SU704684A1 - Method of cleaning workpieces of aluminium oxide ceramic materials - Google Patents

Method of cleaning workpieces of aluminium oxide ceramic materials

Info

Publication number
SU704684A1
SU704684A1 SU772499990A SU2499990A SU704684A1 SU 704684 A1 SU704684 A1 SU 704684A1 SU 772499990 A SU772499990 A SU 772499990A SU 2499990 A SU2499990 A SU 2499990A SU 704684 A1 SU704684 A1 SU 704684A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
solution
temperature
concentration
gas
working
Prior art date
Application number
SU772499990A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Генрих Санджиевич Дорджин
Татьяна Ивановна Китаева
Надежда Ивановна Коновалова
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8754
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8754 filed Critical Предприятие П/Я В-8754
Priority to SU772499990A priority Critical patent/SU704684A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU704684A1 publication Critical patent/SU704684A1/en

Links

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)

Description

(54) СПОСОБ ОЧИСТКИ ДЕТАЛЕЙ ИЗ АЙбМООКСЙ)ЦНОЙ - КЕРАШ1КИ :(54) METHOD FOR CLEANING DETAILS FROM AIBMOOXY) TSNOY - KERASH1KI:

Изобретение относитс  k способам очистки поверхности материалов, в частности алюмооксидной керамики и Может примен тьс , например при производстве оптических кваитоВых генераторов дл  очистки Поверхности разр дных трубок.The invention relates to k methods for cleaning the surface of materials, in particular alumina ceramics, and can be used, for example, in the manufacture of optical quaite generators for cleaning the surface of discharge tubes.

Поверхность разр дных трубок из алюмооксидной керамики обладает значительной адсорбционной снособноств.The surface of discharge tubes from alumina ceramics has a significant adsorption capacity.

к загр знени м. Кроме того, Пове рхностный слой вследствие механической обработки при изготовлении детали  вл етс  пористым и адсорбирует газы, трудно удал емые при термо1вакуумной обработке. Под вли нием ионной бомбардировки может происходить десорбци  неудаленных газов, что сиюкает срок службы оптических квантовых генераторов и в некоторых случа х приводит к выходу их из стро . Таким образом, дл  достижени  достаточной чистоты поверхности необходимо не только удал ть загр знени  с поверхиости , но и удал ть газонасыщенный слой, что должно привести к снижению газоотделени .impurities. In addition, the Surface layer due to mechanical treatment in the manufacture of the part is porous and adsorbs gases that are difficult to remove during thermal processing. Under the influence of ion bombardment, desorption of non-abated gases may occur, which shortens the service life of optical quantum generators and in some cases causes them to fail. Thus, in order to achieve sufficient surface cleanliness, it is necessary not only to remove the contaminants from the surface, but also to remove the gas-saturated layer, which should lead to a reduction in gas separation.

Известен способ очистки деталей из алюмооксидной кергьмикй, включгиоВД1Й ripoivttJBKy ё Мсйогцем растворе, содержащем пойерх остио-актиВное веще ство (ПАВ), с применением у ьтраэвука и п6слёдуйь5ую; суику {,There is a known method of cleaning parts from alumina kergmiky, including a ripoivttJBKy М Mcyogtz solution containing ground ester-active substance (SAS), using utevuka and using a six-sided; suiku {,

:Газоотделение п 1сл0 химической oejpaddTkri и суьжй на в)ЗЙУхе составЛ ет 7,5 мкм л/см . Газоотделение. 0,9 мкм л/см получают после химиQ ческой обработки керамики и последующей сушки в обеспыленной атмосфере при 250-300с:, V: Gas separation n 1sl0 chemical oejpaddTkri and suzhu on c) Zyuhe is 7.5 μm l / cm. Gas separation 0.9 micron l / cm is obtained after chemical treatment of ceramics and subsequent drying in an atmosphere free of dust at 250-300s: V

В результате аКЬй сушки удал етс  часть адёорбйроваиимх гаэ.ов, вследствие чего зМ чн1гел ;но уменьшаетсй As a result of drying, some of the aideorbay gae.ov are removed by drying, as a result of which the PM is reduced;

5 остаточное газоотлелеийе керамики. Аналогичный результат дает обработка деталей в вакууме при и отжиг при ..5 residual gaseous ceramics. Similar results are obtained by machining parts in a vacuum with and annealing at ..

