАТЕЛЯ ПОГЛОЩЕНИЯ, включающий пропускание . лазерного пучка через изотропную плоскопараллельную пластину нормально к ее поверхности, отличающийся тем, что, с целью повы шения точности, чувствительности и быстродействия, пластину подвергают одноосному нагружению и синхронно с воздействием лазера измеряют угол поворота главных направлений в точке, расположенной на прямой, проходящей через место воздействия лазера и составляющей угол 45* с направлением нагружения, и определяют показатель поглощения по формуле:
    ТГ г1 где 6 - величина напряжений, обусловленная внешней нагрузкой; §
    0 - угол поворота главных направлений под действием лазера;
    Е - модуль Юнга;
    - коэффициент линейного расширения;
    γ - удельная объемная теплоемкость;
    г - расстояние между местом лазерного воздействия и местом измерения;
    N - мощность лазера;
    t - время с начала воздействия лазера.
    SU „„ 795159
SU792747076A 1979-04-05 1979-04-05 Способ измерени показател поглощени SU795159A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792747076A SU795159A1 (ru) 1979-04-05 1979-04-05 Способ измерени показател поглощени

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792747076A SU795159A1 (ru) 1979-04-05 1979-04-05 Способ измерени показател поглощени

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU795159A1 true SU795159A1 (ru) 1986-03-15

Family

ID=20819690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792747076A SU795159A1 (ru) 1979-04-05 1979-04-05 Способ измерени показател поглощени

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU795159A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Брюшкова Т.Н., Дианов Е.М., Никитин Е.П., Прохоров A.M. Измерение малых коэффициентов йоглощени стекол калориметрическим методом. - Квантова электроника, 1976, т.З, № 11, с. 2500.Дарвоид Т.Н., Карлова Е.К<, Карлов Н.Э., Кузьм^1н Г.П., Лисиц- кии И.С., |Сисак н Е.В^ Исследовани некоторых свойств 'кристаллов КРС в 10-микронной области спектра. - Квантова электроника, 1975, т. 2, № 4, с. 765. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kobayashi et al. Evaluation of the systematic errors of polarimetric measurements: application to measurements of the gyration tensors of α-quartz by the HAUP
EP0597390A1 (en) Birefringence distribution measuring method
US3584959A (en) Shaft position encoders
Balzarini Temperature dependence of birefringence in liquid crystals
US20050128481A1 (en) System and method for measuring birefringence in an optical material
SU795159A1 (ru) Способ измерени показател поглощени
US3561876A (en) Detecting and measuring apparatus using polarization interferometry
KR100416979B1 (ko) 광섬유의 잔류응력 측정장치
KR100442668B1 (ko) 광섬유의 잔류응력 측정장치
Mead et al. Interferometry in the asymmetric mode
JPS581743B2 (ja) 屈折率分散測定装置
EP0736766B1 (en) Method of and device for measuring the refractive index of wafers of vitreous material
SU743381A1 (ru) Способ измерени показател поглощени
SU811121A1 (ru) Абсорбциометр
SU499508A1 (ru) Устройство дл измерени температуры
RU2102700C1 (ru) Двухлучевой интерферометр для измерения показателя преломления изотропных и анизотропных материалов
SU928204A1 (ru) Оптический элемент нарушенного полного внутреннего отражени
SU1187563A1 (ru) Способ определени коэффициента рассе ни полупрозрачных твердых зеркально-отражающих материалов с малым коэффициентом поглощени
SU1717976A1 (ru) Способ контрол температуры
SU1017978A1 (ru) Способ определени показател преломлени твердых сред
SU731319A1 (ru) Устройство дл измерени температуры
SU713243A1 (ru) Способ измерени показател поглощени в кристаллах
RU2073834C1 (ru) Поляризационное устройство
JP2008051662A (ja) 絶対反射率の測定方法及び測定装置
SU590617A1 (ru) Способ измерени посто нного тока пучка зар женных частиц