SU778606A1

SU778606A1 - Сверхвысокочастотна лини задержки

Info

Publication number: SU778606A1
Application number: SU792755937A
Authority: SU
Inventors: Б.А. Калиникос; М.К. Ковалева; Н.Г. Ковшиков
Original assignee: Ленинградский электротехнический институт им.В.И.Ульянова (Ленина)
Priority date: 1979-04-16
Filing date: 1979-04-16
Publication date: 1988-07-15

Abstract

I. СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ, содержаща нанесенную на диэлектрическую подложку ферродиэлектрическую пленку, на которой параллельно расположены входна и выходна антенны, выполненньте в виде отрезков микрополосковой линии передачи, отличающа с тем, что, с целью уменьшени затухани сигнала, между входной и выходной антеннами введен дополнительный отрезок микрополосковой линии передачи, расположенный на равном рассто нии от каждой антенны и св занный торцом с отрезком линии передачи, вл юшимс вводом энергии накачки. 2. Сверхвысокочастотна лини задержки, отличающа с тем, что длина дополнительного отрезка микрополосковой линии передачи равна , где Хн - длина волны накачки, п 1,2,3... (Л 00 о: о О5

Description

Изобретение относится к СВЧ технике и может использоваться в микроэлектронике. . Известна сверхвысокочастотная линия задержки, содержащая нанесенную на диэлектрическую подложку ферродиэлектрическую пленку, на которой параллельно расположены входная и выходная антенны, выполненные в виде отрезков микрополосковой линии передачи. .

Однако такая линия задержки имеет значительное ослабление СВЧ сигнала, обусловленное затуханием спиновой волны при' распространении ее в ферродиэлектрической пленке.

Цель изобретения — уменьшение затухания сигнала.

Для этого в сверхвысокочастотную линию задержки, содержащую нанесенную на диэлектрическую подложку ферродиэлектрическую пленку, на которой параллельно расположены входная и выходная антенны, выполненные в виде отрезков микрополосковой линии передачи, между входной и выходной антеннами введен дополнительный отрезок микрополосковой линии передачи, расположенный на равном расстоянии от каждой антенны и связанный торном с отрезком линии передачи, являющимся вводом энергии накачки, при этом длина дополнительного отрезка микрополосковой линии передачи равна где

Ъ, — длина волны накачки, п—1,2,3....

На чертеже дана конструкция предложенной линии задержки. Линия задержки содержит входную I и выходную 2 антенны, диэлектрическую подложку 3, ферродиэлектрическую пленку 4, отрезок 5 микрополосковой линии передачи, электрод 6, заземляющие электроды 7.

Принцип работы устройства состоит в следующем. На входную антенну 1 поступает СВЧ сигнал частоты их. Протекание тока сигнала через входную антенну 1 приводит к появлению под ней в ферродиэлектрической пленке 4 переменного сверхвысокочастотного магнитного поля,, которое возбуждает колебания магнитного момента, распространяющиеся в обё стороны от входной антенны 1 в виде спиновой волны. Спиновая волна, распространяющаяся в сторону выходной антенны 2, воспринимается. последней через время τ (время задержки), определяемое групповой скоростью спиновой волны V и расстоянием между антеннами L. Через электрод 6 в отрезок 5 подается мощность СВЧ накачки частоты ω_Η=2οχ. Вблизи резонатора накачки, который расположен между входной и выходной антеннами 1, 2 спиновых волн, генерируется переменное СВЧ магнитное поле Н. Таким образом в области распространения спиновых волн между антеннами в объеме ферродиэлектрической пленки 4 создается СВЧ магнитное поле накачки (имеющее составляющую, параллельную полю подмагничивания). Спиновые волны, распространяясь от входной 1 к выходной антенне 2 в поле параллельной накачки, за счет параметрического механизма приобретают энергию. Эта энергия расходуется на регенерацию магнитных потерь, причем можно достичь полной регенерации потерь и получить усиление спиновой волны. Регенерируемая или усиленная волна й воспринимается выходной антенной 2, создавая задержанный сигнал. Этот задержанный сигнал через выходную антенну 2 поступает до внешнюю цепь.

Таким образом, предлагаемое устройство задержки СВЧ сигнала на спиновых волнах отличается от известных линий задержки компенсацией затухания (усилением) спиновой волны, переносящей СВЧ сигнал.

Основным достоинством предлагаемой линии задержки является то, что она позволяет изменять величину затухания СВЧ сигнала. При этом возникает полная компенсация потерь, т. е. затухание спиновой волны, переносящей информацию сигнала, может быть сведено к нулю, т. е. а=0.

Регенерация потерь на распространение спиновой волны снимает ограничение на длительность времени задержки, которая раньше лимитировалась магнитными потерями и не превышала единиц микросекунд. Таким образом имеется возможность создавать линии задержки со значительно большими временами задержки. Эти значения времен задержки достигают величин вплоть до десятков микросекунд.

Устройство легко реализуется методами современной микроэлектронной технологии и может быть изготовлено на любые частоты СВЧ диапазона, измеряемые единицами и десятками гигагерц, что для современных линий задержки на основе поверхностных акустических волн пока невозможно.

Кроме того, такое устройство по сравнению с подобными приборами на поверхностных акустических волнах является электрически перестраиваемым с помощью внешнего магнитного поля и может быть легко интегрировано в составе сложной микроэлектронной СВЧ схемы.

Техред И. Верее Корректор В. Гирняк

Тираж 632 Подписное

Claims

1. СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ, содержащая нанесенную на диэлектрическую подложку ферродиэлектрическую пленку, на которой параллельно расположены входная и выходная

7 5 .2 7 / 7 / I антенны, выполненные в виде отрезков микрополосковой линии передачи, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения затухания сигнала, между входной и выходной антеннами введен дополнительный отрезок микрополосковой линии передачи, расположенный на равном расстоянии от каждой антенны и связанный торцом с отрезком линии передачи, являющимся вводом энергии накачки.

2. Сверхвысокочастотная линия задержки, отличающаяся тем, что длина дополнительного отрезка микрополосковой линии передачи равна п-З^—, где λ« — длина волны накачки, п= 1,2,3...