Одйако данный (способ очистки не . Odako given (cleaning method not.

0 удал ет газонасыщенный слой поверхности и, таким о6разом не снижает газоотделени  в процессе термовакуумной обработки прибора и его эксплуатации . . 0 removes the gas-saturated surface layer and, thus, does not reduce gas separation in the process of thermal vacuum treatment of the device and its operation. .

5five

Цель изобретени  - улучшение качества очистки деталей из,алюмооксидной керамики.The purpose of the invention is to improve the quality of cleaning parts from alumina ceramics.

Claims (2)

Это достигаетс  тем, что детали после промывки в моющем растворе. соде1Е5жа1дем ПАВ, с njpiiMeHeHfWeM лъгразвука , дополнительно обрабатывают раствором едкого натра, причем обработку деталей осуществл ют 15-30% раствором едкого натра с температурой 75-85°С в течение 30-60 мин. . При такой, более глубокой химической очистке керамических деталей происходит не только удаление нений с поверхности, но и удаление противоповерхностного пористого гаэо насыщенного сло  путем стравливани  В результате газортделение керамики уменьшаетс  и увеличиваетс  срок сл бы прибора. Газоотделение по данному способу после обезжиривани  в ОП-10, травлени  в щелочи и сушки на воздухе составл ет 1,8 мкм л/см. Если затем подвергнуть детали сушке в обеспылен ной атмосфере при температуре 250-. 300°С, то газоотделение составл ет О , 5 мкм л/см . Однако, ввиду того, что по технрлбгий изготовлени  приборов керами ческие детали в дальнейшем подвергаютс  операции обезгаживани  в вакууйе при температуре 400с, нецелесообразно включать эту операцию в технологию очистки керамических деталей . Пример. Обработанные в растворе ОП-10 с применением ультра звука керамические трубки помещают в ванну с рабочим раствором, содержащим 25 вес.% едкого натра, нагретым до 82°С. Врем  обработки 40 мин После этого трубкипромывают гор чей дистиллированной водой, затем холодной дистиллированной водой и сушат на воздухе при температуре . Газоотдёление составл ет 1,8 мкм л/см П р и м е р 2. Обработку осуществл ют как в примере 1, только при .следующих парамерах:; Концентраци  рабочего 15 вес.% раствора Температура рабочего 82С раствора оптимальна  40 мин Врем  обработки После обработки кералшки в указанном режиме газовыделение равно , 3.1 мкм л/см П р и м е р 3. Обработку осуществл ют как в Примере 1, только при следующих параметрах: концентраци  рабочего 30 вес.% раствора 82С ,,, Температура раствора 40 мин Врем  обработки Газовыделение 2,5 мкм л/см П р и м 4. Обработку осуществл ют как в примере 1, только при следующих параметрах; - Температура рабочего раствора Концентраци  раствора 25 вес.% Врем  обработки 40 мйй Газовыдёление 2.7 мкм л/см П р и м е р 5, Обработку Осуществл ют как в примере 1, только при следующих параметрах: Температура рабочего , раствора 25 вёс,% Концентраци  раствора 40 мин Врем  обработки Газовыделение 2,3мкмл/см П р и м е р 6, Обработку осуществл ют как в примере 1, только при ел едующи X П ар аме fp а х: Концентраци  рабочего jaacTBOpa ; 25 вес.% Температура раствора 82С Врем  обработки 30 мин Газоввдёление 3,0 мкм л/см П р и м е р 7. Обработку осуществл ют какв пр иМерё 1, только при следующих параметрах:. , Концентраци  рабочего раствора 25 вес.% Температура раствора 82°С Врем  обработки 60 мин Газовыделение 2,3 мкм л/см Выбор граничных условий парамет- . рон процесса определ етс  значением газ6отделёни  которое должно быть минимальным (без сушки-в обеспыленной атмосфере минимальное значение газоотделени  составл ет пор дка 1,8 мкм л/см). Газоотделение при Граничных значени х параглетров процесса увеличиваетс . Кроме того, при более низкой (менее 15%) концентрации раствора значительно умень-шаетс  скорость травлени , а при более высокой концентрации раствор становитс  неустойчивым и наблюдаетс  выпадение осадка. То же относитс  и к интервалу температур. При температуре рабочего раствора ниже 75С разко падает скорость травлени , а при температуре выше 85°С выпадает хлопьевидный осадок. Оптимальное врем  обработки деталей выбирают в зависимости от других параметров режима (концентрации и температуры рабочего раствора) . Испытани  п6каз(аЛи, что газоотделениё трубок, обработанных в соответствии с данным способом, умень- шаетс  в два раза по сравнению c/,i t газоотделением трубок,- обработанных в соответствии с известным способом. В св зи с этим, срок службы прибора увеличиваетс  в 2-3 раза. .х . Формула изобретени  . , 1.