SU699507A1 - Регул тор тока - Google Patents

Description

(54) РЕГУЛЯТОР ТОКА

Изобретение относитс  к области эпект ротехники и может быть использовано в различных устройствах регулировки тока, и, прежде всего,в составе стабилизированных источников питани , а также в раз личных устройствах мощных усилителей посто нного тока. Известны регул торы тока с уменьшенным одновременным рассеиванием мощности на всех (П+1; регулирующих транзисторах за счет обеспечени  поочередного прохождени  режима экстремального значени  рассеиваемой мощности отдельны-ми транзисторами, в которых устройство управлени  не вызывает увеличени  напр жени  насыщени  регул тора fl, Наиболее близким по технической сущности к предложенному изобретению  вл е с  устройство, содержащее (h + l) регулирующих транзисторов с балластными резисторами в силовой цепи, подключенными к выводам дл  источни15еа питани  и блок управлени  регулирующими транзисторамиJ2 Первым недостатком известного регул тора тока  вл етс  сложность устройства , так как перед каждым регулирующим транзистором установлен усилитель тока, выполненный на нескольких транзисторах меньшей мощности. Такое усложнение схемы вызвано необходимостью согласовать ток управлени  силовыми регулирующими транзисторами с маломощным, устройством управлени . Вторым недостатком известного устройства 5шл етс  наличие разрьтов в регулировочной характеристике в режиме, когда один из двух смежных регулирующих транзисторов достигает режима насыщени , а другой регулирующий транзистор еще остаетс  закрытым. Например, в случае применени  регул тора тока в составе стабилизатора напр жени  этот недостаток про вл етс  в увеличении уровн  пульсаций на выходе стабилизатора при прохождении этих обпавгтей режима.

Цель изобретени  - упрощение регул тора тока и устранение разрывов в его регулировочной характеристике.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что в известном устройстве блок управлени  выполнен по схеме составного транзистора на(У1+1)транзисторах тип проводимости которых противоположен тип регулирующих транзисторов, причем коллектор каждого из этих транзисторов подключен через балластный резистор к базе одного из ( И +1) регулирующих транзисторов .

Сущность изобретени  по сн етс  чертежом , где представлена в составе стабилизатора напр жени  схема регул тора тока с балластными резисторами в силовой цепи регулирующих транзисторов.

Устройство содержит регулирующие транзисторы 1,2 и 3 с балластными резисторами 4 и 5, подкгаоченными к источнику питани  6, Устройство управлени  регулирующими транзисторами выполнено на транзисторах 7,8 и 9 по схеме составного транзистора,- коллекторы которых подключены через балластные резисторы 10, 11, 12 и диоды 13 и 14 к базам регулирующих транзисторов Балластные резисторы и диоды 13 и 14 к базам регулирующих транзисторов. Балластные резисторы и диоды 13, 14 и 15, 16 совместно предотвращают режим насьпдени  регулирующих транзисторов 2 и 3. Резисторы 17, 18 и 19 устран ют возможность разрьша регулировочной характеристики регул тора токв при больших значени х коэффициентов усилени  по току транзисторов 7,8 и 9 и улучшают динамические параметры регул тора. На вхо де устройства управлени  включен усилитель тока на транзисторе 2О, повьш1ающий его входное сопротивление. База этого транзистора подключена к выходу устройства 21, содержащего в своем составе усилитель напр жени  с;. измерительным органом на входе, выдел ющим сигнал ощибки нестабильности выходного напр жени .

При уменьщении выходного напр жени  стабилизатора, вызванного уменьшением сопротивлени  нагрузки, уменьшаетс  шунтирующее воздействие устройства 21, в результате чего возрастает ток эмиттера транзистора 20, поступающий на вход устройства управлени  регул тор тока. По мере роста тока базы транзистора 9, увеличиваютс  токи коллекторов

транзисторов 7,8 и 9i и соответственно, токи коллекторов регулирующих транзисторов 3,2 и 1. Так как токи коллекторов соседних транзисторов 7,8 и 9 отличаютс  примерно Б В раз (где В - статический .коэ41фициент усилени  по току), то наиболее интенсивно будет увеличиватьс  ток коллектора регулирующего транзистора 3, база которого подключена к управл юпему транзистору 7, последнему в цепочке составных транзисторов 7,8 и 9. Регулирую1ций транзистор 3 не может достичь режима насыщени  благодар  автоматическому ограничению тока базы с помощью диодов 13 и 15. Когда регулирующий транзистор 3 приближаетс  к режиму насыщени , пройд  режим экстремашпного значени  рассеиваемой на нем мощности, из двух других регулирующих транзисторов , не достигших режима насыщени  наиболее интенсивно будет увеличиватьс  ток коллектора транзистора 2. Дальнейшее увеличение тока коллектора транзистора 7, вход ацего в устройство управлени , будет ограничено балластным резистором 10. Аналогично вступает в режим близкий к насьицению транзистор 2 и входит в режим бо.льшого тока коллектора регулирующий транзистор 1.

Claims (1)

1.Патент СЩА N 3259835, кл. 323-22, 1966.

2,Авторское свидетельство СССР N9 551624, кл. Q 05 F 1/56, 1974.

JnpOTOTHn).