SU723782A1 - Аналоговый ключ - Google Patents

Аналоговый ключ Download PDF

Info

Publication number
SU723782A1
SU723782A1 SU782576156A SU2576156A SU723782A1 SU 723782 A1 SU723782 A1 SU 723782A1 SU 782576156 A SU782576156 A SU 782576156A SU 2576156 A SU2576156 A SU 2576156A SU 723782 A1 SU723782 A1 SU 723782A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
switching
source
field
transistors
Prior art date
Application number
SU782576156A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Митрофанович Андриевский
Владимир Евгеньевич Прокофьев
Original Assignee
Харьковский Ордена Ленина Политехнический Институт Им. В.И.Ленина
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Харьковский Ордена Ленина Политехнический Институт Им. В.И.Ленина filed Critical Харьковский Ордена Ленина Политехнический Институт Им. В.И.Ленина
Priority to SU782576156A priority Critical patent/SU723782A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU723782A1 publication Critical patent/SU723782A1/ru

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

Изобретение относитс  к коммутационной и информационно-измерительн технике и может использоватьс , в частности, при построении врем импульсных устройств и быстродейств щих электронных коммутаторов, Известны аналоговые ключи, содер жащие коммутирующий полевойтранзис тор с изолированным затвором и источник смещени  затвора и подложки транзисторов, причем затвор коммутирующег9 транзистора соединен с источником смещени  через резистивный делитель напр жени , а между подложкой коммутирующего транзистор и источником смещени  включен диод 1. К недостаткам подобных ключей на полевых транзисторах следует отнест малое.быстродействие, наличие св зи между коммутируемым сигналом с цепью управлени , сложность констру ции и большое потребление энергии... Наиболее близок по технической сущности и схемной реализации к предлагаемс «у изобретению аналоговый ключ, содержащий коммутирунхций полевой транзистор, два линеаризующих полевых транзистора, источник опорного напр жени  и два диода. причем сток коммутирующего полевого транзистора подключен к входной клемме устройства, а через первый резистор соединен со стоком первого линеаризующего транзистора, исток коммутирукщего полевого транзистора подключен к выходной клемме устройства , а через второй резистор соединен со стоком второго линеаризующего транзистора,катод первого и анод второго диодов подключены к управл ющему входу устройства и шине источника опорного напр жени  соответственно 2. Недостаток такого устройства малое алстродействие. С целью увеличени  быстродействи  аналоговый ключ, содержащий коммутирукнций полевой транзистор, два линеаризующих полевых транзистора , источник опорного напр жени  и два диода, причем сток коммутирующего полевого транзистора подключен к входной клемме устройства, а через первый резистор соединен со стоком первого линеаризующего транзистора, исток коммутирующего полевого транзистора подключен к выходной клемме устройства, а через второй резистор соединен со
стоком второго линеаризующего транзистора , катод первого и анод второго диодов подключены к управл ющему входу устройства и шине источника опорного напр жени  соответственно , содержит дополнительный полевой транзистор, причем затвор этого транзистора непосредственно, а исток через дополнительный резистор Ьоедннены с анодом первого диода, объединенные истоки линеаризующих полевых транзисторов и объединенные затворы коммутирующего и линеаризующего полевых транзисторов соединены се стоком и истоком дополнительного полевого транзистора соответственно а катод второго диода подключен к истоку дополнительного полевого транзистора.
На чертеже представлена схема предлагаемого аналогового ключа. Он содержит коммутирующий полевой транзистор 1, первый и второй линеаризующие полевые транзисторы 2 и 3, первый и второй резисторы 4 и 5, первый и второй диоды б и 7, дополнительный полевой транзистор 8, дополнительный резистор 9, источник 10 опорного напр жени , входную .11 и выходную 12 клеммы, клемму 13 управл ющего входа..
Устройство функционирует следующим образом.
В начальный момент времени на управл ющую входную клемму 11 ключа подаетс  запирающее напр жение ijiMAKi . jjpj этом все транзисторы наход тс  в закрытом состо нии.,Диоды 6 и 7 открыты пр мым смещеуСмАк )
где
нием, так как
V -on
EQ выходное напр жение источника спорного напр жени . Процесс открывани  ключа начинаетс  с отпирани  дополнительного транзистора 8 при выполнении услови  где - напр жение ртсечки транзистора 8, Полное открывание транзистора 8 произойдет при Но это условие одновременно  вл етс и условием начала запирани  диодов б и 7. Поэтому открлвание транзистора 8 происходит быстро вследствие перезар да паразитной емкости затвор-исток транзистора 8 через малые сопротивлени  смещенных в пр мом направлении диодов б, 7 и малые внурен .ние сопротивлени  источников управл ющего напр жени  и опорного сметцени . Аналогичные паразитные емкости транзисторов 2 и 3 быстро разр жаютс  через малое сопротивление канала транзистора 8, Транзисторы 2 и 3 открываютс , замыкают линеаризующие цепи, вследствие чего открываетс  коммутирующий транзистор 1 и коммутируемое напр жение по вл етс  на выходной клемме 12 устройства. Коммутируемое напр жение Uo по вл етс  также в точках
А и Б,так как транзисторы 2,3 и 8 открыты. Диод 7 закг аваетс , так . как всегда выполн етс  условие Быстрое включение коммутирующего транзистора 1 обеспечиваетс  пода- , чей на его затвор сигнала управлени  через открытый диод б и низкоомный дополнительный резистор 9. Диод 6 закроетс  при достижении управл ющим напр жением VJ уровн 
Q и. Дл  надежного запирани  диода б отпирающий сигнал управлени  должен быть больше Uo. Во включенном состо нии на затвор коммутирующего транзистора 1 подаетс  половина напр жени  между его стоком и истоком через каналы открытых транзисторов 2,3 и 8, чем обеспечиваетс  линеаризаци .
Дл  запирани  ключа необходимо изменить пол рность управл ющего сигнала на противоположную. Запира0 иие транзисторов 2 и 3 происходит быстро, так как зар д их Паразитных емкостей происходит от источника управл ющего сигнала с малой посто нной времени через открытый диод б
5 и низкормный резистор 9. Далее, при , , где - напр жение отсечки транзистор .1, коммутирующий транзистор закрываетс  с той же посто нной времени, что и транзистод ры 2 и 3. При выполнении услови  запираетс  транзистор 8 и выход аналогового ключа отключаетс  от его входа.