Способ очистки деталей из алюмо-, оксидной керамики, включающий про- мывку в Моющем растворе, содержащем поверхность-активное вещество, с применением ультразвука и последующую сушку, о т л и ч а ю щ и и с   тем, то, с целью улучшени  очистки, детгшиThis is achieved in that the parts, after washing, are washed in a washing solution. with surfactant, with nJpiiMeHeHfWeM radiation, additionally treated with sodium hydroxide solution, and the parts are processed with 15-30% sodium hydroxide solution with a temperature of 75-85 ° C for 30-60 minutes. . With such a deeper chemical cleaning of ceramic parts, not only the removal of nano from the surface occurs, but also the removal of the anti-surface porous gaeo saturated layer by etching. As a result, the gas separation of ceramics decreases and the life span of the device increases. The gas separation in this method after degreasing in OP-10, etching in alkali and drying in air is 1.8 µm l / cm. If then the parts are dried in a dust-free atmosphere at a temperature of 250-. 300 ° C, gas separation is 0, 5 µm l / cm. However, due to the fact that the ceramic parts are subject to the degassing operation in a vacuum at 400 ° C, it is unreasonable to include this operation in the technology of cleaning ceramic parts. Example. Processed in the solution OP-10 using ultra sound ceramic tubes are placed in a bath with a working solution containing 25 wt.% Caustic soda heated to 82 ° C. Processing time 40 min. After this, the tubes are washed with hot distilled water, then with cold distilled water and dried in air at a temperature. The gas recovery is 1.8 µm l / cm. EXAMPLE 2 The treatment is carried out as in Example 1, only with the following parameters :; Worker concentration 15 wt.% Of the solution. The temperature of the working 82C solution is optimal for 40 minutes. Processing time After the keratl is treated in the indicated mode, the gas emission is equal to 3.1 µm l / cm. Example 3. : Concentration of the working 30 wt.% solution 82С ,,, Solution temperature 40 min. Treatment time Gas emission 2.5 µm l / cm. Pr m and 4. The treatment is carried out as in Example 1, only with the following parameters; - Working solution temperature Solution concentration 25 wt.% Processing time 40 minutes Gas emission 2.7 µm l / cm EXAMPLE 5, Treatment Carried out as in example 1, only with the following parameters: Temperature of working solution, 25 weight,% Concentration solution 40 min. Processing time Gas release 2.3 µm / cm Example 6, Treatment is carried out as in Example 1, only with those eaten X P f rame x: Concentration of working jaacTBOpa; 25 wt.% Solution temperature 82С Processing time 30 min. Gas injection 3.0 µm l / cm. EXAMPLE 7 The treatment is carried out as in Measure 1, only with the following parameters :. The concentration of the working solution is 25% by weight. The temperature of the solution is 82 ° C. The treatment time is 60 min. The gas release is 2.3 µm l / cm. The choice of the boundary conditions of the parameters is. The process is determined by the value of the separation gas, which should be minimal (without drying — in a dust-free atmosphere; the minimum value of gas separation is about 1.8 µm l / cm). Gas separation at Boundary values of process paraglles increases. In addition, at a lower (less than 15%) concentration of the solution, the etching rate decreases significantly, and at a higher concentration, the solution becomes unstable and precipitation occurs. The same applies to the temperature range. When the temperature of the working solution is below 75 ° C, the rate of etching decreases, and at temperatures above 85 ° C, a flocculent precipitate falls out. The optimal processing time of parts is chosen depending on other parameters of the mode (concentration and temperature of the working solution). Testing tests (aLi that the gas separation of tubes processed in accordance with this method is halved compared to c / it gas separation of tubes) processed in accordance with a known method. In connection with this, the service life of the device increases in 2-3 times. X. The formula of the invention., 1. A method of cleaning parts from alumina-oxide ceramics, including washing in a washing solution containing a surface-active substance, using ultrasound and subsequent drying, tl and h And with that, in order to improve cleaning, you can 70468467046846 после промывки дополнительно обраба- едкого натра с .температурой тывают раствором едкого натра. в течение 30-60 мин.after washing it with additional sodium hydroxide with temperature is melted with sodium hydroxide solution. within 30-60 minutes 2. Способ) по п. 1, о т л и ч а ю- прин тые во внимание при экспертизе и и и с   тем, что обработку дета- i. электронна  техника сер,I/ лей осуществл ют 15-30% раствором вып. 2, 1972, с. 55-60 (прототип)-.2. Method) according to claim 1, of which they are taken into account during the examination and and with the fact that the processing of details is i. The electronic technology of sulfur, I / leu is carried out with a 15-30% solution of vol. 2, 1972, p. 55-60 (prototype) -. Источники информации,Information sources,
SU772499990A 1977-06-27 1977-06-27 Method of cleaning workpieces of aluminium oxide ceramic materials SU704684A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772499990A SU704684A1 (en) 1977-06-27 1977-06-27 Method of cleaning workpieces of aluminium oxide ceramic materials

