Claims (1)
Форм у ла и з о б р е т еи и яForms and samples
Способ определения величины заряда на границе раздела в пленочных структурах, основанный на заряде исследуемой структуры от источника постоянного напряжения, измерении напряжения на эталонном конденсаторе и вычислении подвижного и захватываемого заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения функциональных возможно4 стен способа, после зарядки исследуемой структуры ее переключают от источника постоянного напряжения к входу операционного усилителя, измеряют напряжение 5 на выходе операционного усилителя и вычисляют величину заряда на дранице раздела по формуле:A method for determining the charge at the interface in film structures, based on the charge of the investigated structure from a constant voltage source, measuring the voltage at the reference capacitor and calculating the movable and trapped charge, characterized in that, in order to increase the accuracy and expand the functional, 4 possible walls of the method, after charging the investigated structure it is switched from a constant voltage source to the input of the operational amplifier, measure the voltage 5 at the output of the operational amplifier and subtract use the charge on the section page according to the formula:
Q„+Q.„ - U0C0 (1 +K~l)-Qp, ю где Q^-f- Q ss —величина подвижного Q и захватываемого Qss зарядов;Q „+ Q.„ - U 0 C 0 (1 + K ~ l ) -Q p , where Q ^ -f-Q ss is the magnitude of the moving Q and the captured Q ss charges;
Uo — напряжение на выходеU o - output voltage
15 операционного усилителя, равное напряжению на эталонном конденсаторе в цепи обратной связи усилителя после разряда иссле20 дуемой структуры;15 operational amplifier, equal to the voltage at the reference capacitor in the feedback circuit of the amplifier after the discharge of the investigated structure;
К — коэффициент усиления усилителя;K is the gain of the amplifier;
Со — емкость эталонного конденсатора;With about - the capacity of the reference capacitor;
25 Qp — заряд паразитной емкости.25 Q p - charge parasitic capacitance.