SU712849A2 - Элемент пам ти - Google Patents

Description

тельных резисторов 5-9, конденсатора 10 и стабилитрона 11.

Тиристор 1 питаетс  посто нным напр жением от высоковольтного источника питани , положительный полюс которого подключен к клемме 12, а отрицательный полюс заземлен; питание транзисторов осуществл етс  от низковольтного источника питани , положительный полюс которого подключен к клемме 13, а отрицательный также заземлен. Смещение на базу транзистора подают от источника фиксированного смещени , положительный полюс которого подключен к шине 14, а отрицательный соединен с положительным полюсом низковольтного источника питани . Управл ющий импульс подаетс  от шины 15 управл ющих сигналов. Резистор 8 в высоковольтной анодной цепи тиристора при открытом состо нии последнего ограничивает в нем ток до величины, во много раз меньшей тока включени  тиристора. Резистор 5, соедин ющий базу транзистора 2 через разделительный диод 4 с анодом тиристора, ограничивает базовый ток транзистора (ток тиристора в низковольтных цеи х) до величины , также во много раз меньшей тока включени  тиристора.

Общий ток, протекающий через тиристор (с учетом тока, отдаваемого в нагрузку, например, газоразр дный индикатор), остаетс  во много раз меньшим тока включени  и тока выключени  тиристора (рабоча  точка тиристора всегда расположена ниже точек, соответствующих току включени  и выключени  на статической вольтамперной характеристики). Транзистор 3 и конденсатор 10 дл  надежного запирани  тиристора при подаче на базу транзистора управл ющего сигнала. Стабилитрон 11 предусмотрен дл  того, чтобы в исходном состо нии транзистор 3 был закрыт . Напр жение стабилизации стабилитрона должно быть больше напр жени  источника , питающего транзистор 2. Это необходимо дл  того, чтобы в исходном состо нии базовый ток транзистора 2 был равен нулю.

Устройство работает следующим образом .

При подаче управл ющего импульса отрицательной нол рности на базу транзистора 2 (шина 15), последний отпираетс , по коллекторному сопротивлению (резистор 6) в управл ющий электрод тиристора 1 течет ток, который переводит тиристор в открытое провод щее состо ние. На аноде тиристора 1 по вл етс  низкий потенциал общего минуса (земли), и через разделительный диод 4 и резистор 5 течет базовый ток транзистора 2, поддерживающий транзистор в открытом провод щем состо нии, а последний удерживает в провод щем состо нии тиристор 1, и при спаде

управл ющего сигнала элемент лам ти остаетс  в этом новом, устойчивом дл  него состо нии (состо нии записанной единицы ), когда открыты оба коммутирующих элемента - тиристор 1 и транзистор 2. В

этом состо нии с анода тиристора снимаетс  высокое напр жение и течет малый ток в высокоомную нагрузку элемента, например , газоразр дный индикатор. Транзистор 3 остаетс  в закрытом состо нии, и конденсатор 10 через резистор 9 зар жаетс . Выключение тиристора осуществл етс  импульсом положительной пол рности, подаваемым на базу транзистора 2 и через стабилитрон 11 на базу транзистора 3. При

этом транзистор 2 запираетс  и ток управл ющего электрода тиристора становитс  равным нулю. Транзистор 3 открываетс , и напр жение конденсатора 10 оказываетс  приложенным к тиристору в обратном направлении , что приводит к надежному запиранию тиристора.

В элементе пам ти амплитуда запирающего сигнала должна быть больше напр жени  источника питани  транзисторов.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Элемент пам ти по авт. св. № 268492, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  надежности работы от одного источника уиравл Еощих сигналов, в него введены дополнительный транзистор, конденсатор , стабилитрон и ограничительный резистор , причем коллектор доиолнительного транзистора через ограничительный резистор соедииен с шиной источника низкого напр жени  и через конденсатор с анодом тиристора, база - с анодом стабилитрона, катод которого соединен с базой основного транзистора, а эммитер - с общей шиной источников питани  высокого и низкого напр жени .

   Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР № 268492, кл. G ПС 11/34, 1968.

   15 yS..

   V 1i