SU710077A1 - Analogue storage - Google Patents

Analogue storage Download PDF

Info

Publication number
SU710077A1
SU710077A1 SU772469591A SU2469591A SU710077A1 SU 710077 A1 SU710077 A1 SU 710077A1 SU 772469591 A SU772469591 A SU 772469591A SU 2469591 A SU2469591 A SU 2469591A SU 710077 A1 SU710077 A1 SU 710077A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
bus
collector
base
emitter
Prior art date
Application number
SU772469591A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Виктор Алексеевич Кренделев
Валерий Николаевич Рыченков
Original Assignee
Предприятие П/Я М-5631
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я М-5631 filed Critical Предприятие П/Я М-5631
Priority to SU772469591A priority Critical patent/SU710077A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU710077A1 publication Critical patent/SU710077A1/en

Links

Landscapes

  • Digital Magnetic Recording (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Description

Изобретение относитс  к области автоматики,, вычислительной техники и измерительной техники и может быть использовано в устройствах преобразовани  аналоговой информации.The invention relates to the field of automation, computing and measuring equipment and can be used in analog information conversion devices.

Известно магнитное аналоговое запоминающее устройство с разрушающим считыванием, в котором в качестве запоминающего элемента использован ферромагнитный сйрц,&4№лк с пр моугольной петлей гистерезиса 1. Чаще всего вккодна  величина этих устройств представлена временным интервалом, формирование которого осуществл етс  схемой с обратной св зью, аналогичной феррит-транзисторной  чейке.A magnetic analog storage device with destructive readout is known, in which a ferromagnetic syrtz & 4Nolc with a rectangular hysteresis loop is used as the storage element 1. Most often, the single value of these devices is represented by a time interval, which is formed by a feedback circuit similar to the ferrite transistor cell.

Наиболее близким тех1шческим рещением к данному изобретению  вл етс  аналоговое запоминающее устройство, содержащее ферромагнитный сердечник с расположенными на нем обмотками записи и считывани  и обмоткой обратной св зи, котора  через резистор соединена с базой основного транзистора и с шиной управлени , коллектор основного транзистора подключен к концу обмотки считывани , начало которой соединен с шиной нулевого потенциала, и ишну сигнала блокировки считывани  2.The closest technical solution to this invention is an analog memory device containing a ferromagnetic core with recording and reading windings and a feedback winding located on it, which is connected via a resistor to the base of the main transistor and the control bus, the collector of the main transistor is connected to the end of the winding a read, the beginning of which is connected to the zero potential bus, and the read signal of the read lock 2

Недостатком известных устронств  вгг этс  то, что в р де случаев наличие корреК1Нру;;;Щ51{ цепочки оказываетс  недостатошым дл  ггодаБлею1  импульса помех и устранени  ложного считьшашш, иНизклй порог срабатывани  сснспного транзистора и налтше положи ге.ьнпГ; обратной св зи обуславливают высокую чувствитепыюсть к помехам, которые имеют место з .многоканальных системах. A disadvantage of the known devices is that, in a number of cases, the presence of a corrector is insufficient for the year of an impulse of interference and the elimination of a false balance, and the low threshold of the response of the transistor and the situation; Feedbacks cause a high sensitivity to interference that occurs in multi-channel systems.

Целью изобретени   вл етс  повышение помехоустойчивости устройства.The aim of the invention is to improve the noise immunity of the device.

Это достигаетс  тем, что в пре.длагаемое устройство вверен дополнительный транзистор, коллектор которого соединен с базой основного транзистора, эмиттер дополнительного транзистора соединен с шиной нулевого потенциала , а база - с шиной сигнала блокировки.This is achieved in that the additional transistor is entrusted to the proposed device, the collector of which is connected to the base of the main transistor, the emitter of the additional transistor is connected to the zero potential bus, and the base is connected to the blocking signal bus.

Сущность изобретени  по сн етс  чертежом, на котором изображена электрическа  схет предложенного гналогового запоминающего устройства .The invention is illustrated in the drawing, which shows the electrical circuit of the proposed gnalogovy storage device.