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772499990A SU704684A1 (en) 1977-06-27 1977-06-27 Method of cleaning workpieces of aluminium oxide ceramic materials

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU704684A1 true SU704684A1 (en) 1979-12-25

Family

ID=20714856

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772499990A SU704684A1 (en) 1977-06-27 1977-06-27 Method of cleaning workpieces of aluminium oxide ceramic materials

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU704684A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2787788B2 (en) Residue removal method
US5964953A (en) Post-etching alkaline treatment process
JP3699678B2 (en) Cleaning method for ceramic insulator
SU704684A1 (en) Method of cleaning workpieces of aluminium oxide ceramic materials
KR100748376B1 (en) Quartz crucible reproducing method
JP4903322B2 (en) Yttrium oxide material
DE19953152C1 (en) Process for wet-chemical treatment of semiconductor wafer after mechanical treatment in lapping machine comprises subjecting to ultrasound in an alkaline cleaning solution before etching and rinsing steps
KR100442744B1 (en) Process for the Chemical Treatment of Semiconductor Wafers
JP4615246B2 (en) Cleaning method
US1795384A (en) Method of removing gases from metals
JPH04298038A (en) Method for cleaning wafer
JP2523380B2 (en) Silicon wafer cleaning method
KR100470349B1 (en) Cleansing method of insulators in etching equipment using chlorine
US3740819A (en) Method of reducing the incidence of short circuits on air isolated beam crossovers
JPS60174864A (en) Surface treatment of aluminum substrate for forming thin film
JPH10199847A (en) Method of cleaning wafer
JPH0547734A (en) Cleaning apparatus
JPH05109683A (en) Removal of metallic impurity in semiconductor silicon wafer cleaning fluid
RU2014666C1 (en) Process of rebuilding of ceramic tubes from burners of sodium vapor high-pressure lamps
JPH06196461A (en) Cleaning method of silicon wafer
JPH01146330A (en) Surface cleaning method for silicon solid
JPH04259221A (en) Washing solution
JP4184994B2 (en) Method for removing impurities inside silicon wafer
JP2893493B2 (en) Silicon wafer cleaning method
JPH11217591A (en) Cleaning water for electronic material