SU791783A1 - Резистивный материал - Google Patents

Description

(54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

1

Изоъретение относитс , к области - радиотехники и может быть использовано при изготовлении переменных низкоомных металло-пленочных резисторов и плавнопеременных аттенюаторов .

В известных резистивных элементах в качестве резистивного материала дл  уменьшени  контактного сопротивлени  использованы пленки благородных металлов, например, паллади  Однако этот материал не обеспечивает требуемой износоустойчивости.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности  вл етс  резистйвный материал, используемый дл  создани  посто нных металлопленочных резисторов с низким температурным коэффициентом сопротивлени  и высокой стабильностью. Он содержит от 50 до 90 вес.% металла, выбранного из группы:платина,родий,иридий , палладий, золото, серебро и не менее, чем два металла выбранных из группы: вольфрам, рений, тантал, молибден, гафний, цирконий, ниобий в количестве от 10 до 50 вес.% 2.

Однако использование этого сплава в тонкопленочных переменнызЕ резис-. торах не позвол ет получить высокую

износоустойчивость резистивных элементов , так как его основу 50-90% составл ет относительно м гкий низ-коомный благородный металл. 5 Цель изобретени  - повышение износоустойчивости .

Дл  достижени  поставленной цели резистйвный материал, содержащий тантал и палладий, содержит исходные 10 компоненты в следующем соотношении, вес.%:

Тантал55-94

Палладий6-45.

Содержание паллади  в слое за 15 пределами 6-45 вес.% приводит к значительному ухудшению свойств материала . Например, уменьшение содержани  паллади  до 3 вес.% при прочих равных услови х приводит к возрастанию 20 контактного сопротивлени  до 21 Ом, а увеличение содержани  паллади  до 50 вес.% ведет к потере износоустойчивости . Необратимое относительное изменение сопротивлени  резистив25 ноге сло  с 50%-ным содержанием

паллади  достигает 15% через 100000 перемещений подвижного контакта.

Нанесение тонкопленочных слоев из предлагаемого резистивного мате30 рисша осуществл лось на подложке из

ситалла путем одновременного испарени  в вакууме из отдельных источников- массивного тантала и паллади , причем испарение тантала производилось из электронно-лучевого испарител , а паллади  - из резистивного. Давление остаточных газов в вакуумной камере составл ло 1, 3 . В процессе напылени  контролировалас температура подложки, скорость испарени  тантала и паллади , а также

сопротивление осаждаемой пленки .по контрольному образцу. Варьиру  скорост ми осаждени  тантала и паллади , получали пленки резистивного материала с различным соотношением компонентов.

Основные характеристики пленок, полученных из предлагаемого резистивного материала с различным содержанием тантала и паллади , приведены в таблице.

Claims (1)

1. Формула изобретения

   Резистивный материал, содержащий тантал и палладий, отличающийс я тем, что, с целью повышения износоустойчивости, он содержит исходные компоненты в следующем соотношении, вес.%:

   Тантал 55-94

   Палладий 6-45