I Изобретение относитс к импульсной технике и может быть использова но в вычислительной и. измерительной технике, а также в электронных устройствах различного назначени . Известен генератор, содержащий инжекционно-полевой транзистор, нагрузочный резистор, врем задающий р зистор и конденсатор 1. Однако этот генератор имеет низкий коэффициент перестройки периода колебаний и нелинейность нараста ни напр жени на конденсаторе. Известен также релаксационный генератор, содержащий инжекционнополевой транзистор, эмиттер которого соединен с общей шиной, коллек тор - с одним выводом нагрузочного резистора, полевой транзистор, затв которого соединен с другим выводом нагрузочного резистора, врем задающий резистор и конденсатор, подсоединенный между базой и эмиттером инжекционно-полевого транзистора 2 Недостатками его вл ютс сложность , низка линейность нарастани напр жени на конденсаторе и низкий коэффициент перестройки пери да колебаний. Целью изобретени вл етс расширение функциональных возможностей и упрощение генератора. Это достигаетс тем, что в релаксационном генераторе, содержащем инжекционно-полевой транзистор, эмиттер которого соединен с общей шиной, коллектор - с одним из выводов нагрузочного резистора, полевой транзистор , затвор которого соединен с другим выводом нагрузочного резистора , врем задающий резистор и конденсатор , затвор полевого транзистора соединен с шиной питани , исток через врем задающий резистор - с коллектором, а сток - с базой инжекционно-полевого ;Транзистора. На чертеже приведена принципиальна электрическа схема релаксационного ген-ератора. Затвор полевого транзистора 1 подсоединен к шине питани , исток через врем задающий резистор 2 - к коллектору инжекционно-;полевого транзистора (ИПТ) 3, а сток соединен с базой ИПТ. Между базой и эмиттером ИПТ включен конденсатор 4, коллектор ИПТ через нагрузочный резистор 5 подсоединен к шине пита-I The invention relates to a pulse technique and can be used in computing and. measuring equipment, as well as in electronic devices for various purposes. A generator is known which contains an injection-field-effect transistor, a load resistor, a time setting resistor and a capacitor 1. However, this generator has a low tuning factor for the oscillation period and the nonlinearity of the voltage or voltage across the capacitor. Also known is a relaxation generator containing an injection-field-effect transistor, the emitter of which is connected to a common bus, a collector - with one output of a load resistor, a field-effect transistor, the gate of which is connected to another output of a load resistor, the time of the driving resistor and a capacitor connected between the base and the emitter field-effect transistor 2 Its disadvantages are the complexity, low linearity of the voltage rise across the capacitor, and a low coefficient for tuning the oscillation period. The aim of the invention is to enhance the functionality and simplify the generator. This is achieved by the fact that in a relaxation generator containing an injection-field-effect transistor, the emitter of which is connected to a common bus, the collector is connected to one of the terminals of the load resistor, the field-effect transistor, the gate of which is connected to another output of the load resistor, the time of the driving resistor and the capacitor, the gate the field-effect transistor is connected to the power bus, the source through time is the driving resistor with the collector, and the drain is connected to the injection-field base; the transistor. The drawing shows a circuit diagram of a relaxation gene generator. The gate of the field-effect transistor 1 is connected to the power supply bus, the source through time of the driving resistor 2 is to the injection-collector; the field-effect transistor (IPT) 3, and the drain is connected to the IPT base. A capacitor 4 is connected between the base and the emitter of the IPT, the IPT collector is connected via a load resistor 5 to the power bus