Оно содержит ферромагнитный сердечикк с пр мо1,тольной петлей гистерезиса, обмотку записи 2, обмотку считьшани  3, од11-н конецIt contains a ferromagnetic core with a straight line, a hysteresis loop loop, a record winding 2, a wire winding 3, one end 11

Claims (1)

Формула изобретенияClaim Дополнительный транзистор 9 управляется сигналом блокировки, подаваемым/ла ero4iaзу. На время записи и время хранения записанной информации сигнал блокировки имеет уровень, достаточный для поддержания транзистора 9 в состоянии насыщения. Поэтому все помехи на базе транзистора 5, возникающие как при записи, так и наведенные на цепь команды считывания, шунтируются открытым переходом коллектор-эмиттер транзистора 9, падение напряжения на котором в состоянии насыщения может быть только десятки мВ, что значительно меньше напряжения открывания транзистора 5, составляющего сотни мВ. К моментусчитывания информации сигнал блокировки снимается, т. е. его уровень близок к потенциалу общей шины, так что транзистор 9 закрывается. Сопротивление перехода коллектор-эмиттер транзистора 9 в этом, случае велико и составляет сотни кОм. Это значительно больше соАналоговое запоминающее устройство, содержащее ферромагнитный сердечник с располо15 женными на нем обмотками записи и считыва. ния и обмоткой обратной связи, которая через резистор соединена с базой -основного транзистора и с шиной управления, коллектор основного транзистора подключен к концу обмотки считывания, начало которой соединено с шиной питания, эмиттер основного транзистора соединен с шиной нулевого потенциала, и шину сигнала блокировки, отличающееся тем, что, с целью повышения помехоустойчи25 вости устройства, в него введен дополнительный транзистор, коллектор которого соединен с базой основного транзистора, эмиттер дополнительного транзистора соединен с шиной нулевого потенциала, а база — с шиной сигнала 30 блокировки.The additional transistor 9 is controlled by a blocking signal supplied by / la ero4iazu. At the time of recording and the storage time of the recorded information, the blocking signal has a level sufficient to maintain the transistor 9 in a saturated state. Therefore, all the interference on the basis of the transistor 5, both during recording and the read commands induced on the circuit, are bridged by an open collector-emitter junction of the transistor 9, the voltage drop on which in the saturation state can be only tens of mV, which is much less than the opening voltage of the transistor 5 of hundreds of mV. By the time of reading the information, the blocking signal is removed, that is, its level is close to the potential of the common bus, so that the transistor 9 closes. The resistance of the collector-emitter junction of the transistor 9 in this case is large and amounts to hundreds of ohms. This is much more than an analog storage device containing a ferromagnetic core with record and read windings located on it. the feedback winding, which is connected through the resistor to the base of the main transistor and to the control bus, the collector of the main transistor is connected to the end of the read winding, the beginning of which is connected to the power bus, the emitter of the main transistor is connected to the zero potential bus, and the lock signal bus, characterized in that, in order to increase the noise immunity of the device, an additional transistor is introduced into it, the collector of which is connected to the base of the main transistor, the emitter of the additional transistor is connected en with the tire ground potential, and the base - with the bus lock signal 30.
SU772469591A 1977-04-01 1977-04-01 Analogue storage SU710077A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772469591A SU710077A1 (en) 1977-04-01 1977-04-01 Analogue storage

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772469591A SU710077A1 (en) 1977-04-01 1977-04-01 Analogue storage

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU710077A1 true SU710077A1 (en) 1980-01-15

Family

ID=20702314

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772469591A SU710077A1 (en) 1977-04-01 1977-04-01 Analogue storage

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU710077A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB784549A (en) Magnetic memory system with disturbance cancellation
GB909871A (en) Ferrite matrix storage device with individual core reading and spurious-pulse compensation
SU710077A1 (en) Analogue storage
US2974308A (en) Magnetic memory device and magnetic circuit therefor
GB897092A (en) Magnetic core switching circuit
GB960728A (en) Memory sensing circuit
US3157861A (en) Method and device in magnetic memory matrices
GB783918A (en) Magnetic memory system
SU372704A1 (en) ALL THE UNION! J
SU435564A1 (en) MAGNETIC ANALOG ELEMENT OF MEMORY
SU756631A1 (en) Voltage-to-digital code converter
GB1248947A (en) Magnetic analog memory
US3328786A (en) Magnetic analog signal integrator
SU728165A1 (en) Magnetic analogue storage element
SU411519A1 (en)
ES460721A1 (en) Proximity detector device, intended to be placed on the head of a projectile. (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)
SU438980A1 (en) Magnetic transistor time-pulse null-organ
GB952975A (en) Waveshape recognition system
SU446106A1 (en) Reproduction amplifier for matrix-type ferrite memory
SU1045377A1 (en) Device for measuring voltage
US3462748A (en) Memory using sense amplifiers with gated feedback
SU147368A1 (en) Static magnetic memory element
SU145031A1 (en) Magnetic head for recording control signals and mounting pulses
SU445078A1 (en) Analog storage device
SU410562A1 (en)