Claims (2)

1.Авторское свидетельство СССР 451194, кл. Н 03 К 17/60, 15.06.72,
2.Авторское свидетельство СССР №617840, кл. Н 03 К 17/56, 22.10.76 (прототип).
SU782576156A 1978-02-09 1978-02-09 Аналоговый ключ SU723782A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782576156A SU723782A1 (ru) 1978-02-09 1978-02-09 Аналоговый ключ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU782576156A SU723782A1 (ru) 1978-02-09 1978-02-09 Аналоговый ключ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU723782A1 true SU723782A1 (ru) 1980-03-25

Family

ID=20747315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU782576156A SU723782A1 (ru) 1978-02-09 1978-02-09 Аналоговый ключ

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU723782A1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4487457A (en) * 1982-09-28 1984-12-11 Eaton Corporation Gating circuit for combining series and parallel connected FETs
US5406151A (en) * 1992-09-24 1995-04-11 Sony Corporation Semiconductor switching circuit
EP1515441A1 (de) * 2003-09-05 2005-03-16 Biotronik GmbH & Co. KG Spannungsfester MOS-Schalter

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4487457A (en) * 1982-09-28 1984-12-11 Eaton Corporation Gating circuit for combining series and parallel connected FETs
US5406151A (en) * 1992-09-24 1995-04-11 Sony Corporation Semiconductor switching circuit
EP1515441A1 (de) * 2003-09-05 2005-03-16 Biotronik GmbH & Co. KG Spannungsfester MOS-Schalter
US7599159B2 (en) 2003-09-05 2009-10-06 Biotronik Gmbh & Co. Kg Voltage-resistant MOS switch

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6323697B1 (en) Low distortion sample and hold circuit
US4985647A (en) CMOS transfer switch free from malfunction on noise signal
US4219743A (en) Buffer circuit
US4677323A (en) Field-effect transistor current switching circuit
US3908136A (en) Analogue gates
US3509379A (en) Multivibrators employing transistors of opposite conductivity types
US5362994A (en) Comparator with controlled hysteresis
SU723782A1 (ru) Аналоговый ключ
US3558921A (en) Analog signal control switch
JPS62114325A (ja) ゲ−ト回路
GB1458691A (en) Bistable circuit
GB1010342A (en) Improvements in or relating to gating circuits
US4096401A (en) Sense circuit for an MNOS array using a pair of CMOS inverters cross-coupled via CMOS gates which are responsive to the input sense signals
GB1330679A (en) Tri-level voltage generator circuit
GB1103538A (en) Electrical switching circuit
US4712025A (en) Analog switch
US4072890A (en) Voltage regulator
US5481492A (en) Floating gate injection voltage regulator
GB2394610A (en) A low-distortion RF FET switch
CS196933B1 (en) Integrated logical circuit
SU890440A1 (ru) Аналоговое запоминающее устройство
US4163188A (en) System for establishing and steering a precise current
SU746934A1 (ru) Компенсированный ключ
SU1723667A1 (ru) Многоканальный коммутатор
GB1336927A (en) Semiconductor circuits