SU710019A1

SU710019A1 - Способ электрофотографической записи

Info

Publication number: SU710019A1
Application number: SU782576273A
Authority: SU
Inventors: Регимантас Генрико Жиленас; Вадим Александрович Макарычев; Алоизас Сергеяус Таурайтис
Original assignee: Научно-Исследовательский Институт Электрографии
Priority date: 1978-01-30
Filing date: 1978-01-30
Publication date: 1980-01-15

Description

(54) СПОСОБ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОЙ ЗАПИСИ

I

Изобретение относитс к области электрофотографии , а именно к способам получени электрофотографического изображени .

Известен способ получени электрофотографического изображени на многослойном электрофотографическом настиле, покрытом диэлектрическим прозрачным слое .м, включающий зар жение внешней поверхности носител , экспонирование с одновре .менной перезар дкой носител зар дом противоположного знака и равномерное освеп|ение носител 1.

OcHOBHFjM недостатком этого способа вл етс то, что скорость и чувствительность записи ограничены не фоточувствительностью фотополупроводникового сло , а мощностью коронирующего устройства, перезар жающего носитель одновременно с экспонирование .м.

Целью изобретени вл етс повышение скорости записи электрофотографиуеского изображени .

Это достигаетс тем, что между стадией зар дки и стадией перезар дки с одновременны .м экспонированием дополнительно

производитс перезар дка повер.хности носител в темноте до потенциала, близкого к максимальному.

В последующей стадии при перезар дке сло одновременно с экспонирование.м ток короны расходуетс только на перезар дку светлых участков изображени , что позвол ет при той же мощности коронирующего устройства увеличить скорость записи. Это объ сн етс следующим. В начале второй стадии перезар дки на фотополупроводниковом слое электрического пол нет, так как в первой стадии зар ды накапливаютс только на внешней и внутренней поверхност х диэлектрического сло . В течение времени при перезар дке во второй стадии поле фотополупроводникового сло увеличиваетс и достигает максимального значени , т. е. потенциал внешней поверхности достигает установившегос значени , определ емого конструкцией зар дного устройства и напр жением, подаваемым на коронирующие электроды. Известно , что чувствительность фотополупроводникового сло зависит от напр женности приложенного электрического пол и растет с его увеличением. В св зи с этим в начале второй стадии при экспонировании падающий свет расходуетс неэффективно (с пониженным квантовым выходом фотогенерации ). Введение дополнительной стадии перезар дки в темноте до установившегос уровн подготавливает слой к эффективной разр дке при экспонировании так как доводит напр женность пол в фотополупроводниковом слое почти до максимального уровн .

Пример. Запись штрихового изображени производ т на лабораторном макете, в котором можно мен ть освеш.енность и скорость движени коронаторов над носителем. В качестве источника света используют лампу накаливани типа КИМ со светофильтром СЭС-22, а в качестве носител - трехслойную систему, . состо шую из верхнего диэлектрического лавсанового сло толщиной 20 мкм и селенового фотополупроводникового сло толщиной 60 мкм, нанесенного на лавсановую подложку с платиновым электропровод щим слоем.

На первой стадии слой зар жают в поле коронного разр да отрицательной пол рности до потенциала 2000 В. Во второй стадии слой перезар жают до потенциала -1-100 В с одновременным экспонированием штрихового оригинала. В третьей стадии слой подвергают равномерной засветке до освещенности 20 лк, ла.мпой накаливани

типа КИМ. Качественное изображение получдло .сь при скорости движени коронаторов над слоем не более 2,7 см/сек при освещенности в белых участках 8 лк. При увеличении освещенности скорость записи увеличить не удалось. Введение дополнительной стадии перезар дки внешней поверхности носител в темноте до уровн -f 100 В позволило увеличить скорость движени коронаторов над слоем, а следовательно и скорость записи до 6,1 см/сек при сохранении того же качества записи.

Claims

1. Патент Японии № 49-б218, кл. 103 К 1, 1974.