SU704684A1 - Method of cleaning workpieces of aluminium oxide ceramic materials - Google Patents
Method of cleaning workpieces of aluminium oxide ceramic materialsInfo
- Publication number
- SU704684A1 SU704684A1 SU772499990A SU2499990A SU704684A1 SU 704684 A1 SU704684 A1 SU 704684A1 SU 772499990 A SU772499990 A SU 772499990A SU 2499990 A SU2499990 A SU 2499990A SU 704684 A1 SU704684 A1 SU 704684A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- solution
- temperature
- concentration
- gas
- working
- Prior art date
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Description
(54) СПОСОБ ОЧИСТКИ ДЕТАЛЕЙ ИЗ АЙбМООКСЙ)ЦНОЙ - КЕРАШ1КИ :(54) METHOD FOR CLEANING DETAILS FROM AIBMOOXY) TSNOY - KERASH1KI:
Изобретение относитс k способам очистки поверхности материалов, в частности алюмооксидной керамики и Может примен тьс , например при производстве оптических кваитоВых генераторов дл очистки Поверхности разр дных трубок.The invention relates to k methods for cleaning the surface of materials, in particular alumina ceramics, and can be used, for example, in the manufacture of optical quaite generators for cleaning the surface of discharge tubes.
Поверхность разр дных трубок из алюмооксидной керамики обладает значительной адсорбционной снособноств.The surface of discharge tubes from alumina ceramics has a significant adsorption capacity.
к загр знени м. Кроме того, Пове рхностный слой вследствие механической обработки при изготовлении детали вл етс пористым и адсорбирует газы, трудно удал емые при термо1вакуумной обработке. Под вли нием ионной бомбардировки может происходить десорбци неудаленных газов, что сиюкает срок службы оптических квантовых генераторов и в некоторых случа х приводит к выходу их из стро . Таким образом, дл достижени достаточной чистоты поверхности необходимо не только удал ть загр знени с поверхиости , но и удал ть газонасыщенный слой, что должно привести к снижению газоотделени .impurities. In addition, the Surface layer due to mechanical treatment in the manufacture of the part is porous and adsorbs gases that are difficult to remove during thermal processing. Under the influence of ion bombardment, desorption of non-abated gases may occur, which shortens the service life of optical quantum generators and in some cases causes them to fail. Thus, in order to achieve sufficient surface cleanliness, it is necessary not only to remove the contaminants from the surface, but also to remove the gas-saturated layer, which should lead to a reduction in gas separation.
Известен способ очистки деталей из алюмооксидной кергьмикй, включгиоВД1Й ripoivttJBKy ё Мсйогцем растворе, содержащем пойерх остио-актиВное веще ство (ПАВ), с применением у ьтраэвука и п6слёдуйь5ую; суику {,There is a known method of cleaning parts from alumina kergmiky, including a ripoivttJBKy М Mcyogtz solution containing ground ester-active substance (SAS), using utevuka and using a six-sided; suiku {,
:Газоотделение п 1сл0 химической oejpaddTkri и суьжй на в)ЗЙУхе составЛ ет 7,5 мкм л/см . Газоотделение. 0,9 мкм л/см получают после химиQ ческой обработки керамики и последующей сушки в обеспыленной атмосфере при 250-300с:, V: Gas separation n 1sl0 chemical oejpaddTkri and suzhu on c) Zyuhe is 7.5 μm l / cm. Gas separation 0.9 micron l / cm is obtained after chemical treatment of ceramics and subsequent drying in an atmosphere free of dust at 250-300s: V
В результате аКЬй сушки удал етс часть адёорбйроваиимх гаэ.ов, вследствие чего зМ чн1гел ;но уменьшаетсй As a result of drying, some of the aideorbay gae.ov are removed by drying, as a result of which the PM is reduced;
5 остаточное газоотлелеийе керамики. Аналогичный результат дает обработка деталей в вакууме при и отжиг при ..5 residual gaseous ceramics. Similar results are obtained by machining parts in a vacuum with and annealing at ..
Одйако данный (способ очистки не . Odako given (cleaning method not.
0 удал ет газонасыщенный слой поверхности и, таким о6разом не снижает газоотделени в процессе термовакуумной обработки прибора и его эксплуатации . . 0 removes the gas-saturated surface layer and, thus, does not reduce gas separation in the process of thermal vacuum treatment of the device and its operation. .
5five
Цель изобретени - улучшение качества очистки деталей из,алюмооксидной керамики.The purpose of the invention is to improve the quality of cleaning parts from alumina ceramics.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772499990A SU704684A1 (en) | 1977-06-27 | 1977-06-27 | Method of cleaning workpieces of aluminium oxide ceramic materials |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772499990A SU704684A1 (en) | 1977-06-27 | 1977-06-27 | Method of cleaning workpieces of aluminium oxide ceramic materials |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU704684A1 true SU704684A1 (en) | 1979-12-25 |
Family
ID=20714856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU772499990A SU704684A1 (en) | 1977-06-27 | 1977-06-27 | Method of cleaning workpieces of aluminium oxide ceramic materials |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU704684A1 (en) |
-
1977
- 1977-06-27 SU SU772499990A patent/SU704684A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2787788B2 (en) | Residue removal method | |
US5964953A (en) | Post-etching alkaline treatment process | |
JP3699678B2 (en) | Cleaning method for ceramic insulator | |
SU704684A1 (en) | Method of cleaning workpieces of aluminium oxide ceramic materials | |
KR100748376B1 (en) | Quartz crucible reproducing method | |
JP4903322B2 (en) | Yttrium oxide material | |
DE19953152C1 (en) | Process for wet-chemical treatment of semiconductor wafer after mechanical treatment in lapping machine comprises subjecting to ultrasound in an alkaline cleaning solution before etching and rinsing steps | |
KR100442744B1 (en) | Process for the Chemical Treatment of Semiconductor Wafers | |
JP4615246B2 (en) | Cleaning method | |
US1795384A (en) | Method of removing gases from metals | |
JPH04298038A (en) | Method for cleaning wafer | |
JP2523380B2 (en) | Silicon wafer cleaning method | |
KR100470349B1 (en) | Cleansing method of insulators in etching equipment using chlorine | |
US3740819A (en) | Method of reducing the incidence of short circuits on air isolated beam crossovers | |
JPS60174864A (en) | Surface treatment of aluminum substrate for forming thin film | |
JPH10199847A (en) | Method of cleaning wafer | |
JPH0547734A (en) | Cleaning apparatus | |
JPH05109683A (en) | Removal of metallic impurity in semiconductor silicon wafer cleaning fluid | |
RU2014666C1 (en) | Process of rebuilding of ceramic tubes from burners of sodium vapor high-pressure lamps | |
JPH06196461A (en) | Cleaning method of silicon wafer | |
JPH01146330A (en) | Surface cleaning method for silicon solid | |
JPH04259221A (en) | Washing solution | |
JP4184994B2 (en) | Method for removing impurities inside silicon wafer | |
JP2893493B2 (en) | Silicon wafer cleaning method | |
JPH11217591A (en) | Cleaning water for electronic material |